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InGaAlP外延片的微分析: 2005年; 介绍了电子显微镜和二次离子质谱仪(SIMS)两种当前主要的微分析工具在四元InGaAlP发光二极管(LED)外延片分析过程中的应用,讨论了它们各自的适用领域,指出两者有机的结合可以得到比较全面的分析结果,为工艺监控和工艺改进提供了参考。; 樊华曹永明曾伟李越生; 关键词：电子显微镜二次离子质谱发光二极管外延片

利用SIMS分析研究离子注入损伤吸附杂质的作用被引量：1: 1998年; 用（BF2）+替代B+注入，是一种重要的注入掺杂形成浅结的工艺手段．（BF2）+注入也有不利的一面．剩余F原子的积聚以及大量二次缺陷的存在，都将影响PN结的性能．利用离子束损伤技术（IBDE）可以有效地消除上述（BF2）+注入的不足之处．该文利用SIMS技术，测试分析经预注入低能（BF2）+后，直接进行高温热退火的样品，以及预注入低能（BF2）+后，又经1MeVSi+辐照，再退火的样品．对比分析这两组样品中F+和B+的不同分布，研究IBDE对改善PN结性能的作用．; 曹永明张敬海蔡磊李越生宗祥福赵清太; 关键词：离子注入 VLSI SIMS

Mg在GaP材料中掺杂行为的SIMS分析: 本文应用二次离子质谱技术,研究了衬底温度和掺杂气体流量对Mg的掺杂浓度的影响.; 曹永明纪刚李越生方培源宗祥福; 关键词：镁发光材料; 文献传递

聚焦离子束无掩膜注入单晶硅离子浓度深度分布的研究被引量：1: 2007年; 随着聚焦离子束(focusedion beam,FIB)无掩膜微细加工能力的迅速发展,结合精确定位能力,FIB已成为新型且出色的纳米制造工具.对FIB无掩膜注入单晶硅衬底的注入效果与离子束流、注入剂量的关系进行研究发现,以固定能量注入的离子,当注入剂量恒定,离子浓度随深度的分布与离子束流大小无关;当离子束流恒定,注入离子的表面浓度随注入剂量的增加而增加,但是由于FIB注入的同时会刻蚀材料表面,注入剂量达到饱和值后,会造成材料一定程度的减薄.; 王蓓陈忠浩陆海纬宋云曹永明曾韡; 关键词：聚焦离子束溅射

铅同位素比值的飞行时间二次离子质谱法测量被引量：2: 1996年; 介绍了用飞行时间二次离子质谱法对器物中的铅同位素比值的测量。在仔细地讨论了质量干扰、二次离子产额的同位素分馆效应等对测量结果的影响后，认为本工作无需标准样品，可以实现对样品无损的高质量分辨的二次离子质谱分析。铅同位素比值的测量精确度优于１％。; 宋玲根蔡磊任云珠李白云陶莹曹永明宗祥福

重掺砷硅单晶中痕量硼的二次离子质谱定量分析被引量：5: 2003年; 重掺砷硅单晶中杂质硼含量的控制是十分关键的,因无法用常规的红外光谱法测试,于是转而使用二次离子质谱法来测试.虽然二次离子发射机理复杂,基体效应明显,但通过相对灵敏度因子法,还是能够比较精确地给出定量测试结果,解决重掺砷硅单晶中硼杂质的定量检测问题,进而为控制硼含量提供了依据和帮助.; 王铮曹永明方培源王家楫; 关键词：二次离子质谱硼硅材料

Cu互连工艺中Ta基扩散阻挡层的二次离子质谱剖析被引量：1: 2004年; With the development of deep submicron integrated circuits (IC), copper metallization has been a replacement for conventional aluminum metallization in high density IC manufacture. But Cu is quite mobile in Si and has poor adhesion to Si or SiO2, which could degrade the performance of copper interconnect. Therefore, a diffusion barrier layer between copper interconnect and Si device is necessary. In this paper, Ta-based barrier layers are deposited on Si substrate with deposition technology of magnetron sputtering. The depth profile of copper interconnect and Ta-diffusion barrier layer are investigated by second ion mass spectrometry(SIMS).; 曹永明方培源姜蕾; 关键词：互连工艺二次离子质谱

用二次离子质谱和扩展电阻探针技术测量硅中注入硼的深度分布及扩展电阻探针技术分辨率的估算被引量：2: 2003年; 利用二次离子质谱和扩展电阻探针技术测量了硅中注入硼的深度分布 .在适当的测量深度 ,用扩展电阻探针技术测得的结果对二次离子质谱技术测量的结果进行了标定 ,从而得到硅片中硼原子的深度分布 .用近似模型估算了扩展电阻探针针尖半径对测试分辨率的影响 .若探针针尖半径为r0 ,测量斜面的角度为 ξ ,在用扩展电阻探针技术测量载流子浓度的深度分布时 ,可以近似认为深度分辨率为 7 86r0 sinξ.还定性讨论了样品表面耗尽层对扩展电阻探针技术的影响 .; 杨恒青颜佳骅陈俭曹永明; 关键词：硅分辨率二次离子质谱

SOI材料中绝缘层界面处离子注入氟的SIMS剖析: Silicon-on-insulator (SOI) is well known as “new technology of Si semiconductor IC process in 21 Contrary”. Re...; 方培源曹永明; 关键词：SILICON-ON-INSULATOR SIMS FLUORINE; 文献传递

IMS-3f SIMS线扫描功能的应用被引量：1: 1989年; IMS-3f的线扫描功能,常用于样品表面较大范围内元素分布的检测。若将样品处理,例如切开、磨角,就可以用元素在表面分布的检测代替在体内分布的检测,因此可以解决元素深度分布剖析中的一些问题。; 曹永明卢世峰朱烨宗祥福; 关键词：SIMS 线扫描金属断裂半导体工艺

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曹永明