张金娟
- 作品数：4 被引量：2H指数：1
- 供职机构：河北师范大学更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金国家自然科学基金河北省教育厅科研基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学金属学及工艺一般工业技术更多>>
- 纳米SiC薄膜的发光与多孔SiO<,2>：F薄膜介电特性研究
- 碳化硅(SiC)具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度大等优越特性，使其在蓝绿色发光二极管、紫外光电探测器、大功率和高温电子器件等方面倍受青睐。SiC是间接带隙半导体，提高SiC的发光效率和探讨它的发光机...
- 张金娟
- 关键词：介电特性
- 文献传递
- Ti(Cr)缓冲层对用于垂直磁记录材料CoCrTa介质磁特性和微结构的影响
- 2007年
- 利用直流对靶磁控溅射技术在单晶Si衬底上制备了C/CoCrTa/X(X=Cr,Ti)介质材料.分别采用振动样品磁强计、X射线衍射仪、扫描探针显微镜对样品的磁性、微结构等进行了测试分析.研究发现,Ti缓冲层有利于样品中Co晶粒的易轴垂直于膜面生长.以Ti为缓冲层的样品,颗粒尺寸和表面粗糙度较小,而且磁畴明显,说明以Ti为缓冲层的薄膜样品更适宜做垂直磁记录.
- 甄聪棉马丽张金娟刘英聂向富
- 关键词：COCRTA垂直磁记录缓冲层微结构
- 电化学腐蚀多孔硅的发光特性被引量：2
- 2008年
- 采用直流电化学腐蚀的方法在不同电流密度下制备了多孔硅样品.用SEM,FTIR,PL谱研究了制备样品的结构和发光特性.结果表明,多孔硅样品的发光强度和峰位与电流密度存在密切关系,制备的多孔硅存在378,470,714 nm的光致发光,对这几个发光峰的发光机理进行了讨论.
- 甄聪棉张金娟刘彩霞张永进
- 关键词：多孔硅电化学腐蚀光致发光量子限制效应
- 低介电常数材料纳米多孔SiO2特性研究
- 本文以正硅酸乙酯为先驱体,采用溶胶凝胶工艺结合旋转涂敷的制膜方法,在硅片和玻璃上制备了具有低介电常数的纳米多孔SiO2薄膜,研究了两种不同的催化方式和退火方式对薄膜性质的影响。
- 张金娟李世强甄聪棉刘彩霞
- 关键词：超大规模集成电路溶胶凝胶低介电常数纳米多孔二氧化硅薄膜
- 文献传递
