张玉
- 作品数：9 被引量：38H指数：3
- 供职机构：中国科学院研究生院更多>>
- 发文基金：“九五”国家科技攻关计划国家自然科学基金吉林省杰出青年科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信生物学一般工业技术更多>>
- 芯片连续流平板电色谱用于蛋白质的分离
- 本文将整体材料固定相通过原位光引发聚合引入自由流芯片分离腔中,在相对密封的环境下进行染料和FITC标记的蛋白质的分离,不仅有效地克服上述问题,而且获得了较好的分离效果。
- 王平利张丽华张玉
- 关键词：微流控芯片蛋白质分离
- 文献传递
- 多晶硅薄膜材料的准分子激光烧结制备与性能研究
- 在玻璃衬底上采用PECVD法制备a-Si:H薄膜基础上,采用308nmXeCl激光器对所制备的薄膜进行了激光晶化烧结,利用XRD、Raman、SEM及电学性能测试等方法对所制备多晶硅薄膜材料的结构与性能进行了研究.
- 邱法斌张玉骆文生刘传珍荆海黄锡珉
- 关键词：激光烧结多晶硅薄膜
- 文献传递
- 用Cat-CVD方法制备多晶硅薄膜与结构分析
- 以金属钨为催化热丝,采用热丝催化化学气相沉积,在300℃的玻璃衬底上沉积多晶硅薄膜.研究了H2稀释率、钨丝与衬底间的距离和反应室气体压力等沉积参数对成膜的影响,通过XRD分析确定本实验系统的最佳的多晶硅成膜条件.通过接触...
- 张玉高博李世伟付国柱高文涛荆海
- 关键词：多晶硅薄膜催化化学气相沉积
- 文献传递
- Cat-CVD方法低温制备多晶硅薄膜的技术研究
- 张玉
- 关键词：催化化学气相沉积多晶硅
- 金属诱导法低温多晶硅薄膜的制备与研究被引量：6
- 2000年
- 利用金属诱导晶化 (Metal Induced Crystallization,MIC)的方法研究了 a- Si/Ni的低温晶化 ,MIC的晶化温度降低到 440℃。采用 XRD、Raman、SEM和 XPS等手段研究了 Ni-MIC多晶硅薄膜的特性 ,分析了薄膜结构和组成 ,讨论了晶化过程的机理。
- 刘传珍杨柏梁杨柏梁张玉张玉李牧菊吴渊廖燕平廖燕平黄锡珉
- 关键词：晶化多晶硅薄膜退火
- Cat-CVD方法制备多晶硅薄膜的孕育层控制被引量：1
- 2007年
- 采用催化化学气相沉积法(Cat-CVD)制备多晶硅(p-Si)薄膜的初期会形成一层比较厚的非晶硅(a-Si)孕育层。这层孕育层作为p-Si的前驱生长物,给p-Si的晶化提供晶核,同时这层薄膜又存在较多的缺陷,严重影响了p-Si器件的性能。文章采用p-Si的间断生长,对预先沉积的a-Si孕育层进行数分钟的氢原子刻蚀,目的是刻蚀掉有严重缺陷的Si—Si键,保留与晶体硅匹配的Si—Si键,促进晶核形成,抑制孕育层的再生长。经XRD和SEM测试发现,间断p-Si的生长,经若干分钟的H原子处理后多晶硅很快就形成,结晶取向在(111)面上最强,晶粒尺寸平均为80nm。而传统方法连续生长20min的硅薄膜经XRD测试未出现多晶硅特征峰。结果表明,用Cat-CVD制备p-Si薄膜,间断生长过程,用氢原子处理预先沉积的一层a-Si孕育层,可以抑制孕育层的生长,提高了p-Si薄膜的晶化速率。
- 张玉荆海付国柱高博廖燕平李世伟黄金英
- 关键词：多晶硅薄膜晶核
- 用Cat-CVD方法制备多晶硅薄膜及结构分析被引量：3
- 2006年
- 以金属钨为催化热丝,采用热丝催化化学气相沉积,在300℃的玻璃衬底上沉积多晶硅薄膜。研究了H2稀释率、钨丝与衬底间的距离和反应室气体压力等沉积参数对制备多晶硅薄膜的影响,并通过XRD谱分析,确定了本实验系统的最佳多晶硅成膜条件:FR(SiH4)=5mL/min,FR(H2)=70mL/min,P=50Pa,L衬底与钨丝=7.5cm,T=30min,t衬底=300℃,特征峰在(111)面上。在接触式膜厚仪测量的基础上,计算出薄膜生长速率为0.6nm/s。对最佳成膜条件下制备的多晶硅薄膜进行刻蚀,形成不同的厚度,以便进行逐层分析。采用XRD和SEM方法对不同厚度的薄膜测试发现,随着薄膜厚度的减小,(111)面的XRD特征峰强度逐渐下降,(111)面上的晶粒尺寸基本没有变化,都是50nm左右。根据测试结果分析了薄膜的生长机制,提出了薄膜生长是分步成核,成核后沿(111)面纵向生长的观点。认为反应基元首先随机吸附在衬底上,在H原子的作用下在一些位置上成核,而在其他位置形成非晶相。已形成的晶核逐渐长大并沿(111)面纵向生长;已形成的非晶相也在生长,但上面不断有晶核形成。当薄膜达到一定厚度,非晶相表面完全被晶核占据,整个薄膜表面成为多晶相,此后整个薄膜处于沿(111)面的纵向生长阶段,直至反应结束,完整的晶粒结构呈柱状。
- 张玉高博李世伟付国柱高文涛荆海
- 关键词：多晶硅薄膜催化化学气相沉积
- 激光退火法低温制备多晶硅薄膜的研究被引量：25
- 2000年
- 利用激光退火的方式在低温下制备多晶硅薄膜，采用ＸＲＤ、ＳＥＭ等分析手段，进行了表征与分析，对晶化的阈值能量密度进行了计算，并对激光退火的机理进行了探讨。研究结果表明：ａ－Ｓｉ晶化的阈值能量密度与薄膜的厚度无关，在晶化区内，晶粒尺寸的大小随着照射到薄膜表面的激光能量密度的增加而增加。
- 刘传珍杨柏梁李牧菊吴渊张玉张玉邱法斌邱法斌
- 关键词：激光退火能量密度多晶硅薄膜
- 准分子激光烧结玻璃衬底上多晶硅薄膜材料的制备被引量：10
- 2001年
- 在 PECVD法制备 a- Si:H薄膜材料基础上 ,以 Xe Cl准分子激光烧结为手段 ,对在玻璃衬底上制备多晶硅薄膜材料的工艺条件进行了探索 ,利用 XRD、 SEM、 Raman光谱等分析测试手段对所制备材料的结构特征进行了表征。较高的衬底温度、合适的激光能量密度和脉冲频率 ,有利于获得高质量的多晶硅薄膜。
- 邱法斌骆文生张玉刘传珍荆海黄锡珉
- 关键词：多晶硅膜玻璃衬底
