左旭
- 作品数:12 被引量:14H指数:2
- 供职机构:南开大学更多>>
- 发文基金:国家重点基础研究发展计划中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域:理学一般工业技术电子电信电气工程更多>>
- d0铁磁性的第一原理计算研究
- 左旭曹学伟冯敏罗晓光王维华张耀方邵斌闭万毅龚盈颖刘晓城
- d0铁磁性的出现引发了一场关于磁性起源的争论,而第一原理计算对于揭示d0铁磁性的物理本质是不可或缺的.课题组采用第一原理计算方法系统地研究了实验上观察到的典型d0铁磁性体系.根据杂质带相对于宿主带隙的位置,课题组将d0铁...
- 关键词:
- 关键词:铁磁性
- 高温超导薄膜生长机理初探
- 本文在3×10×0.5mm3的LaAlO3(001)基片上,利用直流磁控溅射生长一层厚度约为700nm的非晶态Tl2Ba2CaCu2Ox先驱薄膜.将先驱薄膜与热处理过的Tl2Ba2Ca2Cu3Oy块材(作为Tl源)一起在...
- 赵新杰季鲁陈恩左涛周铁戈陈思阎少林方兰左旭
- 关键词:高温超导体超导薄膜薄膜生长
- 文献传递
- 基于空间映射算法的微波器件计算机自动辅助调谐的设计方法
- 基于空间映射算法的微波器件计算机自动辅助调谐的设计方法,可以准确高效的自动调谐微波器件。该方法调用电磁仿真程序建立微波器件的电磁模型,调用电路仿真程序建立微波器件的电路模型,将电磁模型参数集视为精确空间,将电路模型参数集...
- 闭万毅龚盈颖刘晓城白洁李扬左旭
- 文献传递
- 第一性原理研究HfO2薄膜中的磁性
- 2004 年,M.Venkatesan 等人[1]报道了未经掺杂的单斜结构的HfO2 薄膜中具有铁磁性,J.M.D.Coey[2]以及N.H.Hong [3]等人在实验上进一步证实了这一现象,很显然这一发现挑战了我们对传...
- 王敏左旭
- 关键词:HFO2氧空位磁性第一性原理计算
- 第一主族元素(Li,Na,K)和第二主族元素(Be,Mg,Ca)掺杂二维六方氮化硼单层的第一性原理计算研究被引量:2
- 2012年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法研究了第一、第二主族元素取代六方BN单层中的B的几何结构、磁性性质和电子结构.研究发现,掺杂的BN单层出现明显的自旋极化特性.对Li,Na,K而言,掺杂后超胞的总磁矩为2μB,对Mg,Ca而言,超胞的总磁矩为1μB,磁矩主要局域在与杂质原子最近邻的N原子上.而对于Be,超胞的总磁矩为0.705μB,磁矩分散在所有的N原子上.对于6种掺杂情况,给出了相应的自旋密度图.掺杂体系产生明显的杂质能级,给出了总态密度和局域投影态密度等结果,分析了杂质能级的产生.发现Mg和Ca掺杂体系的态密度具有明显的半金属特性.
- 刘越颖周铁戈路远左旭
- 关键词:第一性原理计算密度泛函理论
- 氧、硫掺杂六方氮化硼单层的第一性原理计算被引量:9
- 2013年
- 采用基于密度泛函理论和投影缀加平面波的第一性原理计算方法,研究了六方氮化硼单层(h-BN)中的氮原子缺陷(VN)、氧原子取代氮原子(ON)和硫原子取代氮原子(SN)时的几何结构、磁性性质和电子结构.研究发现,VN和ON体系形变较小,而SN体系形变较大;h-BN本身无磁矩,但具有N缺陷或者掺杂后总磁矩都是1μB;同时给出了态密度和能带结构.利用掺杂体系的局域对称性和分子轨道理论解释了相关结果,尤其是杂质能级和磁矩的产生.
- 张召富周铁戈左旭
- 关键词:第一性原理计算密度泛函理论分子轨道理论
- 用于下一代移动通信系统上的高温超导滤波器子系统被引量:3
- 2008年
- 对研制的高温超导滤波器子系统进行了介绍,它由一个相位自均衡的10阶高温超导滤波器、一个低温专用的低噪声放大器和制冷装置组成.高温超导滤波器的中心频率为1955MHz,相对带宽为0.51%,采用Sonnet仿真,并由双面Tl2Ba2CaCu2O8超导薄膜制作而成,衬底材料为0.5mm厚的LaAlO3.测试结果表明滤波器的最小插入损耗约为0.16dB,带外抑制好于75dB,下边带陡峭度为27dBMHz-1,上边带陡峭度为22dBMHz-1.滤波器子系统的增益为19.3dB,噪声系数为0.8dB.此外,还对高温超导滤波器的群时延失真进行讨论,并介绍了一种设计自均衡线性相位高温超导滤波器的有效方法.
- 左涛方兰赵新杰左旭周铁戈阎少林
- 关键词:高温超导滤波器子系统
- 第一性原理研究TiO2/SrTiO3界面处的磁性
- 王敏左旭
- 关键词:TIO2磁性第一性原理计算
- ZnO 掺Ti 体系铁磁性的第一性原理研究
- 邵斌左旭
- 关键词:铁磁性第一性原理计算
- Tl-2212本征约瑟夫森结型负阻器件及负阻放大器
- 本文利用Tl-2212超导薄膜制作出了的本征约瑟夫森结型负阻器件.对于4μm长3μm宽的微桥型负阻器件,峰值电压为0.09V,峰值电流为1.44mA,谷值电压为0.75V,谷值电流为1.05mA,线性区间内负阻阻值约为-...
- 周铁戈李永刚季鲁张旭赵新杰左旭阎少林方兰
- 关键词:超导薄膜超导电性负阻器件
- 文献传递