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陆路
作品数:
1
被引量:10
H指数:1
供职机构:
南京大学
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发文基金:
教育部“新世纪优秀人才支持计划”
国家自然科学基金
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相关领域:
理学
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合作作者
郦莉
南京大学
路忠林
东南大学物理系
邹文琴
南京大学
张凤鸣
南京大学
刘圆
南京大学
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2009
共
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Mn和N共掺ZnO稀磁半导体薄膜的研究
被引量:10
2009年
使用对Zn2N3:Mn薄膜热氧化的方法成功制备了高含N量的Mn和N共掺ZnO的稀磁半导体薄膜.在没有N离子共掺的情况下,ZnO:Mn薄膜的铁磁性非常微弱;如果进行N离子的共掺杂,就会发现ZnO:Mn薄膜在室温下表现出非常明显的铁磁性,饱和离子磁矩为0.23μB—0.61μB.这说明N的共掺激发了ZnO:Mn薄膜中的室温铁磁性,也就是受主的共掺引起的空穴有利于ZnO中二价Mn离子的铁磁性耦合,这和最近的相关理论研究符合很好.
邹文琴
路忠林
王申
刘圆
陆路
郦莉
张凤鸣
都有为
关键词:
磁性半导体
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