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徐青芳

作品数：16 被引量：2H指数：1
供职机构：武汉理工大学更多>>
相关领域：一般工业技术建筑科学电气工程金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇专利
  • 2篇学位论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 5篇一般工业技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程
  • 1篇建筑科学

主题

  • 7篇气相沉积
  • 7篇化学气相
  • 7篇化学气相沉积
  • 7篇激光
  • 7篇激光化学气相...
  • 6篇碳化硅
  • 6篇基板
  • 6篇壁式
  • 4篇石墨
  • 3篇碳化硅涂层
  • 3篇体缺陷
  • 3篇稀释气
  • 3篇晶体
  • 3篇晶体缺陷
  • 2篇电极
  • 2篇多孔
  • 2篇石墨烯
  • 2篇碳化硅晶须
  • 2篇热膨胀
  • 2篇热膨胀系数

机构

  • 16篇武汉理工大学

作者

  • 16篇徐青芳
  • 13篇章嵩
  • 13篇涂溶
  • 11篇张联盟
  • 1篇戴红莲
  • 1篇杨梅君
  • 1篇陈虎
  • 1篇李翠翠
  • 1篇钟景波
  • 1篇沈卫国
  • 1篇谭昱
  • 1篇吴磊

传媒

  • 1篇混凝土

年份

  • 1篇2024
  • 3篇2023
  • 2篇2022
  • 2篇2019
  • 4篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2012
共 16 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种二维三元过渡金属碳化物及其制备方法
本发明涉及一种二维三元过渡金属碳化物及其制备方法，所述二维三元过渡金属碳化物具有单晶结构，内部各种元素分布均匀，平面尺寸为10～100μm。本发明提供的二维三元过渡金属碳化物平面尺寸较大，具有单晶结构，且厚度及尺寸可通过...
章嵩张翅腾飞徐青芳李宝文涂溶
一种碳化硅薄膜的制备方法
本发明涉及一种立方碳化硅薄膜的制备方法，包括以下步骤：将清洗后的基板放入冷壁式激光化学气相沉积装置的基板座上，抽真空；通入适量氩气；打开激光照射基板表面，待基板温度升至设定沉积碳化硅薄膜的温度，并保持稳定；打开含有HMD...
章嵩徐青芳涂溶张联盟
一种在石英玻璃表面沉积碳化硅涂层的方法
本发明涉及一种在石英玻璃表面沉积碳化硅涂层的方法，具体步骤如下：1)抽真空使沉积腔内压强降到10Pa以下；2)向沉积腔内通入氢气，调节沉积腔内压强为200～2000Pa，加载激光对石英玻璃表面进行刻蚀；3)将沉积腔内抽真...
章嵩徐青芳杨梅君涂溶张联盟
激光化学气相沉积法制备<111>-3C-SiC薄膜
3C-SiC因具有高耐热性（升华温度3000 K）、高硬度（莫氏硬度9.5级，仅次于金刚石）、高电子迁移率（1000 cm-2(V·s)-1）、高饱和电子漂移速率（2.7×107cm· s-1）等优良性能而被广泛应用。<...
徐青芳
关键词：沉积速率晶体缺陷
文献传递
一种高通量制备薄膜或涂层的方法
本发明涉及一种高通量制备薄膜或涂层的方法，在LCVD设备基础上加装光路控制系统，所述LCVD设备激光光源半径为r，所述加装光路控制系统包括沿激光入射方向设置的透镜组，激光通过透镜组在基板表面形成面积为S，半径为h的圆形束...
章嵩刘子鸣徐青芳涂溶张联盟
一种抗热震碳化硅纳米多孔涂层材料及其制备方法与应用
本发明涉及一种抗热震碳化硅纳米多孔涂层材料及其制备方法与应用，所述涂层材料下层为碳化硅纳米颗粒组成的致密层，上层为枝状碳化硅纳米晶须组成的多孔层，并且多孔层从底部到顶部碳化硅晶须逐渐增长，呈发散状态。本发明提供的碳化硅纳...
章嵩王崇杰徐青芳涂溶张联盟
文献传递
一种基于碳化硅/石墨烯材料的电化学传感器及其制备方法和应用
本发明提供一种基于碳化硅/石墨烯材料的电化学传感器及其制备方法和应用，所述电化学传感器采用三电极体系，以碳化硅/石墨烯材料修饰的硅电极为工作电极，饱和甘汞电极为参比电极，铂片电极为对电极；所述碳化硅/石墨烯材料修饰的硅电...
涂溶李翠翠徐青芳章嵩戴红莲
一种立方碳化硅薄膜的制备方法
本发明公开了一种立方碳化硅薄膜的制备方法，包括如下步骤：(1)将单晶硅基板放入冷壁式激光化学气相沉积装置的基板座上，抽真空，并设置基板座温度升至100～900℃；(2)将含HMDS的载流气通入反应器内，HMDS的流量为1...
章嵩徐青芳涂溶张联盟
文献传递
一种CVD碳化硅材料的制备方法
本发明涉及一种CVD碳化硅材料的制备方法，包含如下步骤：将基板置于冷壁式化学气相沉积腔体中的加热台上，将真空度调至10Pa以下，预热基板，保温。以稀释气Ar将前驱体HMDS带入反应腔体，调节反应腔体压强(P<Sub>de...
涂溶徐青芳章嵩张联盟
文献传递
激光化学气相沉积法制备立方碳化硅-石墨烯薄膜
立方碳化硅（3C-SiC）具有高电子迁移率、高导热率、宽禁带、耐高温、耐腐蚀及合成温度低等优异性能;石墨烯具有超高载流子迁移率及超高力学强度等奇特性能。本研究采用激光化学气相沉积法（LCVD）制备3C-SiC－石墨烯薄膜...
徐青芳
关键词：石墨烯激光化学气相沉积电学性能
文献传递
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共2页<12>
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