王保柱
- 作品数：8 被引量：45H指数：4
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- 氢化纳米硅薄膜中氢的键合特征及其能带结构分析被引量：21
- 2006年
- 对氢化纳米硅薄膜中氢的键合特征和薄膜能带结构之间的关系进行了研究.所用样品采用螺旋波等离子体化学气相沉积技术制备,利用Raman散射、红外吸收和光学吸收技术对薄膜的微观结构、氢的键合特征以及能带结构特性进行了分析.Raman结果显示不同衬底温度下所生长薄膜的微观结构存在显著差异,从非晶硅到纳米晶硅转化的衬底温度阈值为200℃.薄膜中氢的键合特征与薄膜的能带结构密切相关.氢化非晶硅薄膜具有较高的氢含量,因键合氢引起的价带化学位移和低衬底温度决定的结构无序性,使薄膜呈现较大的光学带隙和带尾宽度.升高衬底温度主要导致氢化纳米硅薄膜中纳米硅界面的键合氢含量增加,使薄膜光学带隙和带尾宽度呈减小趋势,该结果主要关联于键合氢对纳米晶粒表面悬键的中止作用.对应更高的衬底温度,因薄膜中的氢不能完全中止纳米晶粒界面的悬键,使薄膜能带带尾加宽.
- 于威张立王保柱路万兵王利伟傅广生
- 关键词：螺旋波等离子体微观结构
- 氢化非晶氮化硅薄膜的光学特性研究被引量：4
- 2003年
- 采用螺旋波等离子体增强化学气相沉积 (HWP -CVD)技术以SiH4 和N2 为反应气体沉积了氮化硅 (SiN)薄膜 ,利用傅里叶红外吸收谱 (FTIR)、紫外 -可见透射谱 (UV -VIS)等对薄膜的键合结构、光学带隙等参量进行了测量与分析 .结果表明 ,采用HWP -CVD技术能在较低的衬底温度下制备低H含量的SiN薄膜 ,所沉积的薄膜主要表现为Si -N键合结构 .适当提高N2 /SiH4 比例将有利于薄膜中H含量的降低 .
- 于威侯海虹王保柱刘丽辉傅广生
- 关键词：螺旋波等离子体光学带隙化学气相沉积
- 螺旋波等离子体化学气相沉积法制备纳米碳化硅薄膜被引量：5
- 2003年
- 采用螺旋波等离子体化学气相沉积 (HWP CVD)技术在Si(10 0 )和石英衬底上合成了具有纳米结构的碳化硅薄膜。通过X射线衍射 (XRD)、傅立叶红外透射 (FTIR)和原子力显微镜 (AFM)等技术对所制备薄膜的结构、组分和形貌进行了分析 ,利用光致发光技术研究了样品的发光特性。分析表明 ,在 70 0℃的衬底温度和 1.33Pa的气压条件下所制备纳米SiC薄膜的平均颗粒度在 3nm以下 ,红外透射谱主要表现为Si C吸收。结果说明HWP CVD为制备高质量纳米SiC薄膜的有效技术 ,所制备样品呈现出室温短波长可见发光特性 ,发光谱主峰位于 395nm附近。
- 于威王保柱孙运涛韩理傅广生
- 关键词：螺旋波等离子体化学气相沉积法
- 一种螺旋波等离子体增强化学气相沉积装置
- 一种螺旋波等离子体增强化学气相沉积装置，属于等离子体加工设备技术领域，用以实现射频功率的稳定和有效馈入并能有效防止螺旋波等离子体的跳模现象，其技术方案是：该装置包括外部高压电源、激发螺旋波等离子体的天线、绝缘电介质管、高...
- 于威路万兵傅广生刘丽辉王保柱
- 文献传递
- 螺旋波等离子体制备纳米硅薄膜及过程诊断
- 本工作采用螺旋波等离子体化学气相沉积(hwp-cvd)技术制备了纳米硅薄膜。通过拉曼（raman）光谱，傅立叶红外吸收谱（ftir），x射线衍射（xrd）、紫外-可见透射（uv-vis）谱和原子力显微镜（afm）等多种检...
- 王保柱
- 关键词：螺旋波等离子体纳米硅薄膜
- 文献传递网络资源链接
- 一种螺旋波等离子体增强化学气相沉积装置
- 一种螺旋波等离子体增强化学气相沉积装置，属于等离子体加工设备技术领域，用以实现射频功率的稳定和有效馈入并能有效防止螺旋波等离子体的跳模现象，其技术方案是：该装置包括外部高压电源、激发螺旋波等离子体的天线、绝缘电介质管、高...
- 于威路万兵傅广生刘丽辉王保柱
- 螺旋波等离子体沉积纳米硅薄膜结构特性被引量：3
- 2004年
- 采用螺旋波等离子体化学气相沉积(HWPCVD)技术,以SiH_4作为源反应气体在Si(100)和玻璃衬底上制备了纳米Si薄膜。通过X射线衍射(XRD)、Raman光谱、原子力显微镜(AFM)对所制备的材料结构和形貌等特性进行表征,分析了纳米Si薄膜结构随衬底温度变化的规律。实验结果表明,在较低的衬底温度(100-300℃)范围内,可以实现高晶化度纳米Si薄膜的沉积,颗粒大小在4-8nm之间,样品的晶化度随着衬底温度升高而升高,晶粒大小也随之增大,样品表面光滑,晶粒分布均匀。
- 于威朱海丰王保柱韩理傅广生
- 关键词：纳米硅薄膜结构特性
- 螺旋波等离子体化学气相沉积纳米硅薄膜的光学发射谱研究被引量：13
- 2005年
- 利用光学发射谱技术对螺旋波等离子体化学气相沉积纳米硅薄膜的等离子体内活性粒子的光发射特征进行了原位测量 .研究了薄膜沉积过程中各实验参量对活性基团SiH ,Hβ 以及Hα 的发射谱强度的影响 .实验结果表明 ,静态磁场的加入可显著提高反应气体的解离效率 ;适当的氢稀释可以提高氢活性粒子的浓度 ,而过高的氢稀释比将使含硅活性基团浓度显著减小 ;提高射频馈入功率整体上可以使各活性粒子的浓度增加 ,并有利于提高到达衬底表面氢活性粒子的相对比例 .结合螺旋波等离子体色散关系和等离子体特点对以上结果进行了分析 .该结果为螺旋波等离子体沉积纳米硅薄膜过程的理解及制备工艺参数的调整提供了基础数据 .
- 于威王保柱杨彦斌路万兵傅广生
- 关键词：光学发射谱纳米硅薄膜
