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杜伟华

作品数:7 被引量:12H指数:3
供职机构:河北工业大学信息工程学院更多>>
发文基金:河北省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 6篇电子电信

主题

  • 6篇激光
  • 6篇激光器
  • 4篇半导体
  • 4篇半导体激光
  • 4篇半导体激光器
  • 2篇腔面
  • 2篇功率半导体
  • 2篇大功率半导体
  • 1篇淀积
  • 1篇镀膜
  • 1篇压应变
  • 1篇气相淀积
  • 1篇斜率效率
  • 1篇量子阱激光器
  • 1篇金属有机物
  • 1篇金属有机物化...
  • 1篇可靠性
  • 1篇化学气相淀积
  • 1篇激光器腔面
  • 1篇工作寿命

机构

  • 6篇河北工业大学
  • 5篇中国电子科技...

作者

  • 6篇杜伟华
  • 5篇陈国鹰
  • 4篇李雅静
  • 3篇杨红伟
  • 2篇陈宏泰
  • 2篇王晓燕
  • 2篇安振峰
  • 2篇王薇
  • 1篇彭海涛
  • 1篇花吉珍
  • 1篇赵润
  • 1篇齐志华

传媒

  • 3篇微纳电子技术
  • 1篇半导体技术
  • 1篇光电工程

年份

  • 2篇2009
  • 4篇2008
7 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
大功率半导体激光器腔面处理方法
2009年
介绍了采用非注入电流腔面和透明窗口减小腔面电流的方法。减小腔面非辐射复合的方法包括采用高真空下解理、镀膜防止腔面氧化;采用真空等离子洗或化学气体腐蚀清除腔面氧杂质沾污。论述了合适的腔面膜系组合和膜系组分有利于减小腔面膜层应力,改善散热能力。指出将抑制腔面电流、防止腔面氧化等方法组合,再加上合理的结构设计和热管理等综合应用,以及将半导体材料-镀膜膜层交界面处于光驻波波谷,可有效提高器件的灾变光学镜面损伤(COMD)阈值。
花吉珍齐志华杨红伟杜伟华陈国鹰
关键词:半导体激光器可靠性
808nm大功率连续半导体激光器研究被引量:4
2008年
利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)技术,生长了AlGaInAs/AlGaAs分别限制压应变单量子阱材料,利用该材料制成3mm宽、填充因子20%的半导体激光器阵列(版型100μm/500μm,6个发光单元),通过腔面反射率设计确定了最佳反射率,采用CS载体标准封装。在输入电流8A、水冷19℃条件下测试,输出功率达到8.4W,阈值电流为1.8A,斜率效率为1.26W/A,功率转换效率为59.4%,波长为805.7nm,光谱半宽为1.8nm;输入电流12A时,输出功率达到13W,斜率效率为1.22W/A,功率转换效率为58.9%,波长为807.9nm,光谱半宽为2.0nm。
杜伟华杨红伟陈宏泰李雅静王薇陈国鹰
关键词:金属有机物化学气相淀积压应变半导体激光器斜率效率
808nm半导体激光器的腔面反射率设计被引量:6
2008年
通过对不同腔长的808nm半导体激光器单管进行P-I测试,提取出了材料内部参数,如内量子效率、内损耗、透明电流密度、模式增益等。根据得出的内部参数进行了腔面反射率设计,分析腔面反射率与功率转换效率的关系,得出了关系曲线。进行腔面镀膜实验,把实验值与计算值相比较,二者相吻合。通过这种腔面反射率设计方法,可以得到半导体激光器的最大功率转换效率,从而使其工作于优化状态下。
杜伟华杨红伟陈国鹰陈宏泰李雅静彭海涛
关键词:反射率镀膜功率转换效率腔面
小发散角量子阱激光器研究被引量:3
2008年
使用三层平板波导理论分析了半导体量子阱激光器远场分布。针对大功率激光器讨论了极窄和模式扩展波导结构方法减小垂直方向远场发散角,得到了极窄波导结构量子阱激光器远场分布的简化模型,获得了垂直发散角的理论值,垂直方向远场发散角减小为28.6°;使用传输矩阵方法模拟了模式扩展波导结构量子阱激光器的近场光斑及远场分布,垂直方向远场发散角减小为16°。实验测试了极窄和模式扩展波导结构量子阱激光器的垂直发散角,理论结果与实验测试获得的发散角基本一致,实现了降低发散角的要求,获得了小发散角量子阱激光器。
李雅静安振峰陈国鹰王晓燕赵润杜伟华王薇
关键词:量子阱激光器波导结构发散角
大功率半导体激光器高效率设计
由于具有较高的输出功率和功率转换效率,大功率半导体激光器被广泛应用于泵浦固体激光器、激光加工、打印、光存储、光通讯及激光医疗等领域。功率、效率和可靠性是衡量半导体激光器性能的三个关键性指标。提高激光器的功率转换效率可以使...
杜伟华
关键词:半导体激光器
文献传递
有Al激光器和无Al激光器的工作寿命对比研究
2009年
为了证明无Al激光器在可靠性方面优于有Al激光器,对InGaAsP/GaAs无Al和AlGaInAs/AlGaAs/GaAs有Al的808 nm大功率半导体激光器进行了常温下电流步进加速老化寿命试验,介绍了半导体激光器寿命试验的理论依据,给出寿命试验的数学模型,据此得到了器件在常温电流步进条件下的寿命,利用最小二乘法拟和得到加速老化的加速方程,从而推算出激光器的特征寿命,分析了有Al激光器和无Al激光器寿命对比结果,提出了材料中含Al对器件可靠性的一些不良影响,无Al激光器可靠性明显优于有Al激光器。
李雅静安振峰陈国鹰王晓燕杜伟华
共1页<1>
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