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徐国定

作品数：6 被引量：15H指数：2
供职机构：河南大学物理与信息光电子学院更多>>
发文基金：河南省自然科学基金更多>>
相关领域：理学机械工程自动化与计算机技术一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 5篇理学
  • 3篇机械工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇光谱
  • 1篇电流
  • 1篇电子特性
  • 1篇多孔硅
  • 1篇荧光
  • 1篇荧光光谱
  • 1篇矢势
  • 1篇透射
  • 1篇透射光
  • 1篇透射光谱
  • 1篇全息
  • 1篇全息存储
  • 1篇全息术
  • 1篇周期极化
  • 1篇转移矩阵
  • 1篇准相位匹配
  • 1篇相位匹配
  • 1篇离子
  • 1篇离子对
  • 1篇金属

机构

  • 6篇河南大学
  • 1篇郑州师范高等...

作者

  • 6篇徐国定
  • 4篇黄明举
  • 1篇顾玉宗
  • 1篇王清林
  • 1篇王素莲
  • 1篇张兴堂
  • 1篇毛艳丽
  • 1篇莫育俊
  • 1篇李桢
  • 1篇李继恺
  • 1篇丁菲

传媒

  • 4篇河南大学学报...
  • 1篇Chines...
  • 1篇广西物理

年份

  • 1篇2005
  • 1篇2004
  • 1篇2001
  • 1篇2000
  • 2篇1998
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
稳恒和交变电流系的矢势多极展开
1998年
以矢量分析和张量分析为基础，给出了小区域内稳恒电流系和交变电流系矢势多极展开的共同方法。
徐国定裴红云黄明举
NaCl的层厚度对NaCl-Si(111)界面电子特性的影响
1998年
根据Ｙａｎｉｖ的界面理论，利用紧束缚近似下的格林函数方法，研究了绝缘体ＮａＣｌ的层厚度对ＮａＣＬＳｉ（１１１）界面电子特性的影响．结果表明，（１）Ｓｉ上覆盖一层ＮａＣｌ时，导致局域在Ｓｉ一边的价带态密度显著降低和导带态密度显著升高，这可能是由于ＮａＣｌ的离子性将Ｓｉ的价带电子排斥到导带的缘故；（２）当ＮａＣｌ层厚增加时，局域在Ｓｉ一边的态密度几乎不受影响，这与ＮａＣＬＳｉ（１１１）界面热垒形成和费米能级钉扎有关．
徐国定李继恺黄明举
关键词：格林函数电子特性绝缘体厚度
周期极化的LiNbO_3中二次谐波的产生与偏振控制被引量：1
2004年
在同一块LiNbO3晶体中,实现二次谐波的产生(SHG)及偏振控制.具体设计方法是,将一块z切的LiNbO3极化成周期不同的两个部分,在第一部分利用非线性光学效应产生二次谐波;在第二部分利用电光效应对二次谐波进行偏振控制.
李桢王素莲徐国定
高密度数字全息存储方案的比较被引量：6
2001年
介绍了全息存储的基本原理 ,总结了多种实现高密度海量全息存储的复用方案 ,对这些方案进行了比较与评价 .
黄明举徐国定顾玉宗毛艳丽丁菲
关键词：全息术高密度全息存储复用技术计算机
含有Fibonacci缺陷的周期超晶格的透射光谱被引量：1
2005年
利用转移矩阵方法,讨论了F ibonacc i缺陷、光学厚度调制、入射角对周期超晶格透射光谱的影响.
徐国定王清林
关键词：转移矩阵超晶格透射光谱
Er^(3+)、In^(3+)等金属离子对多孔硅光致发光性质的影响被引量：7
2000年
用阳极腐蚀的方法制备了多孔硅样品，用电化学方法在多孔硅中注入Er3+、In3+等金属离子，并对注入离子后多孔硅的光致荧光光谱进行了研究，结果表明：注入Er3+及In3+后的多孔硅在588nm处的发光峰强度大大增加，同时发光峰稍有展宽。随着离子注入时间的增长，强度继续增加，但当离子溶液浓度一定时，这种增强对时间具有饱和性．
黄明举徐国定张兴堂莫育俊
关键词：多孔硅荧光光谱光致发光铒
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共1页<1>
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