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P型微晶硅薄膜材料的制备与优化: 利用VHF-PECVD(75MHz)技术,采用高氢稀释SiH、及BH掺杂的方法,在玻璃衬底上获得了厚度为50nm,电导率达到9.1S/cm,暗电导激活能小于0.035eV,拉曼晶化率超过40%的p层材料。单室工艺制备微晶...; 许盛之张晓丹孙福河王光红岳强魏长春孙建张德坤胡增鑫赵庚申耿新华赵颖; 关键词：硼掺杂微晶硅; 文献传递

VHF—PECVD法制备微晶SiGe薄膜及太阳电池被引量：6: 2007年; 以Si2H6和GeF4为源气体,用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术在不同衬底温度和功率条件下制备了SiGe薄膜材料。用喇曼光谱和扫描电子显微镜(SEM)对材料的结构进行了研究。结果表明薄膜结构随温度的升高、功率的增大逐渐由非晶SiGe(a-SiGe)转变为微晶SiGe(μc-SiGe)材料。将这种材料应用于μc-SiGe薄膜太阳能电池中,电池结构为玻璃/SnO2/p-μc-Si/i-μc-SiGe/n-μc-Si/Al,首次获得效率η=4.2%的μc-SiGe薄膜太阳能电池,开路电压Voc=0.335V,短路电流密度Jsc=20.16mA/cm2,填充因子FF=41.938%。; 谷士斌胡增鑫张建军孙建杨瑞霞; 关键词：喇曼光谱

等离子辅助反应热化学气相沉积法制备微晶硅锗薄膜: 本发明涉及一种制备太阳能电池中吸收层薄膜的方法，特别是在低温下用等离子体辅助反应热化学气相淀积制备微晶硅锗薄膜的方法。薄膜微晶材料直接生长一般需要600摄氏度以上，不能使用玻璃等廉价衬底。我们采用一种称为等离子体辅助反应...; 张建军赵颖耿新华胡增鑫谷士斌张丽萍尚泽仁; 文献传递

窄带隙微晶硅锗薄膜及其太阳电池应用研究: 本文采用甚高频PECVD法,对比了SiH+GeH和SiH+GeF两种气体组合制备微晶硅锗薄膜的效果。Raman测试结果显示GeH的增加导致薄膜晶化率降低,而GeF可以促进材料的晶化。通过研究材料中的锗含量变化趋势发现,采...; 张建军张丽平尚泽仁张鑫胡增鑫张亚萍孙建耿新华赵颖; 关键词：光敏性太阳电池; 文献传递

等离子辅助反应热化学气相沉积法制备微晶硅锗薄膜: 本发明涉及一种制备太阳能电池中吸收层薄膜的方法，特别是在低温下用等离子体辅助反应热化学气相淀积制备微晶硅锗薄膜的方法。薄膜微晶材料直接生长一般需要600摄氏度以上，不能使用玻璃等廉价衬底。我们采用一种称为等离子体辅助反应...; 张建军赵颖耿新华胡增鑫谷士斌张丽萍尚泽仁; 文献传递

微晶硅锗薄膜的纵向生长及其太阳电池的研究: 本文研究了采用甚高频等离子体增强化学气相沉积VHF-PECVD技术制备的微晶硅锗薄膜的纵向均匀性。喇曼测试结果显示:微晶硅薄膜存在着生长方向的结构不均匀,随厚度的增加,材料的晶化率逐渐变大后趋于稳定。通过研究证明生长籽晶...; 张丽平张建军张鑫胡增鑫尚泽仁张亚萍张德坤孙建赵颖; 关键词：太阳电池拉曼光谱; 文献传递

Hydrogenation of Polycrystalline SiGe Thin Films by Hot Wire Technique: 2007年; An optimized condition for defect passivation by the hot-wire technique was established. Effects of hydrogenation for polycrystalline SiGe （poly-Si1-xGex ） thin films were estimated by investigating the dark conductivity and activation energy that derive from the conductivity as a function of the temperature. The results show that this technique can effectively reduce defects present in poly-Si1-xGex films. By optimizing the substrate and filament temperatures,the treatment can be accomplished in a short time of 20-30min, which is considerably shorter than other hydrogenation techniques.; 张建军胡增鑫谷士斌赵颖耿新华; 关键词：HOT-WIRE HYDROGENATION

等离子辅助反应热CVD法制备微晶硅锗材料及电池应用: 微晶硅锗与目前广泛研究的微晶硅材料相比具有带隙更窄，吸收系数更高等优点，作为叠层电池的底电池有源层材料将更有利于吸收太阳光中的长波部分，因此正在成为国际上研究的热点。本论文在研究了反应热化学气相沉积(RTCV...; 胡增鑫; 关键词：等离子体化学气相沉积太阳能电池光电性能; 文献传递

H2,He混合稀释生长微晶硅锗薄膜: 2008年; 采用H2,He混合气体稀释等离子辅助反应热化学气相沉积法生长微晶硅锗薄膜,并在生长过程中对等离子体进行光发射光谱在线监测.结果表明:混合气体稀释法可以有效提高等离子体中的原子氢数目,降低等离子体中的电子温度;用XRD和光暗电导率表征样品的微结构和光电特性时发现,通过优化混合稀释气体中He和H2气体的比例,能够减少薄膜中的缺陷态,促进薄膜<220>择优取向生长,有效改善微晶硅锗薄膜结构,提高光电吸收性能.; 张丽平张建军张鑫尚泽仁胡增鑫张亚萍耿新华赵颖; 关键词：化学气相沉积 X射线衍射

反应热CVD法多晶硅锗太阳电池的研究: 张建军耿新华许盛之孙建王岩陈新亮胡增鑫尚泽仁; 该项目开发了一种新型的CVD工艺——等离子辅助反应热CVD法，国际上首次提出采用氟化锗为气体以期达到锗含量与掺氟量的匹配的思想，解决了硅锗材料中氢择优与硅键合导致的随锗含量升高缺陷态增加的问题；系统研究了多晶硅锗材料生长...; 关键词：; 关键词：太阳电池

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胡增鑫