您的位置： 专家智库 > >

张继昌

作品数：3 被引量：2H指数：1
供职机构：同济大学理学院物理系更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇红外
  • 2篇硅
  • 1篇单晶
  • 1篇载流子
  • 1篇载流子浓度
  • 1篇退火
  • 1篇热退火
  • 1篇自由载流子
  • 1篇吸收测定法
  • 1篇晶体
  • 1篇快速热退火
  • 1篇硅单晶
  • 1篇硅晶
  • 1篇硅晶体
  • 1篇硅中氧
  • 1篇红外辐射
  • 1篇红外吸收
  • 1篇高纯
  • 1篇氧
  • 1篇FTIR

机构

  • 3篇复旦大学
  • 3篇同济大学
  • 3篇中国科学院

作者

  • 3篇邬建根
  • 3篇张继昌

传媒

  • 2篇稀有金属
  • 1篇红外与毫米波...

年份

  • 1篇1992
  • 2篇1991
共 3 条 记 录，以下是 1-3
全选 清除 导出
排序方式：
高纯真空区熔硅单晶在快速热退火下的红外吸收
1991年
高纯真空区熔硅单晶经离子注入和氮气氛中的快速热退火后,在4.2K的红外吸收谱中观察到1136cm^(-1)的氧特征峰;而类似的样品未经快速热退火,则无此吸收峰。利用硅表面的SiO_2层中氧的恒定表面浓度扩散近似,得到样品中氧的计算值和实验值大致相符。
张继昌邬建根马碧兰屈逢源朱景兵
关键词：硅晶体快速热退火红外吸收
硅中氧的FTIR研究
1992年
对不同氧含量的硅片在300K到4.2K温度范围进行红外吸收测量表明:低温(80～4.2K)下硅的红外吸收谱中1127cm^(-1)处的吸收是硅中氧的吸收峰.
马碧兰朱景兵邬建根张继昌周寿通屈逢源
关键词：硅氧红外辐射
硅中载流子浓度的红外自由载流子吸收测定法被引量：2
1991年
硅材料和硅器件的许多性质和性能都与载流子浓度有直接依赖关系。测定硅中载流子浓度已发展有许多方法,如四探针法、霍耳系数法,C-V法、光致荧光法、杂质吸收法等等。1958年吴仲墀等人利用室温下10.6μm处自由载流子的吸收系数α测定硅中载流子浓度,作者则采用在500～3500cm-1红外波段内测量的吸收系数α,得到了载流子浓度N。
马碧兰邬建根屈逢源朱景兵张继昌
关键词：硅载流子浓度
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0