公共文化服务平台

张德坤: 作品数：192 被引量：258H指数：9; 供职机构：南开大学更多>>; 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划中央高校基本科研业务费专项资金更多>>; 相关领域：电气工程理学电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

硅薄膜太阳电池集成组件的制备技术: 本发明涉及一种硅薄膜太阳电池集成组件，它的结构和制备技术，特别是具有氧化锌(ZnO)背反射电极的硅薄膜太阳电池集成组件及其制备技术。而ZnO背反射电极是硅薄膜太阳电池陷光结构的重要组成部分，可大幅提高电池效率。它涉及硅薄...; 赵颖耿新华张晓丹魏长春薛俊明仁慧志张德坤孙建侯国付张建军熊绍珍; 文献传递

超薄高速率单结微晶硅薄膜电池及其叠层电池被引量：3: 2015年; 采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术,基于优化表面形貌及光电特性的溅射后腐蚀ZnO:Al衬底,将通过调控工艺参数获得的器件质量级高速微晶硅(μc-Si:H)材料(沉积速率达10.57?/s)应用到微晶硅单结电池中,获得了初始效率达7.49%的高速率超薄微晶硅单结太阳电池(本征层厚度为1.1μm).并提出插入n型微晶硅和p型微晶硅的隧穿复合结,实现了非晶硅顶电池和微晶硅底电池之间的低损电连接,由此获得了初始效率高达12.03%(Voc=1.48 eV,Jsc=11.67 m A/cm2,FF=69.59%)的非晶硅/微晶硅超薄双结叠层电池(总厚度为1.48μm),为实现低成本生产太阳电池奠定了基础.; 白立沙李天天刘伯飞黄茜李宝璋张德坤孙建魏长春赵颖张晓丹; 关键词：超薄高速率

a-Si太阳电池陷光结构的新模型及其优化被引量：5: 2001年; 我们在分析陷光结构的表面形貌后 ,对陷光结构提出一个新的模型 ,并用它计算和分析折射率、形貌和膜厚等参数对陷光效果的影响。通过计算 ,我们找出这些参数的最佳值 ,并依此对陷光结构进行优化。; 麦耀华李洪波薛俊明杨恢东任慧志张德坤王宗畔耿新华; 关键词：非晶硅太阳电池陷光结构

一种宽光谱特性改善的HAZO/AZO复合透明导电前电极及应用: 一种宽光谱特性改善的HAZO/AZO复合透明导电前电极，采用磁控溅射及后腐蚀技术，以玻璃或聚酰亚胺为衬底材料，以ZnO∶Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>陶瓷靶为靶材原料。首先通过在溅射气氛中引入一定...; 黄茜张晓丹赵颖张德坤; 文献传递

薄膜太阳电池用TCO薄膜制造技术特性研究: 磁控溅射＆湿法刻蚀技术和LP-MOCVD技术是制造绒面结构ZnO-TCO薄膜的主流生长技术;绒面结构可以提高薄膜太阳电池效率和稳定性，从而降低生产成本。高迁移率TCO薄膜以及柔性衬底TCO薄膜是当前研究开发的...; 陈新亮张晓丹赵颖耿新华李林娜林泉任世荣倪牮张德坤孙建张建军; 关键词：薄膜太阳电池磁控溅射; 文献传递

用直流磁控溅射法研制非晶硅太阳电池ZnO/Al背反射电极被引量：8: 2007年; 本文首先在低温（140℃）和低功率下采用Zn：Al合金靶直流反应磁控溅射法研制ZnO：Al透明导电膜。然后在单结（glass／SnO2／pin／）或双结（glass／SnO2／pin／pin／）非晶硅电池上沉积约70-100nm厚的ZnO透明导电膜，最后再用电阻蒸发法沉积Al电极。实验获得了较好的n^＋／ZnO界面，实现了ZnO／Al背电极的增反作用，使电池的短路电流增加1-3mA／cm^2，光电转化效率提高1—3％（绝对效率），小面积电池效率达到9．5％。; 薛俊明孙建任慧志刘云周段苓伟周祯华张德坤赵颖耿新华; 关键词：非晶硅电池背反射短路电流

氢气引入对宽光谱Mg和Ga共掺杂ZnO透明导电薄膜的特性影响被引量：5: 2014年; 为适应宽光谱高效率硅基薄膜太阳电池的应用需求,本文尝试采用直流磁控溅射技术在553 K衬底温度下生长氢化Mg和Ga共掺杂ZnO(HMGZO)透明导电氧化物(TCO)薄膜.通过对薄膜微观结构、表面形貌、电学以及光学性能的测试和分析,详细地研究了氢气(H2)流量(0—16.0 sccm)对HMGZO薄膜结晶特性及光电性能的影响.实验结果表明:生长获得的HMGZO薄膜均为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,择优取向为(002)晶面生长方向.薄膜的生长速率随着氢气流量的增加呈现逐渐减小趋势,主要归因于溅射产额的减小.适当的氢气引入会引起晶粒尺寸的增加.随着氢气流量由0增加至4.0 sccm,ZnO薄膜电阻率从177?·cm急剧减小至7.2×10-3?·cm,主要是由于H施主的引入显著地增加了载流子浓度;然而进一步增加氢气流量(4.0—16.0 sccm)造成电阻率的轻微增加,主要归因于载流子浓度的减小以及过多氢杂质引入造成杂质散射的增加.所有生长获得的HMGZO薄膜平均光学透过率在波长λ～320—1100 nm范围内可达87%以上.由于Mg的作用及Burstein-Moss效应的影响造成了带隙展宽,带隙变化范围～3.49—3.70 eV,其中最大光学带隙Eg可达～3.70 eV.; 田淙升陈新亮刘杰铭张德坤魏长春赵颖张晓丹; 关键词：磁控溅射

氢气对脉冲磁控溅射掺铝氧化锌薄膜性能的影响: 采用脉冲磁控溅射法制备铝掺杂氧化锌(AzO)薄膜，通常在纯氩气环境中制备的AZO薄膜透过率较低。以AZO透明导电薄膜作为硅基薄膜太阳电池的前电池，较低的透过率将严重影响电池的光电转换效率，这对AZO薄膜是十分不利的。为了...; 李林娜陈新亮张德坤张晓丹赵颖; 关键词：磁控溅射氧化锌薄膜薄膜太阳电池; 文献传递

一种绒面结构BZO/HGZO复合薄膜及应用: 一种绒面结构BZO/HGZO复合薄膜，具有玻璃/绒面结构BZO/高电导率HGZO结构，其中BZO为B掺杂ZnO；HGZO为H化Ga掺杂ZnO；其制备方法是利用MOCVD技术和磁控溅射技术相结合生长高迁移率绒面结构BZO/...; 陈新亮耿新华王斐闫聪博张德坤孙建魏长春张建军张晓丹赵颖

利用直流控射方法制备具有高迁移率、高红外透过的ZnO:H薄膜: 对于传统的AZO、GZO来说要想实现其高电导就必须提高掺杂浓度来提高载流子浓度,然而过高的载流子浓度对红外光的吸收异常严重.本文通过引入氢气作为掺杂源,利用磁控溅射方法生长ZnO:H薄膜,在维持电学性能不变的前提下降低载...; 梁俊辉陈泽梁雪娇赵颖张晓丹黄茜张德坤孙建魏长春王延峰田淙升刘杰铭; 关键词：电学性能; 文献传递