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张艳

作品数:3 被引量:11H指数:2
供职机构:南京师范大学化学与环境科学学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金教育部留学回国人员科研启动基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇理学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇分子
  • 3篇高分子
  • 2篇导电高分子
  • 1篇导电高分子材...
  • 1篇电荷
  • 1篇电化学
  • 1篇载流子
  • 1篇迁移
  • 1篇迁移率
  • 1篇聚苯
  • 1篇聚苯胺
  • 1篇共聚
  • 1篇共轭
  • 1篇光谱
  • 1篇光谱电化学
  • 1篇硅烷
  • 1篇分子材料
  • 1篇分子膜
  • 1篇高分子薄膜
  • 1篇高分子材料

机构

  • 3篇南京师范大学

作者

  • 3篇张艳
  • 3篇孙培培
  • 3篇蒋晓青
  • 1篇李鑫
  • 1篇张荣荣

传媒

  • 1篇化学学报
  • 1篇南京师范大学...
  • 1篇2009年第...

年份

  • 3篇2009
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
π–共轭导电高分子中的电荷传导机理的研究
近年来导电高分子材料中电荷传导机理吸引了大量物理和化学研究工作者.载流子的迁移率(μ)是表征电荷传导机理的一种有效的物理量。目前测定导电高分子薄膜中载流子μ的方法主要有场效应法、飞行时间法和霍尔效应法。然而前两者主要用于...
蒋晓青张荣荣张艳孙培培
关键词:导电高分子材料高分子薄膜
文献传递
一系列单硅烷-寡聚噻吩共聚高分子膜中电荷载流子及其迁移率的研究被引量:2
2009年
研究了一系列由单硅烷和寡聚噻吩组成的共聚高分子膜在较宽掺杂电位范围内的光谱电化学变化规律.用PSnT表示这一系列共聚高分子,其中n表示高分子链上寡聚噻吩单元中噻吩环的个数,n分别为5,7,8,10和14.结果表明在一定的掺杂电位范围内这些PSnT膜可以可逆地电致变色.PSnT膜的光谱电化学和循环伏安研究均表明在电化学掺杂过程中PSnT膜中的寡聚噻吩单元可被两步氧化.第一步氧化生成极子,极子可二聚形成π-dimers,两者之间存在着平衡.而第二步氧化生成双极子.双极子不能稳定存在于PS5T和PS7T膜中,但可稳定存在于其它具有更长寡聚噻吩单元的PSnT膜中.结合PSnT膜在不同电位下的表观迁移率数据讨论了膜中各种载流子对表观迁移率的影响.表明当掺杂电位低于两步氧化过程的平均电位Emean时,膜中表观迁移率的增加主要是由于π-dimers的形成及数量增加所引起的.随着寡聚噻吩共轭长度(n)的增加,π-dimers更易形成,因此PSnT膜中载流子的表观迁移率在更低的掺杂电位下开始增加并具有更大的增幅.
蒋晓青张艳李鑫孙培培
关键词:光谱电化学载流子
纳米结构聚苯胺的合成及性质被引量:9
2009年
结合最新研究现状,简述了纳米结构聚苯胺的结构、掺杂特点及性质,并详细介绍了具有纳米结构聚苯胺的合成方法.采用化学合成和电化学合成方法均可成功制备纳米级导电聚苯胺粒子.化学合成法主要包括各种软、硬模板法以及非模板合成法.值得指出的是非模板合成法中的界面聚合法及快速混合反应法是获得大量的、形貌及尺寸可控的、高品质纳米结构聚苯胺的简易新方法.
张艳孙培培蒋晓青
关键词:导电高分子聚苯胺
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