王毅
- 作品数：7 被引量：2H指数：1
- 供职机构：北京科技大学材料科学与工程学院材料物理与化学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：金属学及工艺理学一般工业技术电气工程更多>>
- PZT铁电陶瓷氢致滞后断裂的各向异性
- 2003年
- 使用单边缺口拉伸试样在恒载荷下动态充氢,对PZT—5铁电(压电)陶瓷的氢致滞后断裂(HIC)的各向异性进行了研究.结果表明,极化方向平行裂纹面和垂直裂纹面的试样均能发生氢致滞后断裂,但氢致滞后断裂门槛应力强度因子KIH却显示各向异性,即极化方向平行于裂纹面的门槛值KaIH大于垂直面的门槛值KbIH.但是,对断裂韧性kIC归一化后就不再显示各向异性,即KaIH/KaIC=KbIH/KbIC.因此,氢致滞后断裂的各向异性与断裂韧性一样,归因于应力诱发90°畴变的各向异性.KaIH,KbIH,KaIH/KaIC和KbIH/KbIC均随氢浓度的对数InCo升高而线性下降,例如KaIH/KaIC=KbIH/KbIC=0.4—0.155 InCn.
- 王毅褚武扬宿彦京乔利杰高克玮
- 关键词：氢致滞后断裂断裂韧性各向异性压电陶瓷
- 铁电陶瓷的滞后断裂
- 本文研究了PZT—5铁电陶瓷在恒电场下的滞后断裂,在各种介质中的应力腐蚀以及氢致开裂.结果表明,铁电陶瓷在恒电场下能发生滞后断裂,其门槛电场约等于材料矫顽场的1/2,约是瞬时断裂临界电场的1/3.铁电陶瓷在水,甲酰铵,甲...
- 王毅宿彦京高克玮乔利杰褚武扬
- 关键词：铁电陶瓷应力腐蚀氢致开裂
- 文献传递
- 应力促进PZT铁电陶瓷的电致滞后断裂
- 2004年
- 用单边缺口拉伸试样研究了外加应力强度因子对PZT-5铁电陶瓷电致瞬时断裂以及在硅油中电致滞后断裂的影响结果表明,在硅油中发生瞬时断裂的临界电场强度E_F随外加应力强度因子K_I的升高而线性下降.外加正、负恒电场在硅油中能发生滞后断裂,外加K_I则促进电致滞后断裂.电致滞后断裂的门槛电场E_(DF)随K_I升高而线性下降,且和电场符号无关外加应力促进恒电场下的滞后断裂表明,应力、电场和环境对铁电陶瓷的断裂存在耦合作用.
- 王毅褚武扬宿彦京高克玮乔利杰
- 关键词：应力
- PZT压电陶瓷的应力腐蚀被引量：2
- 2003年
- 使用单边缺口拉伸试样对PZT-5压电铁电陶瓷进行恒载荷下的应力腐蚀研究,介质分别为水、甲醇和甲酰胺,结果表明, PzT-5压电陶瓷在这三种介质中均会发生应力腐蚀开裂.归一化应力腐蚀门槛应力强度因子分别为KISCC/KIC=0.66(水),0.73(甲醇)和0.75(甲酰胺).其中断裂韧性:KIC=(1.34±0.25)MPa·m1/2.
- 王毅褚武扬宿彦京高克玮刘辉乔利杰
- 关键词：PZT压电陶瓷应力腐蚀
- PZT铁电陶瓷应力腐蚀门槛值的各向异性
- 2003年
- 研究了PZT-5铁电陶瓷在各种环境(湿空气、硅油、甲醇、水和甲酰胺)中发生应力腐蚀的可能性, 以及极化方向对水和甲酰胺中应力腐蚀门槛应力强度因子KISCC的影响. 结果表明, PZT-5在各种环境中均能发生应力腐蚀; 水和甲酰胺中KISCC具有各向异性, 裂纹面平行极化方向的KaISCC远大于垂直极化方向的相应值KbISCC. 例如, 在水中, aISCCK= 0.88 MPa·m1/2, bISCCK= 0.42 MPa·m1/2; 在甲酰胺中aISCCK= 1.0 MPa·m1/2, bISCCK= 0.54 MPa·m1/2. 应力腐蚀门槛值各向异性的原因除了和90°畴变的各向异性有关, 也和应力腐蚀本征门槛值的各向异性有关.
- 王毅褚武扬宿彦京高克玮乔利杰
- 关键词：各向异性
- 电场、应力和环境对PZT-5铁电陶瓷断裂的耦合作用
- 2004年
- 用单边缺口试样研究了电场、应力和环境对极化PZT-5铁电陶瓷断裂的耦合作用;即研究了电场对断裂韧性和硅油中应力腐蚀门槛值的影响,以及应力对恒电场下滞后断裂门槛电场的影响.结果表明,在硅油中加正、负电场均能发生滞后断裂,电致滞后断裂门槛电场EDF大约是电致瞬时断裂临界电场EF的70%.正、负电场均使断裂韧性KIC下降,归一化表观断裂韧性KIC(E)/KIC随归一化电场E/EF线性下降,且和电场符号无关,即KIC(E)/KIC=0.965-0.951E/EF.正、负电场均使硅油中应力腐蚀门槛应力强度因子KISCC下降,归一化应力腐蚀表观门槛值KISCC(E)/KISCC随归一化电场E/EDF线性下降,且和电场符号无关,即KISCC(E)/KISCC=1.05-1.01E/EDF.外应力能使正、负恒电场引起的电致滞后断裂门槛电场EDF下降,归一化门槛电场EDF(KI)/EDF随归一化应力强度因子KI/KISCC线性下降,即EDF(KI)/EDF=0.988-1.06KI/KISCC.
- 王毅褚武扬宿彦京高克玮乔利杰
- 关键词：电场归一化应力强度因子门槛值
- PZT陶瓷的氢致滞后断裂
- 2002年
- ＰＺＴ压电陶瓷单边缺口恒载荷试样两面镀镍后在ＮａＯＨ溶液中动态充氢时能发生氢致滞后断裂．研究了氢致滞后断裂门槛应力强度因子和试样中可扩散氢浓度的定量关系．结果表明,氢致断裂归一化门槛应力场强度因子ＫＩＨ/ＫＩＣ(ＫＩＣ＝１．３４Ｍｐａ·ｍ１/２)随氢浓度对数的升高而线性下降,即ＫＩＨ/ＫＩＣ＝０．４－０．１５５ｌｎＣｏ．当Ｃｏ＝９．８４×１０－４%(对应充氢电流３００ｍＡ/ｃｍ２)时,ＫＩＨ＝０．０１ＫＩＣ．这表明,ＰＺＴ陶瓷具有极高的氢致开裂敏感性．
- 王毅褚武扬乔利杰宿彦京
- 关键词：PZT压电陶瓷氢致开裂
