陈小庆
- 作品数：9 被引量：9H指数：1
- 供职机构：中国科学技术大学物理学院物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
- 宽带隙半导体SiC和ZnO的光电性质及掺杂研究
- SiC和ZnO属于第三代宽禁带半导体材料,它们都有很多优良的性能,所以一直都是人们研究的热点。
SiC是一种典型的宽禁带半导体材料,迁移率很高、热稳定性和化学稳定性比较优良,在一些特殊的电子器件制造方面有非常大...
- 陈小庆
- 关键词：碳化硅薄膜生长导电类型
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- MOCVD制备SiC:Al薄膜的导电类型调控研究
- 2010年
- 用MOCVD方法在Si基片上生长了Al掺杂的SiC薄膜,发现三甲基铝(TMA)源载气流量与硅烷流量之比的大小,会决定薄膜的导电类型。用XPS方法测试样品后发现,TMA载气流量与硅烷流量比直接影响Al原子在SiC薄膜中的含量。Al含量在1.5%以下,Al原子在SiC薄膜中主要以填隙形式(Ali)存在,薄膜显示出n型;而Al含量在1.5%～3%之间的时候,Al原子主要以替位Si(AlSi)的形式存在,薄膜显示出p型。继续增加掺杂源的流量,所得SiC薄膜结晶质量会变得较差,电阻也变得较高。
- 陈小庆孙利杰邬小鹏钟泽傅竹西
- 关键词：3C-SICMOCVD导电类型
- BP算法的改进及其在曙光系列并行机上的并行程序设计及实现
- 该文首先介绍了神经网络的生物基础,简单回顾了人工神经网络的发展历程,并叙述了不同途径的人工智能以说明ANN的优势所在及其局限性;之后,提出了限界权值调整方法和结构调整方法,使BP网络能够实现增量学习和隐层单元的自动调整;...
- 陈小庆
- 关键词：人工神经网络并行机程序设计
- MOCVD低温外延ZnO/Si薄膜及其性质的研究
- 2008年
- 以水汽作为氧源,二乙基锌为锌源,采用LP-MOCVD方法在Si(111)衬底低温下成功生长出高质量的ZnO薄膜,使用X射线衍射、原子力显微镜、光致发光谱等手段表征了薄膜的性质。通过改变衬底温度、载气流量及反应源的流量等参数研究了生长条件对薄膜性质的影响。研究结果表明,在温度500℃时薄膜的取向性和结晶性能最佳,但发光性质不如200℃生长的样品。随载气流量从1.2～2.0slm增加的过程中,薄膜的结晶和发光性能逐渐提高。此外合适的源流量对薄膜质量的提高起到关键作用。
- 钟泽苏剑锋舒姮陈小庆傅竹西
- 关键词：化合物半导体MOCVD水汽ZNO
- 氮气氛中高温退火对ZnO薄膜发光性质的影响被引量：8
- 2010年
- 以二乙基锌和水汽分别作为锌源和氧源,用LP-MOCVD方法在p型Si(100)衬底上生长了单一取向的ZnO薄膜。对得到的样品在氮气气氛中进行高温热处理,退火温度分别为900,1000,1100℃。利用室温PL谱、XRD、AFM、XPS等方法对样品的性质进行了研究。研究表明:(1)随着退火温度的升高,样品的结晶性质也逐渐提高,从表面形貌观察到晶粒尺寸逐渐增大;(2)当退火温度从900℃升高至1000℃时,样品的光致发光谱中可见光波段的发光强度有所减弱,而紫外波段的发光强度明显增强;当退火温度升高至1100℃时,可见光波段的发光几乎完全被抑制,而紫外波段的发光强度急剧增强。分析认为,高温退火改善晶体结晶质量的同时调制了样品的Zn/O比,氮气气氛下的热处理使得样品内的氧原子逸出,来自受主缺陷OZn的可见发射随温度升高逐渐减弱,而当退火温度达到1000℃以上时样品成为富锌状态,此时与施主缺陷Zni有关的紫外发射急剧增强。
- 钟泽孙利杰徐小秋陈小庆邬小鹏傅竹西
- 关键词：退火光致发光MOCVD
- Sb掺杂ZnO薄膜的缺陷和光学性质研究被引量：1
- 2011年
- 采用磁控溅射方法在6H-SiC单晶片上制备了锑(Sb)掺杂的氧化锌(ZnO)薄膜.利用X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)对样品的结晶质量和成分进行了测试.结果表明所得到的ZnO∶Sb薄膜结晶质量良好,掺Sb浓度为原子数分数1%,并且掺入的Sb原子处于Zn原子的位置.利用低温及变温光致发光谱(PL)研究了ZnO∶Sb薄膜的光学性质,观察到了与Sb有关的A0X发射,并且计算得到其受主能级为150meV.分析认为掺Sb的ZnO薄膜中受主来源于SbZn-2VZn复合缺陷.
- 陈小庆孙利杰傅竹西
- 关键词：ZNO
- MOCVD方法低温下外延ZnO/Si薄膜及其性质的研究
- 以水汽作为氧源,二乙基锌为锌源,采用LP-MOCVD方法在Si(111)衬底上低温下成功了生长高质量的ZnO薄膜,使用X射线衍射,原子力显微镜,光致发光谱等手段表征了薄膜的性质。通过改变衬底温度,载气流量及反应源的流量等...
- 钟泽苏剑锋舒妲陈小庆傅竹西
- 关键词：化合物半导体金属有机物化学气相沉积氧化锌薄膜发光性能
- 文献传递
- MOCVD低温外延ZnO/Si薄膜及其性质的研究
- 以水汽作为氧源,二乙基锌为锌源,采用LP-MOCVD方法在Si(111)衬底低温下成功生长出高质量的ZnO薄膜,使用X射线衍射、原子力显微镜、光致发光谱等手段表征了薄膜的性质。通过改变衬底温度、载气流量及反应源的流量等参...
- 钟泽苏剑锋舒姮陈小庆傅竹西
- 关键词：化合物半导体MOCVD水汽ZNO
- 文献传递
- 神经信息处理系统
- 陈国良王洵熊焰顾乃杰韩文廷张群黄俊斌何刚王晓欣陈小庆廖树勋袁滨桂孝生
- 该成果是一种以Transputer阵列为基础的信息处理系统，为用户提供了BP、Kohonern、结构化网络等高速、通用、大规模神经网络应用平台。用户通过使用该系统提供的非过程神经网络描述语言及智能化编辑编译器，就能在平台...
- 关键词：
- 关键词：信息处理系统神经网络图像信息处理
