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徐叙溶

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：北方交通大学理学院光电子技术研究所更多>>
发文基金：国家重点实验室开放基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇导体
  • 1篇多量子阱
  • 1篇异质结
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体异质结

机构

  • 1篇北方交通大学
  • 1篇中山大学

作者

  • 1篇侯延冰
  • 1篇蔡志刚
  • 1篇张希清
  • 1篇王永生
  • 1篇赵福利
  • 1篇徐征
  • 1篇徐叙溶
  • 1篇汪河州
  • 1篇王振家

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇1999
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
CdSe/CdZnSe多量子阱的激子复合性质的研究
1999年
采用ＭＢＥ制备了ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳｅ 多量子阱结构．Ｘ射线衍射谱的最高阶次是７，在７７Ｋ下ＰＬ光谱的线宽是４．２ｎｍ ，表明我们的样品具有较高的质量．在变密度激发的ｐｓ 时间分辨光谱中，随着激发密度的减小发光衰减时间减小，认为是由无辐射复合引起的．
张希清徐征侯延冰王振家王永生徐叙溶Z.K.Tang汪河州李伟良赵福利蔡志刚周建英
关键词：多量子阱半导体异质结
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共1页<1>
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