您的位置: 专家智库 > >

孙磊

作品数:9 被引量:43H指数:3
供职机构:西北工业大学材料学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金西北工业大学基础研究基金长江学者和创新团队发展计划更多>>
相关领域:一般工业技术金属学及工艺化学工程电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 3篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇一般工业技术
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 5篇无损检测
  • 5篇复合材料
  • 5篇复合材
  • 3篇电池
  • 3篇陶瓷基
  • 3篇陶瓷基复合
  • 3篇陶瓷基复合材...
  • 2篇电镀
  • 2篇阵列
  • 2篇阵列结构
  • 2篇陶瓷
  • 2篇热成像
  • 2篇微电池
  • 2篇接触面积
  • 2篇工业CT
  • 2篇红外
  • 2篇红外热成像
  • 2篇方孔
  • 2篇放射源
  • 2篇C/SIC

机构

  • 9篇西北工业大学

作者

  • 9篇孙磊
  • 6篇梅辉
  • 6篇张立同
  • 6篇成来飞
  • 5篇邓晓东
  • 4篇徐永东
  • 3篇赵东林
  • 2篇苑伟政
  • 2篇乔大勇
  • 2篇吕湘连
  • 2篇秦冲
  • 1篇孟志新
  • 1篇陈曦

传媒

  • 3篇复合材料学报
  • 1篇材料导报

年份

  • 1篇2010
  • 2篇2009
  • 4篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2006
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
C/SiC复合材料的定量红外热波无损检测被引量:25
2009年
在C/SiC复合材料板上钻直径和深度不同的盲孔,模拟材料表面下的孔洞缺陷。利用红外热波检测技术对C/SiC缺陷试样盲孔缺陷的孔径和深度做定量检测,并与X射线照相及CT检测结果相比较。结果表明:红外热波检测适合C/SiC复合材料内部缺陷的检测,可同时定量检测C/SiC复合材料中缺陷的大小和深度,并能弥补X射线照相及CT检测的不足。缺陷直径测量误差随着缺陷孔径的增大而减小,随着缺陷深度的增加而增大;缺陷深度测量误差随着缺陷孔径的增大而减小,但在一定范围内随着缺陷深度的增加而减小。红外热波检测C/SiC复合材料孔洞缺陷存在定量测量的下限。
邓晓东成来飞梅辉孙磊张立同徐永东孟志新赵东林
关键词:陶瓷基复合材料无损检测
微电池及其制作方法
本发明公开了一种微电池以及制作方法,用来解决现有技术中放射源与能量转换结构接触面积小、放射源与能量转换结构之间接触方式简单而导致的电池工作状态不稳定的问题,其特征在于:在N型区(1)上有二维2×2~20×20的垂直侧壁方...
苑伟政乔大勇孙磊秦冲吕湘连
文献传递
材料表面下缺陷的红外热波成像检测
在高纯石墨板上钻不同直径和深度的盲孔作为标样,模拟材料表面下的孔洞缺陷。利用红外热成像技术对标样材质热辐射值的敏感性,检测标样内部的缺陷信息,测量缺陷尺寸和位置。结果表明:红外热成像技术可以测出缺陷的形状、大小和深度。直...
梅辉成来飞邓晓东孙磊张立同徐永东赵东林
关键词:无损检测
文献传递
陶瓷基复合材料无损检测研究进展被引量:9
2009年
陶瓷基复合材料的各向异性和不均匀特性,以及在航空航天领域应用的紧迫性,使得采用无损检测(NDT)方法对其进行质量控制及保证是个非常重要而艰巨的任务。综述了陶瓷基复合材料无损检测的发展现状,阐释了超声波、红外热成像和工业CT技术的检测原理及其在陶瓷基复合材料无损检测的应用进展。
梅辉邓晓东孙磊成来飞张立同
关键词:陶瓷基复合材料无损检测超声波红外热成像工业CT
MEMS核电池的能量转换结构设计与制备工艺研究
在电子产品飞速发展的今天,微能源须满足体积小、重量轻、寿命长的要求。新型MEMS同位素电池(Radioisotope Micro Battery,RMB)不仅能量密度有大幅度提高,而且工作原理也区别于传统核电池。 ...
孙磊
文献传递
碳/碳化硅陶瓷基复合材料密度标定方法
本发明公开了一种碳/碳化硅陶瓷基复合材料密度标定方法。首先利用CVI工艺制备C/SiC复合材料分阶段逐步致密的特点,在C/SiC复合材料制备的各致密阶段获取随炉梯度密度标样;然后采用工业CT技术一次同步检测梯度密度标样和...
梅辉成来飞邓晓东徐永东张立同孙磊
文献传递
微电池及其制作方法
本发明公开了一种微电池以及制作方法,用来解决现有技术中放射源与能量转换结构接触面积小、放射源与能量转换结构之间接触方式简单而导致的电池工作状态不稳定的问题,其特征在于:在N型区(1)上有二维2×2~20×20的垂直侧壁方...
苑伟政乔大勇孙磊秦冲吕湘连
文献传递
2D C/SiC缺陷的无损检测与评价被引量:17
2008年
采用化学气相渗透法制备了内置异物质缺陷的2D C/SiC复合材料,利用红外热成像、X射线照相和计算机断层扫描(工业CT)三种技术对C/SiC试样进行无损检测。研究了内置缺陷试样的三点弯曲性能。结果表明:X射线照相适用于检测试样中有明显密度差异的缺陷;红外热成像检测适用于检测材料中导热系数较差的孔洞及分层缺陷;工业CT可以检测材料的局部横截面密度差异、孔洞和分层等缺陷的细节特征。2D C/SiC材料在受弯曲载荷时,容易从内置异物质缺陷处开裂,且随该缺陷长度增加,其抗弯强度及临界裂纹扩展能降低。
孙磊张立同梅辉赵东林成来飞徐永东
关键词:C/SIC复合材料无损检测抗弯强度
三维针刺C/SiC密度梯度板的无损检测与评价被引量:3
2010年
采用红外热成像设备检测三维针刺密度梯度纤维预制体化学气相渗透法(CVI)沉积碳化硅(SiC)前后内部的密度变化,追踪材料内部缺陷的遗传性,并用X射线和工业电子计算机X射线断层扫描技术(CT)验证上述实验的可靠性。结果表明:原预制体内部的孔洞缺陷因渗入SiC基体而被填充,缺陷消失;原预制体内部无缺陷处,经过CVI致密化工艺后产生新的孔洞缺陷,说明利用红外热成像技术可以追踪材料内部孔洞缺陷的遗传性;三维针刺密度梯度纤维预制体CVI沉积SiC前后,密度梯度发生逆转变化。
梅辉陈曦邓晓东孙磊成来飞张立同
关键词:复合材料无损检测红外热成像
共1页<1>
聚类工具0