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祝侃

作品数:6 被引量:12H指数:2
供职机构:北京理工大学更多>>
发文基金:教育部留学回国人员科研启动基金更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 4篇纳米
  • 4篇纳米晶
  • 3篇溅射
  • 3篇磁控
  • 3篇磁控溅射
  • 2篇滤波器
  • 2篇二氧化锡薄膜
  • 2篇SNO
  • 2篇叉指电极
  • 2篇衬底
  • 2篇衬底温度
  • 1篇导电薄膜
  • 1篇导电特性
  • 1篇电极
  • 1篇电特性
  • 1篇压电薄膜
  • 1篇射频
  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控溅射
  • 1篇射频滤波器

机构

  • 6篇北京理工大学

作者

  • 6篇祝侃
  • 5篇王占和
  • 2篇郝群
  • 2篇蒋耘晨
  • 1篇陈越洋
  • 1篇蒋煜婧

传媒

  • 2篇光学技术
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇第十一届全国...
  • 1篇第五届全国微...

年份

  • 2篇2002
  • 4篇2001
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
高频声表面波滤波器的技术研究
该课题将研究声面波滤波器的重点内容放在了研究新型压电材料和激发谐波两方面.主要包括三个部分的内容,它们是:压电薄膜ZnO的制备;叉指电极的结构设计和频率响应的模拟;SAW滤波器分立器件的制作与测量.获得了在长有SiO<,...
祝侃
关键词:ZNO压电薄膜声表面波滤波器叉指电极射频磁控溅射
文献传递
纳米晶SnO_(2)透明导电薄膜的研制被引量:12
2001年
阐述了金属氧化物透明导电薄膜研究的发展情况及其应用前景。介绍了采用磁控溅射技术 ,使用混合气体Ar和O2 ,在衬底温度为 15 0~ 40 0℃的耐热玻璃基片上制备纳米晶SnO2 :Sb透明导电薄膜 ,通过测定X射线衍射谱 ,表明薄膜择优取向为 [110 ]和 [2 11]方向。测量了SnO2 :Sb薄膜的导电特性随衬底温度及氧分压的变化。光学特性测量结果表明薄膜具有较高的透过率。
王占和郝群祝侃
关键词:磁控溅射导电特性
衬底温度对纳米晶SnO_2薄膜结晶特性的影响
2002年
阐述了金属氧化物SnO2纳米薄膜研究的发展情况及其应用前景,介绍了采用磁控溅射技术,使用混合气体Ar和O2,在衬底温度为150~400℃的耐热玻璃基片上制备了纳米晶SnO2∶Sb透明导电薄膜。通过测定x射线衍射谱,表明薄膜择优取向为[110]和[211]方向,SnO2∶Sb薄膜的结晶特性随衬底温度变化。
王占和蒋耘晨祝侃
关键词:纳米晶二氧化锡薄膜衬底温度
谐波法设计SAW射频滤波器的计算机模拟
首先简述了通过改变叉指电极的结构,可以激发声表面波的高次谐波,使滤波器工作在高次谐波上,可以降低制作叉指电极的光刻工艺难度.同时提出了一种利用叉指电极的等效电路来计算叉指电极频率响应的方法,此方法可以灵活简便地应用于多种...
祝侃王占和陈越洋
关键词:频率响应射频器件
文献传递
纳米晶氧化锡薄膜的接触特性被引量:2
2001年
在 Ar和 O2 气体中 ,基片温度在 15 0~ 40 0℃的条件下 ,用直流磁控溅射的方法可以制备纳米晶透明导电薄膜。实验利用 TL M模型测试了纳米晶 Sn O2 透明导电薄膜的方块电阻。
王占和郝群祝侃蒋煜婧
关键词:纳米晶电极传输线模型接触特性
衬底温度对纳米晶SnO2薄膜结晶特性的影响
本文阐述了金属氧化物SnO<,2>纳米薄膜研究的发展情况及其应用前景,介绍了采用磁控溅射技术,使用混合气体Ar和O<,2>,在衬底温度为150~400℃的耐热玻璃基片上制备纳米晶SnO<,2>:Sb透明导电薄膜,通过测定...
王占和蒋耘晨祝侃
关键词:磁控溅射纳米晶FE-SEM二氧化锡薄膜
文献传递
共1页<1>
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