陈海平
- 作品数：3 被引量：4H指数：1
- 供职机构：中南大学物理与电子学院更多>>
- 发文基金：湖南省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- 溅射功率对染料敏化TiO_2电极光电性质的影响
- 2009年
- 用直流磁控溅射法在不同溅射功率下沉积了TiO2薄膜,并制备了染料敏化太阳能电池。I-V曲线的结果表明,150～200W,随着溅射功率的升高,电池的短路光电流和光电转换效率增大,200W时制备的TiO2电极的光电转换效率较175W时的提高了75%,225W时短路光电流和转换效率均有所下降;从喇曼光谱、透射光谱等的表征可知,200W时沉积的TiO2薄膜开始形成锐钛矿结构,并且其厚度比225W时沉积的薄膜更大。
- 杨兵初曾礼丽陈海平夏学文
- 关键词：光电流溅射功率
- 掺氮类金刚石薄膜的制备及其结构与光电性质研究
- 本文采用直流磁控溅射方法，以Ar和N2为工作气体、以石墨为溅射靶材，在玻璃基底上制备了类金刚石薄膜和掺氮类金刚石薄膜。采用原子力显微镜（AFM）、X射线衍射（XRD）、拉曼光谱仪（Raman）、傅立叶红外光谱仪（FTIR...
- 陈海平
- 关键词：掺氮类金刚石薄膜直流磁控溅射工艺参数光学带隙光电性质
- 文献传递
- 掺N类金刚石薄膜的制备及微观结构分析被引量：1
- 2009年
- 采用直流磁控溅射法,在光学玻璃衬底上沉积类金刚石(DLC)和掺N类金刚石薄膜(DLC:N)。用喇曼光谱、X射线光电子能谱(XPS)、傅里叶红外光谱(FTIR)等研究分析了所制备薄膜的微观结构。喇曼光谱的结果表明,掺N类金刚石膜仍具有典型的类金刚石膜结构,在类金刚石薄膜中掺N不仅有助于提高膜中sp3/sp2的比例,而且还能阻止sp2键向石墨相的转化,稳定并优化薄膜的类金刚石属性。FTIR表明,薄膜中N与C原子形成了C—N、CN及C≡N等键合方式。XPS谱表明,掺N类金刚石膜中除了C和N元素外,还出现了少量的O元素,而C1s和N1s的解谱显示,掺N后的类金刚石膜中的C、N结合能发生了明显的移动,由计算得出薄膜中N的含量为13.5%。薄膜的表面形貌图(AFM)表明,在类金刚石薄膜中掺N能够改善其表面形貌。
- 杨兵初陈海平曾礼丽赵峥
- 关键词：直流磁控溅射类金刚石薄膜微观结构结合能
