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张树红

作品数：2 被引量：1H指数：1
供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇导体
  • 1篇电路
  • 1篇只读存储器
  • 1篇字库
  • 1篇微米
  • 1篇金属化
  • 1篇可靠性
  • 1篇集成电路
  • 1篇汉字库
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体器件
  • 1篇半导体物理
  • 1篇WN
  • 1篇超大规模集成
  • 1篇超大规模集成...
  • 1篇存储器
  • 1篇大规模集成电...
  • 1篇X

机构

  • 2篇清华大学

作者

  • 2篇蒋志
  • 2篇张树红
  • 1篇李志坚
  • 1篇周育诚
  • 1篇李瑞伟
  • 1篇吴正立
  • 1篇杨之廉
  • 1篇王水弟
  • 1篇徐葭生
  • 1篇施戈

传媒

  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇1997
  • 1篇1996
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
1-1.5微米成套工艺开发及1兆位汉字库只读存储器
李志坚杨之廉徐葭生李瑞伟蒋志吴正立周育诚张树红王水弟
“1-1.5微米成套工艺开发及1兆位汉字库只读存储器研制”是国家计委和机械电子部在“七五”期间下达的重点科技攻关项目，属于电子工业领域，它涉及发展我国超大规模集成电路(VLSI)所需的工艺技术、设计技术、测试技术和有关专...
关键词：
关键词：超大规模集成电路只读存储器
基于WN_x的金属化系统研究被引量：1
1997年
报道了扩散阻挡层材料氮化钨的结构特性随组分变化的情况。以二极管反向特性为主要检测手段，考察了基于氮化钨的Ａｌ／ＷＮ＿ｘ和Ａｌ／ＷＮ＿ｘ／Ｔｉ系统的热稳定性，发现Ａ１／ＷＮ，系统可以承受５５０”Ｃ、３０ｍｉｎ的退火，氮化钨的阻挡特性得到验证，但接触电阻特性有待改善。Ａｌ／ＷＮ＿ｘ／Ｔｉ系统由于钛层的引入可以降低接触电阻，但稳定性有所下降。通过实验，提出了一种可能实现的改进方案。
施戈张树红蒋志
关键词：半导体器件金属化可靠性半导体物理
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