贾晓昀
- 作品数：4 被引量：9H指数：2
- 供职机构：北京交通大学理学院光电子技术研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金北京市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术电气工程动力工程及工程热物理更多>>
- Si基太阳电池用SiN_x∶H薄膜的研究进展
- 2008年
- SiN_x:H薄膜因为具有良好的减反射性质和钝化作用,在晶体硅太阳电池(单晶硅、多晶硅)的研究和生产中得到越来越广泛的应用。介绍了SiN_x:H薄膜在硅基太阳电池中的减反射和钝化作用,主要制备方法等研究现状,以及面临的问题和今后的研究趋势。
- 唐煜周春兰贾晓昀王文静
- 磁控溅射制备氮化硅薄膜特性研究
- 制备减反射薄膜是多晶硅太阳电池生产中最重要的一道工序，这层薄膜不但可以增加光透过，降低光反射，而且还具有表面钝化和体钝化的作用。目前工业生产中主要使用等离子体化学气相沉积(PECVD)制备含氢的氮化硅薄膜，由于它使用爆炸...
- 贾晓昀
- 关键词：磁控反应溅射氮化硅光学特性光致发光太阳电池
- 文献传递
- 工作气氛对氮化硅薄膜结构的影响被引量：2
- 2008年
- 以石英玻璃和抛光硅片做为衬底材料,采用射频磁控反应溅射法,通过改变 Ar/N_2流量比得到了一系列氮化硅薄膜。用分光光度计对薄膜的光学特性进行了表征;X 射线光电子能谱(XPS)表明薄膜中出现了 Si-N 的键合结构;原子力显微镜(AFM)图显示了在抛光硅片上制备出的薄膜比较平整、致密。实验结果表明:纯 N_2条件下制备的薄膜比使用 Ar 和 N_2混合气体条件下制备的薄膜中的 SiN_x 含量要低;在混合气体参与的条件下,随着氮气流量的增加,薄膜中出现了微孔,缺陷态增加,并对微孔的形成机制进行了解释。
- 徐征贾晓昀赵谡玲张福俊唐煜周春兰王文静
- 关键词：射频磁控反应溅射氮化硅薄膜光学特性
- 退火及溅射气氛对氮化硅薄膜光致发光的影响
- 2008年
- 利用射频磁控反应溅射方法制备富硅的氮化硅薄膜。衬底材料为抛光的硅片,靶材为硅靶,在Ar-N2气环境下,通过改变两种气体的组分比来改变样品成分,并在高纯N2气氛下对其进行高温退火处理。用X射线光电子能谱(XPS)和X射线衍射(XRD)对样品进行了表征,并测试了样品的光致发光谱(PL)。实验结果表明:X射线光电子能谱中出现了Si—N键合结构,同时还有少量的Si—O键生成,通过计算得出Si/N比值约为1.51,制备出了富硅的氮化硅薄膜;薄膜未经退火前,在可见光区域没有观察到明显的光致发光峰,经过高温退火后,XRD中新出现的衍射峰证实了纳米硅团簇的生成,PL图谱中在可见光区域出现了光致发光峰的蓝移现象,结合XRD结果,用纳米晶的量子限域效应对上述现象进行了合理解释。
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- 关键词：磁控反应溅射氮化硅光致发光量子限域效应
