王燕
- 作品数：56 被引量：16H指数：3
- 供职机构：中国工程物理研究院核物理与化学研究所更多>>
- 发文基金：中国工程物理研究院科学技术发展基金国家自然科学基金中国工程物理研究院科技发展基金更多>>
- 相关领域：理学核科学技术机械工程文化科学更多>>
- 用于自旋回波准弹中子散射谱仪的极化中子自旋翻转装置
- 本发明提供了一种用于用于自旋回波准弹中子散射谱仪的极化中子自旋翻转装置，包括矩形线圈骨架、矩形线圈和两个相对于矩形线圈对称排布圆线圈，所述矩形线圈绕制在矩形线圈骨架上，矩形线圈骨架中心位置开设有圆形的中子束流窗口，所述两...
- 屈正王燕庞蓓蓓王云王宗悦屠小青
- 一种用于自旋回波小角中子散射谱仪的进动磁场生成装置
- 本发明提供了一种用于自旋回波小角中子散射谱仪的进动磁场生成装置，该装置包括电磁铁线圈、电磁铁磁极、电磁铁磁轭及线圈出线盒。所述装置采用大型直流电磁铁和极板台阶结构，生成了高均匀性的方形磁场；极板边缘设计了与极板一体化加工...
- 屠小青王燕孙光爱黄朝强庞蓓蓓吴瞻宇王云王宗悦曹晓峰潘建
- 中子反射谱仪的闸门与会聚导管组合设计被引量：2
- 2009年
- 为提高水平散射几何中子反射谱仪的前端束流特性,针对前端闸门与会聚中子导管的组合设计进行了优化计算。根据闸门通道截面、会聚导管入、出口截面及相应内表面超镜因子不同分成多组,采用数值方法对多个组合设计进行优化计算。结合水平散射几何中子反射谱仪的客观需求进行比较分析,选取比较理想的组合。计算结果表明:会聚导管的最佳组合是采用水平面会聚,垂直面不会聚,而闸门内表面超镜因子选为2,会聚导管水平面超镜因子为3,垂直面超镜因子为2。通过多组比较分析,获得了水平散射几何中子反射谱仪的前端闸门与会聚导管的相关物理参数的优化组合,为谱仪的概念设计奠定了基础。
- 李新喜王燕黄朝强陈波
- 关键词：中子反射谱仪闸门组合优化
- 针对铁样品的中子衍射应力分析谱仪模拟实验
- 2014年
- 利用丹麦RISΦ国家实验室和法国ILL研究所共同开发的蒙特卡罗程序McStas模拟计算了在完美硅单晶双聚焦单色器不同起飞角（10°～120°）下α-Fe样品（110）面的衍射峰强度和半高宽，由此计算了品质因子的值。模拟了固定起飞角为50°时α-Fe样品多个衍射面的衍射峰强度和半高宽。最后考察了圆柱形样品的半径对强度和半高宽的影响。模拟结果可为中子衍射应力分析谱仪的设置和运行提供必要的参考数据。
- 陈彦舟谢雷王燕王虹孙光爱陈波
- 中子小角散射谱仪Q分辨率计算和对形状因子影响分析被引量：2
- 2011年
- 介绍了中子小角散射谱仪分辨率函数及其相关的Q标准差计算方法,分析了Q标准差有关谱仪的几何布局、中子的波长弥散对其的影响。介绍了一维Q分辨高斯函数计算方法。结合两个具体谱仪布局和一个理想实心球体的形状因子曲线,卷积得到了不同谱仪布局下形状因子的弥散曲线,对精确分析中子小角散射数据,应结合使用谱仪分辨率函数。
- 陈良彭梅王燕孙良卫陈波
- CrAlN/TiAlN纳米多层膜界面结构的中子与X射线反射研究
- 2016年
- 采用反应磁控溅射技术在单晶硅基片上制备了CrN纳米单层膜和CrAlN/TiAlN纳米周期膜,利用非极化中子和X射线反射对膜层厚度、膜层界面粗糙度、界面扩散等表面、界面结构和性质进行了系统研究。中子反射测得的CrN纳米单层膜和CrAlN/TiAlN纳米周期膜的厚度与设计厚度的差别为3.8%~4.2%。散射长度密度（SLD）分析结果表明,膜层间和膜层与基底间界面较为清晰,扩散较少。X射线反射测得的膜层厚度较中子反射测得的膜层厚度偏高,对于较小调制周期的多层膜,界面弥散会对X射线反射结果产生较大误差。
- 杜晓明王敏鹏王燕李新喜张罡黄朝强吴二冬
- 中子粉末衍射谱仪束流的椭圆聚焦镜设计
- 2013年
- 为使中子粉末衍射谱仪满足小样品研究需要,设计了一维椭圆聚焦镜系统并对参数进行了优化,同时对椭圆聚焦镜的相关参数做了较为详细讨论。采用椭圆解析计算和中子追迹程序McStas模拟两种方法,计算了椭圆聚焦镜参数对样品处中子注量率的影响,并以样品处中子注量率最大化为目标给出了优化参数,结果表明,在单色器(椭圆左焦点)到样品(椭圆右焦点)距离为2.7m情况下,采用超镜因子为3、长度为25cm的椭圆聚焦镜,其最佳位置为距离样品560mm处、椭圆长半轴为1 350.016mm,从而可以提高样品处注量率7倍。
- 黄朝强王燕孙光爱李新喜陈波
- 含氢氦锆膜的中子反射及弹性反冲探测表征
- 2019年
- 采用直流磁控溅射方法制备含氢氦的锆膜,利用中子反射和弹性反冲探测两种方法分别对样品中的氢、氦分布以及浓度进行表征,并探究了不同温度退火处理后H、He的变化.实验结果表明:中子反射与弹性反冲探测两种方法的表征结果具有很好的一致性,H、He在锆层中近似均匀分布,氦浓度与溅射的He/Ar比成正比.300℃退火处理1 h后,样品中的H从Zr层向外迁移和释放,且这种现象随退火温度升高到500℃时更加明显.
- 夏婷杨朝文任建坤李新喜王燕黄朝强
- 关键词：磁控溅射真空退火
- 中子反射谱仪的四盘斩波器设计及模拟计算
- 不同的实验样品精度需求对中子反射谱仪的分辨要求不同。为实现反射谱仪中的中子斩波器的斩波特性可调,斩波器设计采用四斩盘结构。设计原理主要是变换使用第三和第四斩盘,利用第三盘和第四盘与第二盘间距的不同,结合斩盘转速的调节,从...
- 李新喜王燕黄朝强陈波
- 关键词：模拟计算
- 文献传递
- 一种基于软磁薄膜的中子自旋翻转装置及其应用
- 本发明提供了一种基于软磁薄膜的中子自旋翻转装置及其应用，所述装置包括软磁薄膜、用于安装软磁薄膜的薄膜支架、与薄膜支架连接的位置调节机构、及用于固定支撑位置调节机构的固定支架。本发明装置采用软磁薄膜作提供面内局部强磁场，该...
- 王亭亭屠小青伊圣振王燕王云王宗悦
- 文献传递
