周国华
- 作品数：3 被引量：6H指数：2
- 供职机构：江南大学通信与控制工程学院更多>>
- 相关领域：电气工程理学更多>>
- 退火工艺对SiN膜及SiO_2/SiN双层膜钝化特性的影响
- 2008年
- 针对硅太阳电池的背表面钝化，研究了在多晶硅P型衬底上SiN膜及SiO2／SiN双层膜的热稳定性及在不同温度下两种膜的退火特性．通过准稳态光电导衰减法测试其少数载流子寿命，发现SiN膜比较适合于在500℃以内的温度下进行常规炉热退火，而SiO2／SiN双层膜则比较适合在600—700℃之间的温度下进行常规炉热退火．对SiN膜进行链式炉热退火实验表明，低温（700—850℃）条件下表面钝化效果最好．
- 章曙东周国华张光春施正荣朱拓
- 关键词：退火
- 太阳能电池背表面钝化的研究被引量：3
- 2009年
- 利用PC1D模拟不同少子寿命的电池效率与背表面复合速率的关系,采用氮化硅和及其与二氧化硅薄膜的叠加层作为背面钝化膜,通过丝网印刷的方法形成条形局域背接触和局域背面点接触,条形接触的面积为背表面的25%,背面点接触孔径为250μm,间距2mm。经过RTP处理之后,两种不同的接触方式存在相同的问题,串联电阻大,并联电阻小,而利用腐蚀浆料的方法形成背面点接触,在电性能参数有少许改善。结果表明,在正常的烧结状态下,常规铝浆很难完全穿透氮化硅薄膜及其叠加层背面钝化层。而利用腐蚀浆料的方法形成背面点接触,在电性能参数有少许改善。
- 周国华施正荣朱拓吴俊梅晓东姚海燕
- 氮化硅薄膜对硅片背表面的钝化作用被引量：3
- 2008年
- 采用等离子体增强化学沉积的方法（PECVD），在低衬体温度下制备不同厚度的双面氮化硅薄膜，通过准稳态电导法（QSSPCD）测试BOB—diffused和diffused硅片沉积不同厚度双面氮化硅薄膜烧结前后的少子寿命，研究发现，氮化硅薄膜厚度在17nm左右的时候，背面钝化效果有所下降，超过26nm的时候，效果基本一致。non-diffused烧结后的少子寿命下降很大，而diffused与之相反。结果表明，采用氮化硅作为背面钝化介质膜，可以改善材料的少子寿命，背面钝化膜可以选择在26—75nm之间。
- 周国华施正荣朱拓
- 关键词：氮化硅少子寿命
