冯倩
- 作品数：220 被引量：157H指数：6
- 供职机构：西安电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国防科技技术预先研究基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- 一种雾化辅助CVD薄膜沉积装置
- 本发明公开一种雾化辅助CVD薄膜沉积装置，包括缓冲混合室、过渡腔和反应室，其中缓冲混合室顶部竖直设有多路气相物进管，该缓冲混合室外壁的左侧设有多路气溶胶进管；上升降板的上板面沿反应腔长度方向并排固定有一组上碘钨灯；上升降...
- 冯倩龚恒翔郝跃张进成廖飞杨专青马五吉
- 一种基于槽栅结构的增强型AlGaN/GaN MISHEMT器件结构及其制作方法
- 本发明公开了一种基于槽栅结构的增强型AlGaN/GaN MISHEMT器件结构及其制作方法，从下往上依次包括衬底、GaN缓冲层、AlN隔离层、GaN沟道层、AlGaN本征层和AlGaN掺杂层，所述AlGaN掺杂层上依次设...
- 冯倩董良代波杜锴陆小力马晓华郑雪峰郝跃
- 文献传递
- 应力对GaN HEMT器件电流崩塌的影响
- 2007年
- 电流崩塌是目前GaN HEMT微波功率器件中最严重的问题之一,国内外都有研究,但尚无统一结论。通过实验,研究了GaN HEMT器件电流崩塌现象。研究表明,不同电应力条件下,导致漏电流崩塌和最大跨导下降的物理机制不同,在大电场应力下,主要物理机制是栅隧穿电子填充表面态;而在热电子应力下,是沟道热电子填充界面态。
- 马香柏张进城郝跃冯倩
- 关键词：GANHEMT电流崩塌
- GaN薄膜表面缺陷密度的提取
- 2006年
- 在GaN薄膜制备中,薄膜表面缺陷密度提取是改进质量的重要依据。文章通过对若干幅GaN薄膜缺陷图像的分析,提出一种GaN薄膜缺陷密度的提取方法。该方法首先采用阈值分割法二值化背影复杂的GaN薄膜表面图像;然后基于数学形态学方法提取出薄膜表面缺陷的密度;最后给出了薄膜表面缺陷粒径的分布模型。实验结果表明此方法使GaN薄膜表面缺陷提取简单且易于测量,为分析缺陷原因提高薄膜质量起到重要的指导作用。
- 王俊平任春丽冯倩张会宁郝跃
- 关键词：二值化数学形态学
- 一种基于极化效应的高性能AlGaN/GaN HEMT高压器件结构及制作方法
- 本发明公开了一种基于极化效应的高性能AlGaN/GaN HEMT高压器件结构及其制作方法，从下往上依次包括衬底、GaN缓冲层、AlN隔离层、GaN沟道层、AlGaN本征层和AlGaN掺杂层，所述AlGaN掺杂层上间隔设有...
- 冯倩董良代波杜锴郑雪峰杜鸣张春福马晓华郝跃
- 文献传递
- 一种基于偶极层的高压AlGaN/GaN MISHEMT器件结构及制作方法
- 本发明公开了一种基于偶极层的高压AlGaN/GaN MISHEMT器件结构及其制作方法，从下往上依次包括衬底、GaN缓冲层、AlN隔离层、GaN沟道层、AlGaN本征层、AlGaN掺杂层，所述AlGaN掺杂层上间隔设有源...
- 冯倩董良代波杜锴郑雪峰杜鸣张春福马晓华郝跃
- 文献传递
- 高场应力及栅应力下AlGaN/GaN HEMT器件退化研究被引量：2
- 2009年
- 采用不同的高场应力和栅应力对AlGaN/GaN HEMT器件进行直流应力测试,实验发现:应力后器件主要参数如饱和漏电流,跨导峰值和阈值电压等均发生了明显退化,而且这些退化还是可以完全恢复的;高场应力下,器件特性的退化随高场应力偏置电压的增加和应力时间的累积而增大;对于不同的栅应力,相对来说,脉冲栅应力和开态栅应力下器件特性的退化比关态栅应力下的退化大.对不同应力前后器件饱和漏电流,跨导峰值和阈值电压的分析表明,AlGaN势垒层陷阱俘获沟道热电子以及栅极电子在栅漏间电场的作用下填充虚栅中的表面态是这些不同应力下器件退化的主要原因.同时,不同栅应力下器件的退化表明,钝化只是把短时间的电流崩塌问题转化成了长时间的退化问题,它并不能从根本上完全解决AlGaN/GaN HEMT的可靠性问题.
- 谷文萍郝跃张进城王冲冯倩马晓华
- 关键词：ALGAN/GANHEMT器件应力
- 基于耗尽型槽栅AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法
- 本发明公开了一种基于耗尽型槽栅AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法，主要解决目前AlGaN/GaN高迁移率晶体管获得高频率的问题。所述结构包括衬底、本征GaN层、AlN隔离层、本征AlGaN层、AlGaN掺杂...
- 冯倩杜锴代波张春福梁日泉张进成郝跃
- 文献传递
- 加源场板耗尽型绝缘栅AlGaN/GaN器件结构及其制作方法
- 本发明公开了一种加源场板耗尽型绝缘栅AlGaN/GaN器件结构及其制作方法，所述结构包括衬底、本征GaN层、AlN隔离层、本征AlGaN层、AlGaN掺杂层、栅电极、源电极、漏电极、源场板、绝缘层、钝化层以及用于调节二维...
- 冯倩杜锴马晓华郑雪峰代波郝跃
- 文献传递
- 基于GaN纳米柱结构的染料敏化太阳能电池的制作方法
- 本发明公开了一种GaN纳米柱染料敏化太阳能电池制作方法，主要解决现有染料敏化太阳能电池效率低的问题。它包括：玻璃保护层(1)、氧化铟锡ITO导电层(2)、GaN缓冲层(3)、n-GaN纳米柱(4)、N719染料(5)、液...
- 冯倩张璐邢韬李倩郝跃
- 文献传递
