张进
- 作品数：4 被引量：18H指数：2
- 供职机构：河北工业大学电子信息工程学院更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 氢化非晶硅薄膜H含量控制研究进展被引量：2
- 2009年
- 氢化非晶硅薄膜(a-Si∶H)是目前重要的光敏材料,而薄膜中的H含量及组态对薄膜的稳定性有着极其重要的影响。介绍了H对薄膜稳定性影响的原理,提出了控制薄膜中的H含量的必要性。分析了H在H稀释硅烷法制备氢化非晶硅中的作用,论述了制备工艺中衬底温度、H稀释比、气体压强等对薄膜H含量的影响及其机理,并对用不同方法控制H含量的优缺点进行了比较,分析了通过以上三种方法控制薄膜H含量的局限性。探寻了控制薄膜H含量的新方法,并对该领域的发展方向进行了展望。
- 张伟周建伟刘玉岭赵之雯张进杨玉楼
- 关键词：氢化非晶硅光敏材料红外光谱反应机理
- 多线程串口类在实时数据采集系统中的应用被引量：6
- 2010年
- 讨论了CSerialPort串口类在数据采集系统中的应用。在VC.NET编译环境下,利用CSerialPort串口类,设计了串口通信软件,用于实时数据曲线的绘制、数据存储、打印及报警等处理。
- 申晓宁赵毅强张进檀柏梅张伟
- 关键词：串行通信RS232实时数据采集
- ULSI中多层Cu布线CMP表面粗糙度的分析和研究被引量：9
- 2009年
- 分析介绍了Cu层表面粗糙度对器件性能的影响以及超大规模集成电路中多层Cu布线CMP的作用机理,研究分析了碱性抛光液对Cu的表面粗糙度的影响因素,如磨料、氧化剂、pH值、表面活性剂等对表面粗糙度的影响。实验证明,在一定的抛光条件下,选用SiO2为磨料、双氧水为氧化剂的碱性抛光液可以有效降低Cu层的表面粗糙度,使之达到纳米级,得到良好的抛光效果,从而解决了超大规模集成电路多层Cu布线化学机械抛光中比较重要的技术问题。
- 苏艳勤刘玉岭刘效岩康海燕武彩霞张进
- 关键词：化学机械抛光碱性抛光液铜布线表面粗糙度
- ULSI多层互连中W-CMP速率研究被引量：1
- 2009年
- 随着IC制造技术进入到亚深微米时代,化学机械抛光(CMP)工艺成为ULSI多层布线的关键技术之一。分析了W-CMP的机理,抛光液对W材料表面具有化学腐蚀和机械研磨的双重作用,对抛光速率有着重要的影响。在分析了抛光液中各组分的作用基础上,重点研究了专用的氧化剂、磨料、pH值调节剂和抛光液流量对CMP速率的影响,优化配制了高速率、高平整的碱性W抛光液。实验证明,抛光液流量为150mL/min,V(硅溶胶):V(水)=1:1,有机碱为5mL/L,活性剂为5mL/L,H2O2质量浓度为20mL/L时,能够获得较高的抛光速率,并实现了全局平坦化。最后对W-CMP中存在的问题和发展趋势进行了分析和展望。
- 张进刘玉岭申晓宁张伟苏艳勤
- 关键词：化学机械抛光抛光液抛光速率
