许楠楠
- 作品数：10 被引量：15H指数：3
- 供职机构：兰州大学核科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家重点实验室开放基金国家自然科学基金磁学与磁性材料教育部重点实验室开放课题基金更多>>
- 相关领域：理学机械工程自动化与计算机技术核科学技术更多>>
- 有机硅环氧漆膜γ射线辐照结构分析
- 2024年
- 对自制的耐辐射环氧(EP)涂料漆膜和有机硅环氧(SiEP)涂料漆膜样品同时开展了11 Gy/s、总辐照剂量5×10~7 Gy的大剂量γ射线辐照工作。测试了EP和SiEP样品辐照前后的机械性能和附着力;通过红外光谱对比分析了EP和SiEP样品在该辐照条件下漆膜表层和次表层的结构变化。结果表明,辐照后EP样品的柔韧、冲击、硬度、耐磨及附着力性能指标退化严重,而SiEP的相关性能则基本保持不变;EP和SiEP漆膜辐照后均出现了黄变现象,这与漆面氧化有关。通过对比辐照前后SiEP漆膜样品的红外光谱发现,稳定的Si—O结构可能是SiEP漆膜机械性能和附着力辐照后未发生显著变化的主要原因。
- 许楠楠李公平李彤刘同环丁晶洁李华明雍涛曾慧崇王乃迪彭乃卫彭宁馨
- 关键词：环氧Γ辐照有机硅
- D-D中子与Cu离子辐照对单晶金红石TiO2（001）结构及光学性能的影响
- 利用D-D中子（2.5 MeV）和80 keV的Cu离子对单晶金红石TiO2（001）材料进行辐照改性,系统地分析了样品在辐照后结构和光学性能的变化。正电子以及EXAFS分析结果表明,中子辐照会在样品内部产生大量的空位缺...
- 许楠楠李公平潘小东刘欢郭熊
- 关键词：辐照损伤
- 文献传递
- D-D中子辐照单晶TiO_2的损伤特性
- 2012年
- 利用兰州大学强流中子发生器出射的单能D-D中子对单晶TiO2(金红石相)进行辐照,分别测量了样品的正电子寿命谱及XRD谱。中子辐照会在样品内部产生大量的空位缺陷,由于晶格中Ti原子的位移阈能约为O原子的2倍,因此中子辐照在样品内部产生的空位缺陷以氧空位(VO)为主。结果表明,单晶内部捕获正电子的陷阱Ti空位(VTi)在中子辐照后电子密度增大,可能与Ti空位周围O空位的引入有关,O空位的出现减弱了Ti空位处的库仑排斥作用,使空位体积减少。后续测试的XRD也得到相同的结果,样品由于中子辐照而在c轴方向的晶面间距发生变化,并导致单晶TiO2的结晶度变差。
- 许楠楠李公平王云波钟火平李天晶龚恒凤王宝义李卓昕
- 关键词：辐照损伤正电子
- D-D中子与Cu离子辐照对单晶金红石TiO2(001)结构及光学性能的影响
- 利用D-D中子(2.5 MeV)和80 keV的Cu离子对单晶金红石TiO(001)材料进行辐照改性,系统地分析了样品在辐照后结构和光学性能的变化。正电子以及EXAFS分析结果表明,中子辐照会在样品内部产生大量的空位缺陷...
- 许楠楠李公平潘小东刘欢郭熊
- 关键词：辐照损伤
- Co^+离子注入单晶TiO_2铁磁性来源与微结构研究
- 2012年
- 在室温下,将能量为80keV,注量分别为1×1016和1×1017ions/cm2的Co+离子注入到10mm×10mm×0.5mm的单晶TiO2样品。在氮气保护下,Co+离子注量为1×1017ions/cm2时样品在温度为900℃的条件下退火30min。利用超导量子干涉仪(SQUID)测量样品磁性,并应用X射线衍射(XRD)和扩展边X射线吸收精细结构谱(EXAFS)研究Co+离子注入后样品的微观结构。样品磁性测量结果表明:Co+离子注入后的样品具有室温铁磁性,并且其饱和磁化强度的大小与Co+离子注量及样品是否经退火处理有关。EXAFS研究表明:Co元素在Co+离子注量为1×1017ions/cm2的样品中主要以团簇形式存在;样品经退火处理后,Co团簇消失,并发现Co部分替代TiO2单晶中的Ti。Co+离子注入后,在样品中形成Co团簇与否受离子注量的影响。阐述了样品微观结构与铁磁性来源之间的关系。
- 钟火平李公平许楠楠李天晶龚恒风陈景升
- 关键词：稀磁半导体铁磁性离子注入EXAFS
- 多种图像采集策略下X射线折射信息的提取研究被引量：4
- 2014年
- 不同的图像采集策略下,基于分析晶体相衬成像技术的折射信息提取方法(衍射增强成像法、广义衍射增强成像法、多图成像法)的折射角提取结果有明显的差异.与摇摆曲线腰位作为图像采集位置的传统策略相比,采集位置靠近摇摆曲线中轴时,衍射增强成像法能够提取得到更好的折射角结果.广义衍射增强成像法的三个图像采集位置相对摇摆曲线中轴对称时,折射角的提取结果好于采集位置非对称的结果,并且采集位置靠近摇摆曲线中轴时,折射角的提取结果好于摇摆曲线腰位或趾位的结果.对于多图成像法,相邻图像采集位置的角度间隔大于摇摆曲线半高全宽时,折射角提取结果非常差;而当角度间隔小于半高全宽并且图像采集位置对应的角度范围接近样品的最大折射角理论值时,能够获得很好的折射角提取结果.此研究有助于实验上对图像采集策略的合理选择以及对折射信息提取方法的更深理解.
- 王云波李公平潘小东许楠楠
- 关键词：图像采集摇摆曲线
- 基于投影缺失正弦图的CT图像重建研究被引量：1
- 2015年
- 通过对不完全投影重建的图像结果和正弦图对投影空间的数据分布情况进行分析,并根据工件较敏感部位的位置、形状和密度信息,对缺失的投影数据进行适当的补充。在此基础上,利用滤波反投影算法对补充后的正弦图进行图像的重建。经过实验验证,该方法改善了重建图像的质量,得到了较好的重建效果。
- 骆岩红李公平文茜许楠楠
- 关键词：CT图像重建正弦图滤波反投影算法
- 金红石TiO_2本征缺陷磁性的第一性原理计算被引量：7
- 2017年
- 基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法模拟计算了金红石相TiO_2的四种本征缺陷(氧空位、钛空位、钛间隙缺陷、氧间隙缺陷)和两种复合缺陷(氧空位与氧间隙复合缺陷、钛空位与钛间隙复合缺陷)的铁磁特性.结合态密度、电子分布及晶体结构变化分析可知,四种本征缺陷均会在系统内引入缺陷态.氧空位、钛间隙缺陷使费米面升高,引起自旋极化,引入磁矩分别为1.62μB与3.91μB;钛空位的缺陷态处于价带顶,使费米面进入价带,表现出明显的p型半导体特性,引入磁矩约为2.47μB;氧间隙缺陷引入缺陷态但仍然处于自旋对称状态,费米面略微下降;氧空位与氧间隙复合缺陷使费米面上升的程度比单个氧空位时大,模拟的超晶胞保持了氧空位的铁磁特性,大小为1.63μB;钛空位与钛间隙复合缺陷以反铁磁方式耦合,但超晶胞仍具有一定的铁磁特性.
- 林俏露李公平许楠楠刘欢王苍龙
- 关键词：第一性原理本征缺陷态密度自旋磁矩
- Cu离子注入单晶TiO_2微结构及光学性质的模拟研究被引量：5
- 2016年
- TiO_2是一种新型的第三代半导体材料,具有重要的应用价值.Cu离子掺杂单晶金红石TiO_2,可以改善TiO_2对光谱的响应范围,提高转化效率.本文利用第一性原理分别研究了Cu离子填隙、Cu替代Ti、氧空位、钛空位以及含有复合缺陷时金红石TiO_2结构及其相应光学性质的变化.结果表明,金红石的价带顶主要由O 2p轨道贡献,导带底主要由Ti 3d轨道贡献;掺杂Cu离子后会在能隙中产生两条新的杂质能级;Ti空位使得晶体费米能量降低,在价带顶产生新能级;O空位使得费米能量升高,在导带底产生新能级,表现出n型半导体性质.通过对含有复合缺陷的晶体电子结构的分析,得到同时含有O空位和Cu填隙时对晶体在可见光范围的吸收影响最大.
- 刘欢李公平许楠楠林俏露杨磊王苍龙
- 关键词：金红石光学性质铜
- 中子对碲锌镉辐照损伤模拟研究
- 2022年
- 碲锌镉探测器长期暴露于辐射环境下时,会形成不同程度的辐照损伤,影响器件性能甚至失效,极大缩短探测器在辐射场中的服役时限.本文首先利用Geant4程序包对能量为1.00—14.00 MeV的中子在碲锌镉中的输运过程进行模拟,获取初级离位原子的信息,进而结合级联碰撞模型,对不同能量的中子在碲锌镉材料中造成的辐照损伤进行模拟计算.计算结果表明初级离位原子能量大部分位于低能端,并随着入射中子能量升高,初级离位原子的种类更加丰富,能量也逐渐增大;中子辐照碲锌镉材料时非电离能损沿着深度方向均匀分布,且非电离能损随着入射中子能量的增加呈现先增大后减小的趋势;辐照损伤量—原子离位次数(dpa)的计算结果表明, dpa也随入射中子能量升高呈先增大后减小的趋势,进一步分析可知随着入射中子能量增大,非弹性散射成为造成材料内部离位损伤的主要因素.
- 魏雯静高旭东吕亮亮许楠楠李公平
- 关键词：中子辐照碲锌镉辐照损伤
