丁芃
- 作品数：38 被引量：61H指数：4
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国航空科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 一种半导体器件及其制作方法
- 本申请提供一种半导体器件及其制作方法，所述制作方法包括：采用GaSb晶圆作为衬底，在正面电路结构已经完成的情况下，对GaSb晶圆背面进行减薄时，采用第一磨盘和研磨液进行减薄，其中，第一磨盘上设置有碳化钨涂层，通过碳化钨涂...
- 汪宁苏永波丁芃王大海金智
- 文献传递
- Co/ATO复合薄膜的结构与电磁光特性被引量：4
- 2009年
- 以低成本的无机盐SnCl2·2H2O、SbCl2和Co（NO3）2·9H2O为原料，采用溶胶-凝胶法与浸渍提拉技术成功地制备出Co掺杂的ATO（Sb掺杂SnO2）复合薄膜。利用XRD、SEM、四探针电阻仪、紫外-可见光分光光度计及振动样品磁强计（VSM）等测试方法对Co／ATO复合薄膜的结构与物性进行了表征与评价。结果表明：少量的Co掺杂ATO复合薄膜仍保持四方金红石结构，复合薄膜中的晶粒分布均匀，其晶粒尺寸分布为4-7nm；随着Co含量的增加，Co／ATO复合薄膜的电阻率呈现出先降低后提高，且当Co含量为0．5mol%时，Co／ATO复合薄膜的电阻率最低为5．6×10^-3Ω·cm；在400-700nm可见光范围内，平均透过率达到90％以上，其光学带隙在3．9-4．0eV之间，且随着Co含量的增加，可见光透过率和光学带隙呈下降趋势；Co含量为3．0mol％的ATO复合薄膜具有室温铁磁性，其矫顽力约为100 Oe，磁性根源主要归结为磁性原子与基体载流子相互作用的结果。
- 石霞刘发民刘妍研丁芃周传仓
- 关键词：溶胶-凝胶法
- 一种硅衬底上外延GaAs的方法及制得的半导体器件
- 本发明涉及一种硅衬底上外延GaAs的方法及制得的半导体器件。方法为：在硅衬底上形成规律性密布的腐蚀坑；在所述腐蚀坑内第一次低温生长GaAs；在所述第一次低温生长GaAs进行第一次离子注入、退火；在所述第一次离子注入、退火...
- 常虎东孙兵苏永波丁芃刘洪刚金智刘新宇
- 文献传递
- 射频磁控溅射制备锰掺杂二氧化钛薄膜的结构及物性研究
- 稀磁半导体(Diluted Magnetic Semiconductors, DMS),由于其在运算、存储电子器件及自旋电子器件等方面的具有广阔的应用前景,已引起全世界科技工作者的广泛关注和深入的研究。而稀磁氧化物半导体...
- 丁芃
- 关键词：射频磁控溅射显微结构分析
- 文献传递
- InP基双异质结双极晶体管和超高速电路
- 针对超高速数字和数模混合电路的应用，设计了InP基DHBT结构。其中发射极采用n型掺杂的InP材料，基极采用与InP衬底匹配的重掺杂的InGaAs材料，集电极采用InGaAs/InGaAsP/InP材料实现，其中InGa...
- 金智苏永波丁芃姚鸿飞张毕禅宁晓曦
- 关键词：混合电路双极晶体管
- 文献传递
- Nb/SnO_2复合薄膜的制备、结构及光电性能被引量：6
- 2011年
- 用溶胶-凝胶旋涂法在玻璃基底上制备出Nb/SnO2复合透明导电薄膜,利用XRD,SEM,紫外—可见分光光度计,四探针电阻仪等测试方法对Nb/SnO2复合薄膜的结构和物性进行了研究.结果表明:当Nb含量小于0.99at%时,Nb/SnO2复合薄膜为较纯的四方金红石结构;复合薄膜中晶粒分布均匀,平均尺寸在5—7nm.当Nb含量小于0.99at%时,Nb/SnO2复合薄膜的电阻率先减小后增大,当Nb含量为0.37at%时,复合薄膜的电阻率降低到9.49×10-2Ω·cm.在400—700nm可见光范围内,当Nb含量小于0.99at%时,Nb/SnO2复合薄膜的透过率都在90%以上,其光学带隙在3.9—4.1eV之间;当Nb含量达到1.23at%时,可见光透过率明显降低.
- 曾乐贵刘发民钟文武丁芃蔡鲁刚周传仓
- 关键词：溶胶-凝胶法光电性能
- 一种氧化镓基场效应管的工艺改进方法
- 本发明提供了一种氧化镓基场效应管的工艺改进方法，通过设置缓冲层堆叠结构，修正了氧化镓衬底在减薄抛光工艺过程中发生的尺寸形变，该缓冲层堆叠结构可以使得氧化镓衬底减薄抛光过程中累计的应力得到有效释放，避免了氧化镓衬底由于单斜...
- 汪宁苏永波丁芃王大海金智
- 文献传递
- 一种制备周期性V形纳米硅槽的倍频方法
- 本发明公开一种制备周期性V形纳米硅槽的倍频方法，包括：在硅衬底上沉积二氧化硅掩膜层，在其上旋涂光刻胶，制备周期性纳米光刻胶光栅图形，采用干法刻蚀技术将该光刻胶光栅图形转移至二氧化硅掩膜层，同时在硅层上留下可充当刻蚀掩膜作...
- 戴隆贵丁芃陈弘贾海强王文新
- 文献传递
- InAlAs/InGaAs/InAlAs量子阱质子辐照损伤机理被引量：1
- 2017年
- 对InP基高电子迁移率场效晶体管关键的InAlAs/InGaAs/InAlAs量子阱结构质子辐照损伤机理进行了研究.基于SRIM软件计算了50keV、75keV和200keV质子在量子阱中的投影射程和诱生空位缺陷信息.随着质子能量增加,质子注入深度逐渐增加并最终逃逸出材料层.另外,在异质结附近诱生的空位缺陷个数先增加后减小,且As空位为主要的诱生缺陷.基于解析模型计算了不同能量质子入射下In_(0.52)Al_(0.48)As和In_(0.53)Ga_(0.47)As材料的非电离能量损失.随着质子能量增加,非电离能量损失先增加后减小,与辐照诱生缺陷密度随能量的变化趋势一致.最后通过辐照陷阱模型验证了诱生缺陷作为受主补偿中心对量子阱二维电子气的俘获作用,确定了非电离能量损失诱生空位缺陷为质子辐照主要的损伤机制.
- 王海丽吉慧芳孙树祥丁芃金智魏志超钟英辉李玉晓
- 关键词：高电子迁移率晶体管质子辐照空位缺陷
- InP基毫米波器件与电路
- 毫米波具有波长短、频带宽等特点在高精度成像、大容量通信等领域具有重要的应用.基于半导体的固态电子器件具有体积小、可批量生产、易于集成等优点,在规模化应用方面具有很大的优势.毫米波电路对固态电子器件的频率特性提出了非常高的...
- 金智苏永波丁芃姚鸿飞宁晓曦张毕禅汪丽丹
