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可见光共振腔发光二极管的研究进展: 2002年; 共振腔发光二极管是一种具有优良发光性能的光电器件。概述了对可见光共振腔发光二极管的共振腔结构、反射镜材料体系、基本工作机理和发光特性,并展望了这种器件的发展前景。; 陈文澜黄柏标齐云于永芹周海龙尉吉勇潘教青; 关键词：发光二极管共振腔分布布拉格反射镜发光特性

GaAs衬底厚度对发光二极管稳定性的影响被引量：3: 2003年; 在n+-GaAs(n=1×1018cm-3)衬底上,用MOCVD方法制备了610 nm的AlGaInP发光二极管的外延片,用X射线双晶衍射和PL谱表征了ALGaInP外延片样品的性质,通过对减薄到不同厚度的LED外延片的管芯在相同条件下的退化实验,发现了亮度的退化随厚度的减小而减小的结果。由理论计算结果可以得到,衬底厚度的降低对于LED样品稳定性产生作用的主要因素是由于产生的耗散热的减小而使缺陷增殖速度减小和非辐射复合中心浓度的相应降低,同时衬底厚度的降低也有助于提高AlGaInP LED的器件的稳定性。; 周海龙黄柏标潘教青于永芹尉吉勇陈文澜齐云张晓阳秦晓燕任忠祥李树强; 关键词：发光二极管稳定性砷化镓 GAAS MOCVD 化学气相沉积法

提高发光二极管(LED)外量子效率的途径被引量：21: 2003年; 发光二极管的内量子效率与外量子效率之间存在巨大的差距,主要介绍了提高发光二极管(LED)外量子效率的几种途径,包括生长分布布喇格反射层(DBR)技术,将射向衬底的光反射回表面;制作透明衬底(TS)取代原有的GaAs衬底;改变LED几何外形来缩短光在LED内部反射的路程以及限制全反射现象的表面粗化技术。对比了每种方法的发展过程及效率。; 齐云戴英李安意

应变无Al有源层InGaAsp/InGaP/In_(0.5)(GaAl)_(0.5)P/GaAs大功率激光二极管(英文): 2002年; 生长了 In Ga Asp/In Ga P/In(Al Ga) P材料分别限制应变量子阱半导体激光器 ,发光波长 780 nm。利用电化学 C- V表征材料掺杂 ,掺杂浓度达 10 1 8cm- 1 。利用荧光 PL及 EL表征其光学性质。 PL峰为765 nm。制得 10 0 μm、宽 1m m长条形。测得阈值电流为 3 15 m A,斜率效率超过 1W/A,功率转换可达 40 %左右。注入电流 1.5 A,光功率单管输出达到 1.2 W。; 尉吉勇黄伯标于永芹周海龙潘教青张晓阳秦晓燕陈文兰齐云; 关键词：MOCVD

利用双基色发光二极管研究白光发光二极管被引量：3: 2002年; 介绍了白光发光二极管作为照明光源的发展优势。详细阐述了利用双基色发光二极管制造白光发光二极管的发光原理,并讨论了制作过程,包括选择性腐蚀和Bonding技术的运用。最后对器件性能作出评价。; 齐云黄柏标陈文澜于永琴周海龙; 关键词：白光发光二极管

异常掺杂引起的AlGaInP同型结结构: 2002年; 用电化学 C- V和 I- V特性分析的方法 ,对 Mg掺杂在 MOCVD生长 Al Ga In P发光二极管 (L ED)的影响进行了研究。通过电化学 C- V分析 ,确定了在生长结构中 Mg掺杂从有源层到 Ga P窗口层由高到低的情况 ;用 I- V特性分析的方法对器件结构进行了分析 ,发现了异常的实验结果。同时理论计算得到了同型结 (N+ - N,P+ - P)的势垒高度和空间电荷区的宽度 ,由此得到了在同型结两侧浓度比不同时的差异 ,极好的解释了异常的 I- V测试结果。; 周海龙黄柏标于永芹尉吉勇潘教青齐云陈文澜张晓阳秦晓燕任忠祥李树强; 关键词：ALGAINP 发光二极管掺杂

InGaAs/AlGaAs量子阱中量子尺寸效应对PL谱的影响被引量：3: 2003年; 本文采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法设计并生长了两组InGaAs/AlGaAs应变多量子阱,量子阱的厚度分别为3nm和6nm,对其光致发光谱(PL)进行了研究,二者的发光波长分别为843nm和942nm,用有限深单量子阱理论近似计算了由于量子尺寸效应和应变效应引起的InGaAs/AlGaAs量子阱带隙的改变,这解释了两组样品室温下PL发射波长变化的原因。; 于永芹黄柏标尉吉勇潘教青周海龙齐云陈文澜秦晓燕张晓阳任忠祥; 关键词：量子尺寸效应 MOCVD 金属有机物化学气相淀积

MOCVD生长InGaAs/Al_(0.2)Ga_(0.8)As应变多量子阱(英文): 2003年; 用MOCVD方法生长了3种InGaAs/Al0.2Ga0.8As应变多量子阱(MQWs)样品,用于研究在气相中TMIn的含量对MQWs的发光波长和半峰宽(FWHM)以及在X射线中零级峰位的影响。研究表明,随着In组分在MQW中的增加,MQWs中应变也随之增加,这是造成FWHM增大的原因。同时也研究了应变MQWs中In组分与气相中TMIn含量的关系,为准确设计和控制MQWs的组分提供了依据。; 于永芹黄柏标尉吉勇潘教青周海龙岳金顺李树强张晓阳秦晓燕陈文澜齐云王笃祥任忠祥; 关键词：多量子阱 MOCVD

用MOCVD方法生长940 nm应变多量子阱发光二极管: 2002年; 采用金属有机物化学气相淀积 (MOCVD)方法设计并生长了应变多量子阱 In Ga As/Al Ga As,并且对其进行了光致发光 (PL)谱、双晶 X射线衍射 (DXRD)谱和电化学 C- V等的测试。然后以 In Ga As/Al-Ga As作为有源层 ,以 Ga As衬底作为透明衬底 ,p面金属电极 Au Be合金作为镜面反射层 ,采用倒装技术制备了近红外发光二极管 (L ED)。在输入电流为 2 0 m A下的正向电压为 1.2 V左右 ,电致发光谱的峰值波长为 938nm,10 μA下的反向击穿电压为 5～ 6 V,在输入电流为 5 0 m A下得到输出功率 3.5m W,对应电压为 1.3V,在输入电流为 30 0 m A时得到最大输出功率为 12 m W。; 于永芹黄柏标周海龙魏吉勇潘教青岳金顺李树强陈文斓齐云秦晓燕张晓阳王笃祥任忠祥; 关键词：发光二极管应变多量子阱金属有机物化学气相淀积 MOCVD

大气压脉冲介质阻挡放电一维流体模型完全通量法的实现及模拟研究: 大气压脉冲介质阻挡放电（Dielectric Barrier Discharge—DBD）是产生气体放电等离子体的重要方式，并在工业、生物医学等领域得到广泛应用。因此，大气压脉冲DBD的放电特性、机制及在上述领域中的应用...; 齐云; 关键词：流体模型数值模拟

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齐云