解希玲
- 作品数：3 被引量：6H指数：2
- 供职机构：大连理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺化学工程更多>>
- 多孔硅的制备及对晶体硅电学性能的影响
- 现代工业的迅速发展引发了能源危机,太阳能作为最理想的可再生能源,它的开发与应用成为解决这一危机的一种有效途径。近年来,太阳能光伏发电日益受到人们的重视,但是由于太阳电池用的晶体硅在生长过程会引入杂质和缺陷,而这些杂质和缺...
- 解希玲
- 关键词：多孔硅晶体硅化学腐蚀少子寿命电阻率
- 文献传递
- 腐蚀时间对多孔硅层形貌及多晶硅性能的影响被引量：3
- 2011年
- 采用化学腐蚀方法在多晶硅表面制备多孔硅层,通过外吸杂热处理方法进行除杂后对腐蚀不同时间后多孔硅层的形貌、多晶硅少子寿命和电阻率等进行了研究。结果表明:随着腐蚀时间的延长,形成的多孔硅层呈现不同的形貌,多孔壁孔径逐渐变大,少子寿命延长且电阻率增大;腐蚀14 min后,多孔硅层局部区域坍塌,孔壁变薄;腐蚀11 min时,经850℃吸杂处理的多孔硅层少子寿命和电阻率达到峰值,分别为0.98μs和0.16Ω·cm。
- 解希玲谭毅李佳艳董伟刘艳娇邹清川
- 关键词：多孔硅多晶硅化学腐蚀电阻率少子寿命
- 多孔硅对单晶硅少子寿命影响状况的研究被引量：2
- 2012年
- 以p型单晶硅片为研究对象,在单晶硅片表面采用化学腐蚀方法制备多孔硅层,通过实验选取制备多孔硅的最佳工艺条件,采用SEM观察多孔硅表面形貌,以及用微波光电导法测试少子寿命的变化情况。结果表明,在相同的腐蚀溶液配比条件下腐蚀11min得到的多孔硅层的表面形貌最好,孔隙率最大。在850℃下热处理150min时样品少子寿命的提高达到最大,不同腐蚀时间的样品少子寿命提高程度不同,腐蚀11min的样品少子寿命提高最大,约有10%左右。多孔层的形成伴随着弹性机械应力的出现,引起多孔层-硅基底界面处产生弹性变形,这有利于缺陷和金属杂质在界面处富集。另外,多孔硅仍具有晶体结构,但其表面方向上的晶格参数要比初始硅的晶格参数大,也有利于金属杂质向多孔层迁移。
- 李佳艳郭素霞徐强解希玲胡跟兄谭毅
- 关键词：多孔硅单晶硅化学腐蚀少子寿命
