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张佑文
作品数:
4
被引量:11
H指数:2
供职机构:
东南大学电子科学与工程学院
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
理学
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合作作者
孙承休
东南大学电子科学与工程学院
俞建华
东南大学电子科学与工程学院
王茂祥
南京大学工程管理学院
魏同立
东南大学物理系
聂丽程
东南大学电子科学与工程学院
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作者
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孙承休
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张佑文
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固体电子学研...
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物理学报
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电子学报
年份
1篇
2008
2篇
1998
1篇
1997
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多层膜结构MIM隧道发光结的研究
被引量:1
1998年
在普通MIM隧道发光结的基础上,制备了多层膜结构MIM发光结。这种结构的发光结含有两层氧化物绝缘层及双层MgF2。其发光性能优良,发光效率达10-6-10-5量级。测试表明,其光谱谱峰较普通MIM结有蓝移现象,并且I—V特性中存在强烈的负阻现象(NRP)。
王茂祥
张佑文
俞建华
孙承休
杜建洪
关键词:
多层膜结构
光谱
负阻现象
发光器件
金属/绝缘层/金属隧道结的粗糙度与发光光谱的关系
被引量:5
1997年
在金属/绝缘层/金属(Metal/Insulator/Metal,MIM)隧道结发光中,粗糙度与表面等离电磁场量子(SurfacePlasmonPolariton,SPP)的耦合起着非常重要的作用.本文利用原子力显微镜摄得发光MIM隧道结粗糙表面的照片,研究了粗糙度分布的统计结果与测得的发光光谱之间的关系.
张佑文
孙承休
高中林
孙曰俊
关键词:
粗糙度
发光光谱
光电器件
双势垒隧道发光结的结构特点及其性能分析
2008年
成功地制备了Cu-Al2O3-MgF2-Au及Si-SiO2-Al-Al2O3-Au两种结构双势垒隧道发光结。由于双势垒结中第二栅存在着不同的分立能级,电子存在共振隧穿效应,使双势垒隧道结发光光谱的波长范围及谱峰位置比普通单势垒隧道结均向短波方向发生了移动。对双势垒隧道发光结的I-V特性测试表明,I-V曲线中存在着明显的负阻区,分析表明,负阻现象与电子的隧穿特性、表面等离极化激元(SPP)的激发及SPP的耦合发光之间相互关联。
王茂祥
聂丽程
张佑文
俞建华
孙承休
关键词:
双势垒
共振隧穿
发光光谱
负阻现象
金属-绝缘体-金属隧道发光结的电子隧穿和负阻现象
被引量:6
1998年
薄膜AuAl2O3Al隧道结(MIMTJ)在产生可见光发射的同时表现出了明显的负阻现象.这种负阻现象的物理机制是由于结中产生了作为发光中介作用的表面等离极化激元(SPP)对隧穿电子的阻挡作用.通过MIMTJ的电子输运的电路模拟和IV特性的数值计算,揭示了SPP在IV特性曲线中的负阻。
俞建华
孙承休
王茂祥
张佑文
魏同立
关键词:
电子隧穿
隧道结
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