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孙霞光

作品数：4 被引量：2H指数：1
供职机构：东北大学理学院材料物理与化学研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术电气工程金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇分子束
  • 3篇分子束外延
  • 3篇超导
  • 1篇导电
  • 1篇电解
  • 1篇电解法制备
  • 1篇氧化物薄膜
  • 1篇制备及性能
  • 1篇熔盐
  • 1篇熔盐电解
  • 1篇硼化镁
  • 1篇外延法
  • 1篇二硼化镁
  • 1篇分子束外延法
  • 1篇YSR
  • 1篇BI
  • 1篇CA
  • 1篇CUO
  • 1篇超导电性
  • 1篇臭氧

机构

  • 3篇东北大学
  • 1篇东北师范大学

作者

  • 4篇孙霞光
  • 3篇张炳森
  • 3篇张彩碚
  • 3篇李茂林
  • 3篇祁阳
  • 3篇于晓明

传媒

  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇金属学报
  • 1篇第九届全国超...

年份

  • 3篇2008
  • 1篇2007
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
熔盐电解法制备二硼化镁膜的工艺研究
MgB2超导体由于其与同类的金属间化合物相比具有高的转变温度/(Tc=39K/)和高的临界电流密度/(可达105A//cm2/),与氧化物超导体相比具有易加工,易合成的优点,使其有可能得到比较广泛的应用。接头问题是超导强...
孙霞光
关键词：二硼化镁熔盐电解超导电性
文献传递
高浓度臭氧在分子束外延法制备Bi系氧化物薄膜中的应用被引量：2
2008年
利用硅胶吸附解吸臭氧原理自制了臭氧浓缩装置，通过此装置制备的高浓度臭氧作为分子束外延制备Bi系氧化物薄膜的氧化源．在臭氧浓缩装置中，硅胶温度保持在-85℃左右，工作6h，可获得浓度（摩尔分数）高于95％的臭氧．当臭氧浓缩装置中压强保持在1．3×10^3Pa，该臭氧浓度可维持5h以上．X射线衍射结果表明，制备的高浓度臭氧在高真空条件下可将Cu氧化成CuO，并以此为氧化源利用分子束外延在MgO（100）衬底上制备了较高质量的Bi2Sr2CuO6＋x和Bi2Sr2CaCu2O8＋x薄膜．
张炳森于晓明孙霞光李茂林张彩碚祁阳
关键词：臭氧分子束外延
Bi2.1CaySr1.9-yCuO6+δ薄膜制备及性能
利用分子束外延法在MgO(100)衬底上制各Bi2.1CaySr1.9-yCuO6+δ薄膜。薄膜的结构、外延性、化学计量比及表面形貌通过x射线衍射仪、x射线能谱仪及扫描电子显微镜表征，薄膜的R-T曲线通过标准四引线法测量...
张炳森孙霞光李茂林于晓明张彩碚祁阳
关键词：氧化物薄膜超导分子束外延
文献传递
Bi_(2.1)Ca_ySr_(1.9-y)CuO_(6+δ)薄膜制备及性能被引量：1
2008年
利用分子束外延法在MgO(100)衬底上制备Bi2.1CaySr1.9-yCuO6+δ薄膜。薄膜的结构、外延性、化学计量比及表面形貌通过X射线衍射仪、X射线能谱仪及扫描电子显微镜表征,薄膜的R-T曲线通过标准四引线法测量。结果表明,Bi2.1CaySr1.9-yCuO6+δ薄膜具有较好的结晶性能,沿衬底[001]方向c轴外延生长,且表面平整;随Ca含量(0.2≤y≤1.0)不同,Bi2.1CaySr1.9-yCuO6+δ相的c轴长度发生变化,且薄膜显现不同的导电特性。
张炳森孙霞光李茂林于晓明张彩碚祁阳
关键词：超导分子束外延
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