陈亮
- 作品数：33 被引量：0H指数：0
- 供职机构：北京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家社会科学基金更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信医药卫生历史地理更多>>
- 汉代墓葬门区符箓与阴阳别气观念研究
- 陈亮
- 关键词：武器
- 一种基于二维半导体材料的同质PN结及其制备方法
- 本发明公开了一种基于二维半导体材料的同质PN结及其制备方法。两种功函数不同的半导体材料垂直堆叠时，电子会从费米能级较高的二维半导体材料向费米能级较低的材料进行转移，从而对费米能级较低的半导体材料产生N型掺杂，对费米能级较...
- 黄如贾润东黄芊芊王慧敏陈亮陈诚赵阳
- 大型国有企业经营管理绩效评价理论和方法探讨
- 陈亮
- 关键词：绩效评价
- 一种用于视觉凸壳绘制的高光区域选取方法及其装置
- 本发明属于计算机图形学领域，涉及一种用于视觉凸壳绘制的高光区域选取的方法及其装置。针对视觉凸壳绘制过程中图像高光区域选取方法的不足，本发明提出了一种高光区域识别提取方法。它能够自动判别图像中的高光亮斑并进行归类，最终得到...
- 冯洁陈亮周秉锋
- 文献传递
- Cox 7α2-pEYFPC1荧光表达载体的构建和鉴定
- 目的:Cox 7α2是线粒体氧化呼吸链第4复合体——细胞色素C氧化酶的亚基,与衰老和睾丸雄激素合成相关。本研究构建Cox 7α2绿色荧光蛋白表达载体,并转染PAE细胞,研究该基因在PAE细胞中表达及线粒体内定位。方法:利...
- 陈亮姜学军辛钟成
- 文献传递
- 非定向氧化锌纳米线阵列的场发射
- 2005年
- 使用热蒸发的方法在硅基底上制备了非定向氧化锌(ZnO)单晶纳米线阵列。经过热蒸发之后,在硅基底上形成一层均匀分布的ZnO点。在这些ZnO点上生长出非定向的ZnO纳米线阵列,其中的纳米线直径大约在10到20nm之间。考虑到实用,在制备样品的过程中硅基底的温度始终保持在500℃以下。然后测量了这些非定向ZnO纳米线阵列的场发射特性。在5.5V·μm-1场强下得到了10μA·cm-2的场发射电流密度;同时使用透明阳极技术观察了其场发射中心的分布。
- 陈亮张耿民王鸣生
- 关键词：氧化锌纳米线场发射屏蔽效应
- 一种用于视觉凸壳绘制的高光亮斑消除方法及其装置
- 本发明属于计算机图形学领域，涉及一种用于视觉凸壳绘制的高光亮斑消除方法及其装置。该方法借助视觉凸壳绘制中的图像采集装置标定信息及图像序列的冗余信息，消除图像中的高光亮斑，最终得到无高光的图像序列。该方法的主要步骤包括：提...
- 冯洁陈亮周秉锋
- 文献传递
- 基于概念预测和关系预测的AMR解析与对齐方法
- 2024年
- 抽象语义表示(Abstract Meaning Representation,AMR)是一种深层次的句子级语义表示形式,其将句子中的语义信息抽象为由概念结点与关系组成的有向无环图,相比其他较为浅层的语义表示形式如语义角色标注、语义依存分析等,AMR因其出色的深层次语义信息捕捉能力,被广泛运用在例如信息抽取、智能问答、对话系统等多种下游任务中。AMR解析过程将自然语言转换成AMR图。虽然AMR图中的大部分概念结点和关系与句子中的词语具有较为明显的对齐关系,但原始的英文AMR语料中并没有给出具体的对齐信息。为了克服对齐信息不足给AMR解析以及AMR在下游任务上的应用造成的阻碍,Li等人[14]提出并标注了具有概念和关系对齐的中文AMR语料库。然而,现有的AMR解析方法并不能很好地在AMR解析的过程中利用和生成对齐信息。因此,该文首次提出了一种可以利用并且生成对齐信息的AMR解析方法,包括了概念预测和关系预测两个阶段。该文提出的方法具有高度的灵活性和可扩展性,实验结果表明,该方法在公开数据集CAMR 2.0和CAMRP 2022盲测集分别取得了77.6(+10.6)和70.7(+8.5)的Align Smatch分数,超过了过去基于序列到序列(Sequence-to-Sequence)模型的方法。该文同时对AMR解析的性能和细粒度指标进行详细的分析,并对存在的改进方向进行了展望。该文的代码和模型参数已经开源到https://github.com/pkunlp-icler/Two-Stage-CAMRP,供复现与参考。
- 陈亮高博飞常宝宝张亦驰
- 电信计费系统信息安全等级定级方法设计与实践
- 电信系统是关系国计民生的重要信息系统，对其实施信息安全等级保护符合国家信息安全战略。而给电信系统定级，并采取相应的安全保护措施，则是整个等级保护工作的起点。但值得注意的是，电信系统是一个庞大、复杂的网络系统，讨论所有系统...
- 陈亮
- 关键词：电信计费系统信息安全等级保护
- 一种基于二维半导体材料的陡亚阈器件及其制备方法
- 本发明公开了一种基于二维半导体材料的陡亚阈器件及其制备方法，在器件源区和沟道区之间插入由两种不同电子亲和势的纳米厚度的二维半导体材料重复堆垛形成的超晶格结构，构成能量窗口。当器件处于关态时，高于能量窗口的载流子被截断，无...
- 黄如贾润东黄芊芊王慧敏陈亮陈诚赵阳
- 文献传递
