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赵岩

作品数：6 被引量：9H指数：2
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 6篇电子电信

主题

  • 5篇晶体管
  • 2篇电路
  • 2篇异质结
  • 2篇异质结双极型...
  • 2篇双极型
  • 2篇双极型晶体管
  • 2篇集成技术
  • 2篇半导体
  • 2篇SI
  • 2篇GAAS_P...
  • 1篇单片
  • 1篇单片集成
  • 1篇单片集成电路
  • 1篇电路应用
  • 1篇电子迁移率
  • 1篇氧化物半导体
  • 1篇异构
  • 1篇异构集成
  • 1篇振荡频率
  • 1篇数模

机构

  • 6篇南京电子器件...

作者

  • 6篇赵岩
  • 5篇程伟
  • 3篇陆海燕
  • 3篇吴立枢
  • 3篇王元
  • 2篇杨乃彬
  • 2篇张有涛
  • 2篇石归雄
  • 2篇陈堂胜
  • 2篇高汉超
  • 2篇陈辰
  • 1篇牛斌
  • 1篇栗锐
  • 1篇沈宏昌
  • 1篇黄子乾
  • 1篇吴璟

传媒

  • 6篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2016
  • 3篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2011
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
基于InP HBT工艺的超高速静态及动态分频器被引量：1
2014年
磷化铟异质结双极型晶体管（InP HBT）具有超高速、高器件一致性、高击穿等优点，在超高速数模混合电路应用方面具有独特优势。南京电子器件研究所基于76．2mm InP HBT圆片工艺，研制出60GHz静态分频器以及92GHz动态分频器。图1为静态分频器测试结果，此电路可在2～60GHz范围内实现二分频。图2为动态分频器测试结果，此电路可在75～92GHz范围内实现二分频。
程伟张有涛王元陆海燕赵岩杨乃彬
关键词：HBT工艺静态分频器超高速INP异质结双极型晶体管电路应用
基于外延层转移的GaAsPIN与Si异构集成技术
2014年
南京电子器件研究所采用外延层转移技术在国内率先开展了晶体管级异构集成方嘶的研究，并于2013年突破了超薄外延层的剥离技术、异质圆片的键合技术等异构集成关键技术，成功地将3um厚的76．2mm（3英寸）GaAs外延层薄膜完整地剥离并转移到Sj衬底上（如图1所示），
赵岩程伟吴立枢吴璟石归雄黄子乾
关键词：集成技术异构集成SI键合技术晶体管
fmax=325GHz的多指共基极InGaAs／InPDHBT被引量：1
2011年
数字化和高频化是现代雷达和通信系统的两个重要发展方向。InPDHBT具有十分优异的高频特性、良好的器件一致性、高线性度以及极低的1／f噪声等优点，因而在超高速数模混合电路、毫米波／亚毫米波单片集成电路方面具有广阔应用前景。南京电子器件研究所基于76．2mm圆片工艺，研制出fmax达325GHz的四指共基极InPDHBT器件，击穿电压大于10V。
程伟赵岩王元陆海燕高汉超陈辰杨乃彬
关键词：INGAAS共基极毫米波单片集成电路数模混合电路HBT器件通信系统
GaAs pHEMT与Si CMOS异质集成的研究被引量：6
2016年
基于圆片级外延层转移技术,将完成GaAs pHEMT有源器件加工的外延层从原有衬底上完整地剥离下来并转移到完成工艺加工的Si CMOS圆片上,基于开发的异类器件互联以及异类器件单片集成电路设计等一系列关键技术,进行了GaAs pHEMT与Si CMOS异质集成单片电路的工艺加工。研制的GaAs pHEMT与Si CMOS异质集成单片数字控制开关电路与传统的GaAs pHEMT单片电路相比,芯片面积减小15%。
吴立枢赵岩沈宏昌张有涛陈堂胜
GaAs pHEMT外延层转移技术研究
2014年
随着化合物半导体技术日益成熟，利用晶体管级异构集成技术在同一芯片内实现SiCMOS与化合物半导体的集成以获得最佳的电路／系统性能，既是技术发展的内在需求也是后摩尔时代的必然趋势。
赵岩吴立枢石归雄程伟栗锐陈堂胜陈辰
关键词：半导体技术化合物半导体集成技术晶体管芯片
最高振荡频率416GHz的太赫兹InGaAs/InP DHBT被引量：2
2013年
太赫兹技术（300GHz～3THz）在射电天文、成像雷达以及高速通信等领域具有广阔的应用前景。磷化钢双异质结双极型晶体管（InP DHBT）具有高截止频率、高击穿电压、高器件一致性、低l／f噪声等优点，非常适合于太赫兹单片集成功率放大器和频率源的研制。
程伟王元赵岩陆海燕牛斌高汉超
关键词：最高振荡频率太赫兹DHBT异质结双极型晶体管集成功率放大器
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