管高飞
- 作品数：1 被引量：6H指数：1
- 供职机构：中国计量学院理学院物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 排列形状及阵列数目对纳米导线阵列场发射性能的影响被引量：6
- 2006年
- 为了进一步研究纳米导线阵列的排列形状以及阵列数目对其场发射行为的影响,利用镜像悬浮球模型对正方形以及六边形排列的纳米导线阵列的场发射行为进行计算与模拟,近似的得到纳米导线阵列的场发射增强因子满足如下的变化趋势:β=ρh1+1W+121+1W2+3,其中h为纳米导线的高度,ρ为纳米导线的半径,W是以R为自变量的函数,R为纳米导线阵列的间距.结果显示纳米导线阵列的排列形状对其场发射性能的影响较小,而阵列间距则是影响场发射性能的关键因素:当RR0时,场发射增强因子基本不变,其中R0为导线阵列场发射的最佳间距.进一步研究表明改变纳米导线阵列的数目基本不会改变阵列的场发射性能随间距的变化趋势,但是随着阵列数目的增加,R0会有一定程度的减小,场发射增强因子也会降低.
- 罗敏王新庆葛洪良王淼徐亚伯陈强李利培陈磊管高飞夏娟江丰
- 关键词：纳米导线场发射
