高兆丰
- 作品数：28 被引量：53H指数：5
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
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- 国产半导体器件长期贮存试验研究
- 本文通过对北方实验室条件下贮存25年的国产商用高频小功率晶体管进行研究.找到三种失效模式.考虑到现代技术可消除的因素(或已焊接使用),计算预计80年代的国产商用器件储存失效率水平小于10-7/h.
- 高兆丰高金环徐立生
- 关键词：可靠性失效率可焊性水汽含量半导体器件
- 文献传递
- 多模计数器静电放电损伤的失效分析被引量：3
- 2017年
- 静电放电(ESD)损伤会降低半导体器件和集成电路的可靠性并导致其性能退化。针对一款国产2-32型多模计数器的失效现象,通过分析该计数器的电路结构,利用X射线成像、显微红外热成像、光束感生电阻变化以及钝化层、金属化层去除等技术对计数器进行了失效分析,将失效点准确定位至输出端口逻辑单元电路的2只晶体管上。分析结果表明,多模计数器的ESD损伤使输出端口驱动晶体管以及为负载晶体管提供栅偏置的前级电路晶体管同时受损,导致计数器端口高、低电平输出均失效而丧失计数功能。对相关的失效机理展开了讨论,同时提出了在电路研制和使用过程中的ESD防护措施。
- 席善斌裴选刘玮高兆丰彭浩黄杰
- 国产半导体器件长期贮存试验研究被引量：5
- 2010年
- 分析了在北方实验室条件下,贮存25年的国产商用高频小功率晶体管的特性与可靠性,通过对10批共1 460只器件的试验、检测,并与25年前的原始数据进行对比分析,发现了贮存器件存在直流放大倍数(HFE)退化、内引线开路、外引线可焊性失效三种失效模式,并对其失效原因、失效机理进行了分析。在考虑到现代技术可以消除的因素(用充干N2封装或已焊接使用),预计80年代的国产商用高频小功率晶体管贮存失效率水平小于10-7。用贮存25年的实物揭示了国产半导体器件贮存存在的主要失效模式,为国产半导体器件提高贮存可靠性提供了真实可靠的依据。
- 高兆丰童亮高金环徐立生
- 关键词：可靠性失效率可焊性水汽含量
- GB/T4937系列标准制订现况——第14部分:引出端强度(引线牢固性)被引量：1
- 2016年
- 该文简述了GB/T 4937《半导体器件机械和气候试验方法》系列标准目前的制订现况。重点针对GB/T 4937-1995中第Ⅱ篇第1章引出端强度,阐述了GB/T 4937-1995版标准存在的弊端,以及新制定标准GB/T 4937.14《半导体器件机械和气候试验方法第14部分:引出端强度(引线牢固性)》的优越性。
- 裴选彭浩席善斌张魁高兆丰黄杰
- 关键词：GB/T
- 高亮发光二极管寿命评价被引量：9
- 2009年
- 高亮发光二极管广泛应用于户外显示屏、交通灯、汽车灯及电子设备和工业设备指示灯等方面,因其具有体积小、功耗低、寿命长、反映速度快、适合量产等诸多优点,因而使用市场巨大,对其寿命评价尤显意义重大。通过温度应力的加速寿命试验对某高亮型LED的平均寿命进行了快速评价,设计采取单一加速应力的试验方法,通过建立加速模型,进行加速试验,采用退化系数解析法进行数据处理,最终得到了室温下该高亮型LED的平均寿命。
- 闫德立高金环高兆丰徐立生
- 关键词：发光二极管光通量平均寿命
- 照明用功率LED的加速寿命试验被引量：4
- 2009年
- 阐述了照明用功率发光二极管(LED)的退化规律,提出了一种实用的加速寿命试验方法来评估功率LED的长期使用寿命,并使用该方法分别对LUMILEDS公司1 W白光LED和CREE公司1 W蓝光LED的使用寿命进行了评估。
- 高兆丰曹耀龙高金环黄杰徐立生
- 关键词：功率发光二极管加速寿命试验激活能使用寿命
- 国产半导体器件长期贮存试验研究
- 本文通过对北方实验室条件下贮存25年的国产商用高频小功率晶体管进行研究.找到三种失效模式。考虑到现代技术可消除的因素(或已焊接使用),计算预计80年代的国产商用器件储存失效率水平小于10/h。
- 高兆丰高金环徐立生
- 关键词：可靠性失效率可焊性水汽含量
- 文献传递
- 宇航级晶体管寿命试验
- 2013年
- 选取美国宇航级晶体管2N2219AL同批次的4组(分别为A,B,C和D组)样品进行了寿命试验。A组样品在额定功率P CM为800 mW下进行了6 000 h的工作寿命试验;B,C和D组样品分别在试验应力P为1 200,1 400和1 600 mW下,进行了恒定应力加速寿命试验。对样品电参数直流共发射极电流增益h FE的测试结果表明,h FE呈先增后减的缓慢退化趋势,同时I CBO远小于5 nA的失效标准。试验后,A组样品又在北方实验室环境下贮存了14年,距其制造日期已有32年。对其电参数复测,并与1998年的测试结果对比,没有明显的变化。揭示了高可靠性晶体管在长期工作寿命试验中电参数的变化规律,为其极长的贮存寿命提供了有力的证据。
- 张瑞霞裴选徐立生高兆丰
- 关键词：工作寿命HFE
- PIN限幅器高功率微波损伤效应及失效分析
- 2016年
- 以国产PIN限幅器为研究对象，分析了器件的工艺结构，开展了高功率微波注入效应研究，并对失效器件进行了失效分析。试验结果表明高功率微波注入会导致器件插入损耗超差而失效，限幅器输入端电容击穿短路丧失保护作用，PIN二极管结受损严重表现为低阻导通状态。借助多种失效分析手段获得了器件的烧毁形貌，认为器件发生烧毁的薄弱环节位于i层与n＋层的界面处，对潜在的失效机理进行了分析，并对工艺改进提出了相关建议。
- 席善斌裴选高金环高兆丰黄杰
- 关键词：高功率微波PIN二极管FIB
- 耿氏二极管的几种失效模式及其机理分析
- 本文通过案例分析,对耿氏二极管经常出现的短路、开路及管帽脱落等失效模式及失效机理进行了讨论,并根据失效机理指出了避免以上失效应采取的一些措施,对该器件的制造商和使用者有一定的指导意义．
- 高兆丰高金环徐立生张士芬
- 关键词：耿氏二极管可靠性失效模式
- 文献传递
