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鲜映霞

作品数:6 被引量:9H指数:2
供职机构:华中科技大学光学与电子信息学院更多>>
发文基金:中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金更多>>
相关领域:电气工程文化科学电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电气工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇文化科学

主题

  • 4篇电池
  • 4篇硅薄膜
  • 3篇异质结
  • 2篇氮化硅
  • 2篇氮化硅薄膜
  • 2篇导电薄膜
  • 2篇电池结构
  • 2篇电极
  • 2篇异质结太阳能...
  • 2篇优化设计
  • 2篇太阳电池
  • 2篇太阳能电池
  • 2篇透明导电
  • 2篇透明导电薄膜
  • 2篇量子
  • 2篇量子点
  • 2篇纳米硅
  • 2篇纳米硅薄膜
  • 2篇硅量子点
  • 2篇背电极

机构

  • 6篇华中科技大学

作者

  • 6篇鲜映霞
  • 5篇曾祥斌
  • 3篇张笑
  • 3篇姜礼华
  • 2篇肖容
  • 2篇文国知
  • 1篇曹陈晨
  • 1篇黄迪秋
  • 1篇廖武刚
  • 1篇孙小虎

传媒

  • 1篇太阳能学报
  • 1篇教育教学论坛
  • 1篇2010(第...

年份

  • 2篇2014
  • 2篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2010
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
含有硅量子点的n-i-p异质结太阳能电池及其制备方法
本发明公开了一种含有硅量子点的n-i-p异质结太阳能电池及其制备方法,其特征在于:在N型单晶硅衬底和P型非晶硅层之间是含有直径为1~6nm的硅量子点的氮化硅薄膜层,所述太阳能电池含有的依次相叠的各层为:Ag/Al栅形电极...
曾祥斌姜礼华张笑鲜映霞文国知肖容
文献传递
均匀尺寸硅纳米粒子的制备技术及光学特性研究
通过等离子增强化学气相沉积法,以氨气和硅烷为反应气体在p型单晶硅衬底上制备了非化学计量比氮化硅(SiNx)薄膜,再经过高温退火处理获得了尺寸均匀的硅纳米粒子。室温下测试了含硅纳米粒子SiNx薄膜的喇曼(Raman)光谱、...
曾祥斌姜礼华张笑黄迪秋鲜映霞孙小虎
纳米硅太阳电池优化设计及I-V方程显式求解研究
氢化纳米晶Si(nc-Si:H)薄膜,是制作高效率太阳电池的关键。本论文分析了影响p+(nc-Si)/i(a-Si)/n(c-Si)异质结太阳电池性能的主要因素,包括纳米硅薄膜的禁带宽度、掺杂浓度、本征层厚度以及背电场。...
鲜映霞
关键词:太阳电池纳米硅薄膜优化设计
文献传递
浅谈国际化课程建设的几点体会被引量:6
2013年
高等教育国际化是教育发展的特征和主要趋势,在高校国际化课程建设过程中,我国高校做出了自己的探索与思考。文章以"走出去,带进来"的角度,浅谈了实施国际化课程的意义与体会,就教学实践中实施的具体措施提出了自己的见解。
曾祥斌曹陈晨鲜映霞
关键词:国际化课程全英语教学产学研结合
含有硅量子点的n-i-p异质结太阳能电池及其制备方法
本发明公开了一种<B>含有硅量子点的</B><B>n-i-p</B><B>异质结太阳能电池及其制备方法</B>,其特征在于:在N型单晶硅衬底和P型非晶硅层之间是含有直径为1~6nm的硅量子点的氮化硅薄膜层,所述太阳能电池...
曾祥斌姜礼华张笑鲜映霞文国知肖容
nc-Si/c-Si异质结太阳电池优化设计分析被引量:3
2014年
分析影响p+(nc-Si)/i(a-Si)/n(c-Si)异质结太阳电池性能的主要因素,获得纳米硅薄膜杂质浓度、本征层厚度以及背场对电池性能的影响规律。结果表明,当纳米硅薄膜中掺杂浓度增大时,该层大部分区域电场强度变大,短路电流和开路电压增大,有利于提高电池转换效率。优化的掺杂浓度应大于1×1018cm-3。当i层厚度大于30 nm时,电池转换效率η和电池填充因子FF急剧下降,优化的最佳厚度为10 nm。研究加入非晶硅背场提高电池效率的新途径,当引入厚10 nm的a-Si∶H(n+)背面场后,电池转换效率由21.677%提高到24.163%。
曾祥斌鲜映霞文西兴廖武刚
关键词:纳米硅薄膜异质结太阳电池AMPS优化设计
共1页<1>
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