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丰云

作品数:5 被引量:17H指数:4
供职机构:贵州大学理学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国际科技合作与交流专项项目贵州省科技攻关计划更多>>
相关领域:理学一般工业技术金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 3篇理学
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 3篇第一性原理
  • 3篇电子结构
  • 3篇子结构
  • 3篇光学
  • 3篇光学性
  • 3篇光学性质
  • 3篇掺杂
  • 2篇计算机
  • 2篇计算机模拟
  • 2篇溅射
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控溅射
  • 1篇第一性原理计...
  • 1篇电特性
  • 1篇立方相
  • 1篇结构和光学性...
  • 1篇辉光
  • 1篇辉光放电
  • 1篇溅射靶材
  • 1篇光学性能

机构

  • 5篇贵州大学
  • 1篇铜仁学院

作者

  • 5篇丰云
  • 5篇谢泉
  • 4篇沈向前
  • 4篇陈茜
  • 3篇高冉
  • 2篇肖清泉
  • 2篇王永远
  • 1篇冉耀宗
  • 1篇黄浦

传媒

  • 1篇光谱实验室
  • 1篇物理学报
  • 1篇真空
  • 1篇材料热处理学...
  • 1篇纳米科技

年份

  • 5篇2012
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
磁控溅射辉光放电特性的模拟研究
2012年
采用二维、自洽的PIC/MCC(particle-in-cell with Monte Carlo collision)方法,模拟了磁控溅射辉光放电过程,重点讨论了工作参数对放电模式和放电电流的影响.模拟结果表明,当工作气压由小到大或空间磁场从强到弱变化时,放电模式会从阴极空间电荷主导的放电模式过渡到阳极空间电荷主导的放电模式.在过渡状态,对应的工作气压与磁通密度分别为0.67 Pa和0.05 T;随着工作气压的增大,放电电流先增大后趋向平衡,当工作气压超过2.5 Pa时,电流开始随工作气压的增大而减小;而阴极电压增大时,放电电流近似线性增加.
沈向前谢泉肖清泉陈茜丰云
关键词:磁控溅射辉光放电计算机模拟
K掺杂正交相Ca_2Si电子结构和光学性质的第一性原理计算被引量:5
2012年
采用第一性原理的平面波赝势方法和广义梯度近似(GGA),对K掺杂正交相Ca2Si前后的电子结构和光学性质进行比较分析。计算表明,掺K后正交相Ca2Si的能带向高能方向发生了偏移,形成直接带隙的p型半导体,禁带宽度为0.4318 eV,光学带隙变宽;掺杂K后价带主要是Si的3p态,Ca的3d、4s态以及K的3p、4s态的贡献。并利用计算的能带结构和态密度分析了K掺杂正交相Ca2Si前后的复介电函数、能量损失函数、反射光谱及吸收光谱,结果显示掺K增强了材料对太阳光谱中红外波段的能量利用。研究结果说明掺杂是改变材料电子结构和光电性能的有效手段,为Ca2Si材料光电性能的开发与应用提供了理论依据。
丰云谢泉高冉沈向前王永远陈茜
关键词:掺杂电子结构光学性质第一性原理
K掺杂立方相Ca2Si电子结构及光学性能的研究被引量:5
2012年
基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法,采用广义梯度近似(GGA)对掺K的立方相Ca2Si的电子结构和光学性能,包括能带结构、态密度、介电函数、折射率、反射率、吸收系数、光电导率及能量损失函数进行理论计算,结果表明,掺K后立方相Ca2Si的能带向高能方向发生了偏移,形成直接带隙的P型半导体,禁带宽度为0.6230eV,光学带隙变宽,价带主要是Si的3p、Ca的4s、3d以及K的3p、4s态的贡献;静态介电函数ε1(0)=14.4;折射率n0=3.8;吸收系数最大峰值为3.47×105cm-1。通过掺杂调制材料电子结构和光电性能,为Ca2Si材料光电性能的开发与应用提供了理论依据。
丰云谢泉高冉王永远沈向前陈茜
关键词:掺杂电子结构光学性质第一性原理
Sc掺杂正交相Ca_2Si电子结构及光学性质的第一性原理被引量:7
2012年
采用基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)赝势平面波方法,对块体及掺Sc的正交相Ca2Si的电子结构和光学性质进行了系统计算。计算结果表明,掺Sc后的Ca2Si能带向低能端偏移,形成n型半导体,正交相结构能隙变为0.6084eV,相比块体Ca2Si带隙加宽了一倍,但仍为直接带隙半导体。Ca2Si掺杂Sc后,正交相导带主要是Ca的4s、3d态和Sc的3d、3p态电子构成,静态介电常数变大,折射率也变大,吸收系数相比块体在低能段基本无变化,在高能段虽吸收系数减小,但仍保持105数量级且大于β-FeSi2的吸收系数,说明Ca2Si在太阳能电池上具有较好的应用前景。通过掺杂有效调制了Ca2Si的电子结构和光学性质,计算结果为Ca2Si光电材料的设计与应用提供了理论依据。
冉耀宗高冉黄浦谢泉陈茜丰云
关键词:掺杂电子结构光学性质第一性原理
磁控溅射靶材刻蚀特性的模拟研究被引量:9
2012年
靶材刻蚀特性是研究磁控溅射靶材利用率、薄膜生长速度和薄膜质量的关键因素。本文用有限元分析软件ANSYS模拟了磁控溅射放电空间的磁场分布,用粒子模拟软件OOPIC Pro(object oriented particlein cell)模拟了放电过程,最后用SRIM(stopping and range of ions in matter)模拟了靶材的溅射特性,得到了靶材的刻蚀形貌和刻蚀速度,并讨论了不同工作气压和不同阴极电压对靶材刻蚀的影响。模拟结果表明:靶材刻蚀形貌与磁场分布有关,磁通密度越强,对应的靶材位置刻蚀越深;靶材的刻蚀速度随阴极电压的增大而增大,而当工作气压增大时,靶材的刻蚀速度先增大后趋向平衡,当工作气压超过一定的值时,刻蚀速度随气压的增大开始减小。模拟结果与实验观测进行了比较,二者符合较好。
沈向前谢泉肖清泉丰云
关键词:磁控溅射计算机模拟
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