王青鹏
- 作品数：3 被引量：0H指数：0
- 供职机构：大连理工大学更多>>
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- 相关领域：电子电信更多>>
- 干法刻蚀辅助型GaN MOSFET的器件工艺及电学特性研究
- GaN半导体具有禁带宽度大、临界击穿电场高、载流子饱和漂移速度高等优异特性,是制造大功率、高频、高温等器件的理想材料。与AlGaN/GaN HEMT相比,GaN MOSFET具有栅漏电流小、栅电压工作范围大、不需额外栅极...
- 王青鹏
- 关键词：氮化镓MOSFET
- 文献传递
- GaN MOSFET表征方法及工艺依赖性研究
- GaN作为第三代半导体，和传统的Si相比具有更大的禁带宽度，更高击穿电场、更高的电子饱和速度等优点，使得其在高温，高频，大功率等场合具有令人瞩目的应用前景。研究人员已经做出了性能优良的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管...
- 王青鹏
- 关键词：干法刻蚀迁移率
- 文献传递
- GaN MOSFET的设计制作及其表征
- 2012年
- 探讨了GaN MOSFET的几种实现方法及其原理,采用标准的光刻剥离工艺,成功设计并制作出了3种不同结构的GaN MOSFET,最后对其沟道迁移率及界面态密度等进行了表征,并对实验结果中出现的一些现象进行了分析。实验结果表明,采用掺杂A1GaN异质结结构的GaN MOSFET,其沟道迁移率达到151.1 cm^2·V^(-1)·s^(-1),界面态密度达1.31×10^(11)个/(cm^2·eV),是一种较理想的GaN MOSFET结构。
- 王青鹏江滢敖金平王德君
