朱龙德
- 作品数：9 被引量：5H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 光电子学与光电子产业专题系列介绍 量子阱电光调制器和光开关被引量：1
- 1992年
- 讨论了半导体量子阱中量子限制Ｓｔａｒｋ效应（ＱＣＳＥ）──垂直于量子阶层而的电场下吸收边的红移现象．由于这个效应，量子阱材料吸收边附近的光学常数受电场调制，其调制率比体村料大得多．利用吸收系数的变化可以制作光强度调制器和光开关，利用折射率的变化可以制作光相位调制器和光开关．这些器件因其工作电压低、调制率高、插入损耗小、功耗小，可以和其他光器件单片集成，在光通信和光信息处理技术中有实用价值．也讨论了半导体超晶格中Ｗａｎｎｉｅｒ－Ｓｔａｒｋ局域化效应，它引起超晶格吸收边的兰移，这一效应也可用于制作光调制器和光开关．
- 朱龙德
- 关键词：光电子学光调制器光开关
- GaAs/GaAlAs单量子阱电光吸收和光调制被引量：1
- 1990年
- 制作并研究了GaAs/GaAlAs分别限制单量子阱台面条形单模波导电致吸收光调制器。量子阱宽度为100A,长度为700μm的器件,当传输光波长为8650A时TE偏振最大调制深度(开关比)为29.7dB,插入损耗吸收分量为3dB;TM偏振最大调制深度为28.5dB。用2V电压幅度可以得到15dB的开关比。光电导谱的测量表明,偏压从+0.5V变到-7V时吸收边的红移为600A,即量子阱中室温激子的共振吸收峰移动了96meV。单阱高场条件下首次观察到了导带第二能级电子和价带第一能级空穴间激子的共振吸收线的出现,增强和移动。
- 朱龙德能飞克王启明陈正豪谢苑林顾世杰
- 关键词：GAAS/GAALAS调制
- 低压MOCVD生长的InGaAs/InP量子阱的光致发光谱线线宽及量子尺寸效应的测量分析
- 1993年
- 用低压MOCVD方法生长了InGaAs/InP单量子阱及多量子阱结构。用低温光致发光方法研究了量子阱样品因量子尺寸效应引起的激子能量移动以及激子谱线线宽同量子阱阱宽的关系,7A阱宽的激子能量移动达370meV。选取Q_c=△E_c/△E_g=0.4,采用修正后的Kronig-Penny模型,考虑能带的非抛物线性,拟合了激子能量移动和阱宽的关系曲线。用有效晶体近似方法(VCA)分析了激子尺寸范围内界面不平整度以及合金组分无序对激子谱线线宽的影响。以界面不平整度参量δ_1和δ_2,合金组分元序参量r_c为拟合参数,拟合了激子线宽对阱宽的关系曲线。取δ_1=2.93A,δ_2=100A,r_c=3ML,理论拟合值与实验值符合较好。
- 陈德勇朱龙德李晶熊飞克徐俊英万寿科梁骏吾
- 关键词：INGAAS/INP
- CCTS结构GaAs/AlGaAs单量子阱双稳态激光器被引量：1
- 1990年
- 本文报道了CaAs/AlGaAs单量子阱(SQW)双区共腔(CCTS)结构的双稳态激光器,给出了增益区和吸收区分别注入电流时的三端器件结构。并在脉冲工作下得到了双稳特性。
- 李建蒙朱龙德王启明
- 关键词：半导体激光器双稳态
- GaAs/AlGaAs梯度折射率分别限制单量子阱结构中的光增益谱分析
- 1990年
- 对不同阱宽的梯度折射率分别限制单量子阱激光器进行了TE、TM模的光增益谱测量对于阱宽大于120A的激光器,发射光谱和光增益谱都出现双峰,分别是由n=1和n=2的子带跃迁所造成,激光振荡出现在n=2的子带跃迁。随着阱宽减小,n=1子带跃迁的饱和增益增加,使激光振荡能在n=1子带发生,而n=2子带的受激就需要比原来更大的注入才有可能。材料增益随阱宽减小呈超线性地增加,从而降低了n=1子带受激的最小腔长。因此,用较窄的量子阱(≤100A),高的端面反射率和尽可能短的腔长,就能得到很低的阈电流。TE和TM模增益谱的不同,使激光器在一定阱宽和腔损耗下具有不同的TE和TM激射波长。
- 郑宝真许继宗王丽明徐仲英朱龙德
- 关键词：GAAS/ALGAAS梯度折射率
- 1.3微米InGaAsP质子轰击隔离条形DH激光器
- 朱龙德
- 该激光器是光导纤维通信中主要光源，它在石英光纤中损耗和色散小。该器件可用至几百Ｍｂ／ｓ光纤通信系统中，已在１４０Ｍｂ／ｓ四次群系统、模拟传输系统及光纤物性测试仪器中试用。该器件经部分单位试用表明，器件性能可满足国内目前以...
- 关键词：
- 关键词：质子轰击光导纤维激光器
- MOCVD生长的平面型InGaAs/InP PIN光电探测器件被引量：2
- 1993年
- 讨论了采用MOCVD技术生长的平面型InGaAs/InPPIN器件的光学特性及制备工艺。通过引入InP窗口层并制备合适的抗反射膜,大大提高了器件的量子效率,达到～96%,采用平面型结构有可能改善器件的稳定性和可靠性。
- 杨志鸿王树堂曾靖朱龙德孙捷夏彩虹沈戎归强
- 关键词：量子效率
- 质子轰击条形InGaAsP/InP双异质结激光器
- 1981年
- 用液相外延方法生长了InGaAsP/InP四层双异质结,采用了镀金石英玻璃炉和水平滑动式石墨舟.研究了外延生长界面平直晶体质量好的InGaAsP/InP和InP/InGaAsP异质结的工艺细节.测量了异质结晶格失配度,确定了异质结匹配生长条件。研究了在InP液相外延中锌和碲的掺杂规律,分析了掺锌工艺对p-n结的位置、结的注入效率和其它结特性的影响.制作了质子轰击条形InGaAsP/InP DH激光器.在室温(300K)连续激射波长为1.30-1.33μm.室温宽接触激光器的阈电流密度为2000A/cm^2,规一化阈电流密度为5kA/cm^2·μ.测量了阈电流随温度的变化,在80—285K范围内特征温度T_o=79-108K,室温附近T_o=63-73K.选择两只激光器作了长期工作实验,其中一只寿命为560小时,另一只已经工作2500 小时,现仍在继续工作中.
- 朱龙德张盛廉汪孝杰王莉高淑芬
- 关键词：INGAASP/INP激光器电子器件
- 一种GaAs/GaAlAs分别限制单量子阱锁相列阵激光器
- 1989年
- 本文描述一种由MOCVD生长的GaAs/GaAlAs 分别限制单量子阱片子制作的锁相列阵大功率激光器.由十个单横模器件耦合而成的列阵器件,其阈值电流为67mA,线性输出功率大于500mW,微分量子效率达60％.列阵器件由强耦合区和弱耦合区构成,考察了强耦合区的几何结构对耦合模即输出远场分布的影响.
- 朱龙德G.A.B.FeakJ.M.BallantyneD.K.WagnerP.L.Tihanyi
- 关键词：MOCVDGAALAS锁相列阵激光器
