王宇
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
- 供职机构：浙江大学材料科学与工程学系硅材料国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 硅基GaN外延晶体学位相关系和生长机理研究
- 2000年
- 采用反应蒸发法在提高了缓冲层的生长温度 ,通过对Si基上GaN样品缓冲层区域的高分辨透射电镜像 (HRTEM)和界面区域的选区电子衍射 (SAED)分析的基础上 ,提出了本系统GaN外延的晶体学位相关系和生长机理。GaN与Si衬底之间存在着下列的晶体学位相关系 :GaN <0 0 0 1 >∥Si<1 1 1 >,GaN <1 1 2 - 0 >∥Si<1 1 0 >。GaN外延生长首先在硅衬底上形成GaN晶核 ,生长出GaN多晶缓冲层 ,GaN多晶层在随后的高温保温过程中重新结晶为择优取向的GaN微单晶层 ,最后以这种微单晶层为模板进行晶体大面积的二维生长。同时还发现较高的缓冲层温度也明显提高了GaN外延层的结晶质量。
- 叶志镇张昊翔赵炳辉王宇刘红学
- 关键词：氮化镓硅基
- GaN系量子阱器件的研究进展被引量：2
- 2001年
- 介绍了在蓝宝石衬底和 ELOG (外延横向过生长 )衬底上生长的 In Ga N量子阱 LED和 LD结构 ,并描述了 LED和
- 李嘉炜王宇叶志镇
- 关键词：量子阱器件氮化镓
- 通过离子注入进行硅基GaN的P型掺杂
- 本文中我们利用离子注入的方法对本系统外延生长的GaN薄膜进行Mg掺杂,通过在N<,2>气氛中退火,使用掺杂区域的本征N型GaN转为P型,空穴浓度为2.70×10<'17>/cm<'3>,迁移率为9.39cm<'2>/Vs...
- 张昊翔叶志镇赵炳辉王宇李嘉炜
- 关键词：离子注入GAN薄膜
- 文献传递
