樊勃
- 作品数:6 被引量:10H指数:2
- 供职机构:南开大学更多>>
- 发文基金:天津市科技发展战略研究计划项目更多>>
- 相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 无源超高频射频电子标签芯片模拟射频前端电路的分析与研究
- 超高频射频识别系统由于具有低成本、能够远距离读写等特点,其应用越来越广泛。本文主要针对无源超高频射频电子标签芯片的射频前端电路展开分析与研究。虽然本文对于无源超高频射频电子标签电路的研究是基于IS018000-6B/C协...
- 樊勃
- 关键词:电子标签读卡器芯片设计
- SOC用400~800MHz锁相环IP的设计被引量:6
- 2008年
- 设计了一个基于锁相环结构、可应用于SOC设计的时钟产生模块。电路输出频率在400~800MHz,使用SMIC0.18μm CMOS工艺进行流片。芯片核心模块工作电压为1.8V和3.3V。根据Hajimi关于VCO中抖动(jitter)的论述,为了降低输出抖动,采用一种全差动、满振幅结构的振荡器;同时,通过选取合适的偏置电流,实现对环路带宽的温度补偿。流片后测试结果为:输出频率范围400~800MHz,输入频率40~200MHz;在输出频率为800MHz时,功耗小于23mA,周期抖动峰峰值为62.5ps,均方根(rms)值为13.1ps,芯片面积0.6mm2。
- 樊勃戴宇杰张小兴吕英杰
- 关键词:时钟产生电路锁相环压控振荡器
- RFID中EEPROM时序及控制电路设计被引量:4
- 2008年
- RFID系统对电子标签中的存储器有着不同于传统存储器的要求。根据这一特点进一步简化了EEPROM的时序控制,提出了一种适用于RFID系统中EEPROM电路的时序,并在此基础上设计了用于电子标签完成读卡器要执行的命令和对处理数据存储的控制电路,使操作变得更加便捷。该电路设计基于0.35μmCMOS工艺,电源电压为3.3V,仿真结果显示,3.3V电源供电时,擦写编程电流为45μA,读数据工作电流为3μA,读数据周期为300ns,具有低功耗、高速度的特性。
- 程兆贤戴宇杰张小兴吕英杰樊勃
- 关键词:电可擦可编程只读存储器控制电路模拟仿真
- SOC用400MHz-800MHz锁相环的设计
- 本论文设计了一个基于PLL的用于SOC的时钟产生模块,输出频率在400MHz-800MHz,整个模块完全集成在芯片中,不需要外接电路。在完成了前端电路仿真,后端版图设计后,使用SMIC0.18umCMOS工艺进行流片,最...
- 樊勃
- 关键词:锁相环频谱分析
- 文献传递
- 应用于RFID E^2PROM的低功耗14V高压产生电路设计
- 2008年
- 设计了应用于RFID电子标签E2PROM存储器中的低功耗的14V产生电路.大多数电子标签中升压电路均采用MOS管交叉耦合结构,通过分析Dickson结构和MOS管交叉耦合结构电荷泵的优缺点并根据RFID的应用,采用Dickson结构作为升压电路.通过对传统Dickson电荷泵电路进行改进,采用高速的肖特基二极管,利用间歇泵压技术,同时通过直接从电子标签的整流电路端供给电源,并采用电平移动电路增加时钟信号的幅度,同时大幅度减少了芯片面积.利用Chartered 0.35 μmCMOS工艺流片,电荷泵电路最大平均电流小于20μA,实现了低功耗的目标,且已经成功应用于13.56MHz电子标签中.
- 董静飞樊勃戴宇杰张小兴吕英杰
- 关键词:RFID电荷泵低功耗肖特基二极管
- RFID ASK100%、10%调制时钟产生电路设计
- 2008年
- 设计了一种时钟产生电路,该电路采用基于低功耗锁相环(PLL)的方法,用于产生13.56MHz ASK100%、10%调制射频卡所需要的时钟。针对射频识别(RFID)系统,锁相环采取了特殊的设计。本电路作为模块可应用于符合ISO/IEC15693、ISO/IEC18000-3标准的非接触IC卡中。通过Cadence spectre软件,使用0.35μm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺模型进行验证。仿真结果显示:电路采用3.3V电源供电时,100%调制载波幅度为0%时,总工作电流仅为17μA。
- 杨俊焱戴宇杰张小兴吕英杰樊勃
- 关键词:射频识别锁相环幅度调制时钟产生互补金属氧化物半导体