唐莹 作品数:11 被引量:32 H指数:3 供职机构: 兰州大学 更多>> 发文基金: 甘肃省自然科学基金 教育部高等学校骨干教师资助计划 更多>> 相关领域: 电子电信 理学 更多>>
电力静电感应器件的研制 静电感应器件 (Static Induction Device—SID) 是一类新型的电力电子器件,主要包括双极型静电感应晶体管(BSIT)、静电感应晶体管(SIT)和静电感应晶闸管(SITH)三类器件,具有其它半导体器... 唐莹关键词:静电感应器件 版图设计 刻蚀工艺 静电感应晶闸管的负阻转折特性 被引量:1 2007年 针对静电感应晶闸管SITH在正向阻断态下加负栅压,当阳极电压增加到一定程度后I-V特性出现负阻转折的特性,以一种全新的角度,从SITH的作用机理出发,考虑双注入效应,考虑载流子寿命的变化,对负阻现象进行了物理分析,并计算了负阻转折电压和转折电流. 唐莹 刘肃 李思渊 胡冬青 常鹏 杨涛关键词:SITH 少子寿命 一种多槽结构静电感应器件及其制备方法 本发明为一种多槽结构静电感应器件及其制备方法,涉及半导体领域。现有技术中存在栅-源(阴)极电压(V<Sub>GS(K)</Sub>)和伏-安特性(I-V特性)的统一问题,即V<Sub>GS(K)</Sub>过高,I-V特... 李海蓉 李思渊 刘肃 唐莹 李海霞文献传递 Low Temperature Synthesis and Optical Properties of ZnO Nanowires 被引量:2 2007年 ZnO nanowire arrays are fabricated on anodized aluminum oxide templates with electric field-assisted electrochemical technology. Transmission electron microscopy results indicate that the nanowires are straight and uniform. X-ray diffraction patterns indicate that the nanowires are highly oriented. The result of selected area electron diffraction suggests that the nanowires are single crystals. The photoluminescence spectrum presents a broad-band luminescence in the region of 350-650nm. The effect of the assisted transverse electric field on the growth process of ZnO nanowires is also discussed. 常鹏 刘肃 陈溶波 唐莹 韩根亮关键词:ZNO ELECTROCHEMICAL NANOWIRES 电场辅助电化学法沉积ZnO纳米线 被引量:7 2008年 采用电场辅助电化学沉积的方法成功的在阳极氧化铝模板中沉积出ZnO纳米线阵列。透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)测试结果表明,制备的纳米线是单晶ZnO纳米线,形貌均匀,直径大约为60nm,并且择优于(101)晶面。我们对生长过程中所加辅助电场的作用给出了初步的解释。 常鹏 刘肃 陈容波 唐莹 韩根亮关键词:ZNO纳米线 电化学沉积 PL谱 水热法制备硫化锌纳米线及性能研究 被引量:15 2007年 采用水热法成功制备出准一维的硫化锌单晶纳米线。XRD图谱显示,实验制备的硫化锌纳米线是纤锌矿结构,择优c轴即(002)晶面生长。TEM显示硫化锌纳米线长度达几十微米,最大直径约为50nm,有些纳米线的直径在20nm左右。SAED图显示实验得到的是单晶硫化锌纳米线,HRTEM图片中可以明显看到原子晶面排列,测量得出晶面间距为0.313nm,对应于ZnS的(001)晶面。文中研究了硫化锌纳米线的光致发光特性并对发光机制进行了探讨。 常鹏 刘肃 王秀华 唐莹关键词:水热法 单晶 光致发光 一种新型结构的静电感应晶体管 被引量:1 2007年 提出了一种新型结构的静电感应器件,设计了一道环绕的深槽,用以切断寄生效应.静电感应器件的寄生效应会导致器件性能的劣化甚至失效,文中提出了寄生效应的模型,并用PSPICE进行了仿真模拟,数值模拟结果和实验结果一致.实验表明这种深槽结构能够有效截断寄生路径,消除寄生电流的影响,优化器件性能.同时,文章详细描述了这种器件的设计和制造工艺. 唐莹 刘肃 李思渊 吴蓉 常鹏关键词:静电感应晶体管 寄生效应 碳化硅材料在微电子机械系统中的应用 被引量:2 2002年 碳化硅材料包括单晶碳化硅、多晶碳化硅、无定形碳化硅等,由于其显著的材料特性,如耐热、耐磨、化学惰性和高硬度等,近年来在微电子机械系统(MEMS)领域受到越来越多的关注。应用特定的工艺条件将碳化硅材料制成MEMS器件,可以在某些特殊条件下使用,克服了常规材料本身的局限性,从而为碳化硅材料的应用开发了新的领域。追踪这一国际热点研究问题,针对以上几种不同形态材料,分别举例说明了它们在MEMS领域应用的进展情况。 刘肃 唐莹 李思渊关键词:碳化硅 微电子机械系统 微结构 MEMS 静电感应器件制造中的染磷技术及相匹配的外延工艺 本发明为静电感应器件制造中的染磷技术及相匹配的外延工艺,涉及静电感应器件制造技术。由于反型杂质的高精度补偿工艺复杂,补偿度难于控制,本发明通过在扩磷工序中用三氯氧磷对硅片进行染磷,同时通过对外延工艺条件的控制,采用SiC... 李海蓉 李思渊 刘肃 王永顺 唐莹 李海霞文献传递 一种多槽结构静电感应器件及其制备方法 本发明为一种多槽结构静电感应器件及其制备方法,涉及半导体领域。现有技术中存在栅-源(阴)极电压(V<Sub>GS(K)</Sub>)和伏-安特性(I-V特性)的统一问题,即V<Sub>GS(K)</Sub>过高,I-V特... 李海蓉 李思渊 刘肃 唐莹 李海霞文献传递