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周志敏

作品数:44 被引量:21H指数:3
供职机构:上海交通大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金上海市科委纳米专项基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:理学电气工程电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 21篇专利
  • 20篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 10篇理学
  • 7篇电气工程
  • 3篇电子电信
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇机械工程

主题

  • 19篇巨磁阻
  • 19篇巨磁阻抗
  • 19篇磁阻
  • 19篇磁阻抗
  • 16篇巨磁阻抗效应
  • 13篇感器
  • 13篇传感
  • 13篇传感器
  • 9篇微机电系统
  • 9篇机电系统
  • 9篇电系统
  • 8篇多层膜
  • 8篇磁敏
  • 6篇磁敏器件
  • 5篇微机
  • 5篇微细
  • 5篇微细加工
  • 5篇基于微机
  • 5篇光刻
  • 5篇B/C

机构

  • 43篇上海交通大学
  • 1篇上海工程技术...
  • 1篇中国科学院力...

作者

  • 43篇周志敏
  • 41篇周勇
  • 32篇丁文
  • 20篇曹莹
  • 15篇陈吉安
  • 13篇雷冲
  • 9篇高孝裕
  • 7篇陈磊
  • 6篇张亚民
  • 6篇王明军
  • 5篇余先育
  • 5篇商干兵
  • 3篇冯书谊
  • 2篇杨春生
  • 2篇向毅
  • 2篇张桂林
  • 1篇赵晓昱
  • 1篇毛海平
  • 1篇张泰华
  • 1篇郭绍寅

传媒

  • 8篇电子元件与材...
  • 4篇功能材料
  • 2篇磁性材料及器...
  • 1篇上海交通大学...
  • 1篇电子器件
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇信息记录材料
  • 1篇金属功能材料
  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2016
  • 2篇2012
  • 4篇2011
  • 3篇2010
  • 5篇2009
  • 6篇2008
  • 2篇2007
  • 6篇2006
  • 13篇2005
  • 1篇2004
44 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
集成磁弹性传感器
一种微机电系统技术领域的集成磁弹性传感器,包括:玻璃衬底、磁场激励偏置线圈、信号接受线圈、传感器支撑、磁性带材和绝缘材料层,磁场激励偏置线圈位于玻璃衬底上,信号接受线圈位于磁场激励偏置线圈的上方,传感器支撑位于信号接受线...
周志敏周勇雷冲陈磊丁文
文献传递
微桥法镍膜的弹性模量和残余应力测量被引量:1
2004年
利用MEMS技术制作了不同尺寸的镍(Ni)膜微桥结构样品。采用纳米压痕仪XP系统测量了微桥载荷与位移的关系,并结合微桥力学理论模型得到了两种不同尺寸的Ni膜的弹性模量和残余应力。结果表明,两种不同尺寸的Ni膜的弹性模量结果一致,为190 GPa左右,但是残余应力变化较大。与采用纳米压痕仪直接测得的带有硅(Si)基底的Ni膜弹性模量186.8 7.5 GPa相比较,两者符合较好。
王明军周勇陈吉安杨春生张亚民高孝裕周志敏张泰华
关键词:MEMS技术弹性模量残余应力
Cu层宽度对弯曲型三明治结构FeCuNbCrSiB/Cu/FeCuNbCrSiB多层膜应力阻抗效应的影响
2005年
基于MEMS微细加工工艺,利用磁控溅射方法在Si基片上制备了不同Cu层宽度弯曲型三明治结构的FeCuNbCrSiB/Cu/FeCuNbCrSiB多层膜,在频率1~40MHz下研究了Cu层宽度对多层膜的应力阻抗效应的影响。结果表明,弯曲型三明治结构多层膜的应力阻抗(SJ)效应随Cu层宽度的变化有明显的变化,在频率5MHz、基片自由端在y轴方向偏移的距离h为1500μm时,当Cu层宽度为0.4mm时,应力阻抗效应达-25%左右。
陈吉安张亚民赵晓昱周勇周志敏王明军高孝裕
关键词:微细加工
非接触式共轴磁弹性传感器
一种非接触式共轴磁弹性传感器,属于测量技术领域。本发明包括:第一PVC管(聚氯乙烯管)、第二PVC管、第三PVC管、偏置线圈、激励线圈、接收线圈和软磁带材,其中:第一PVC管同轴地套接于第二PVC管的外部,第二PVC管同...
周志敏周勇陈磊雷冲丁文
文献传递
基于软磁多层膜巨磁阻抗效应的磁敏器件的制作方法
一种基于软磁多层膜巨磁阻抗效应的磁敏器件的制作方法,属于传感器技术领域。本发明采用薄膜技术和微机电系统(MEMS)技术,对双面氧化的硅片进行处理,得到双面套刻对准符号;采用薄膜技术和MEMS技术制备纳米晶成份的曲折状三明...
周勇丁文曹莹陈吉安周志敏
文献传递
基于软磁多层膜巨磁阻抗效应的磁敏器件的制作方法
一种基于软磁多层膜巨磁阻抗效应的磁敏器件的制作方法,属于传感器技术领域。本发明采用薄膜技术和微机电系统(MEMS)技术,对双面氧化的硅片进行处理,得到双面套刻对准符号;采用薄膜技术和MEMS技术制备纳米晶成分的曲折状三明...
周勇丁文曹莹陈吉安周志敏
文献传递
集成偏置线圈式巨磁阻抗效应磁敏传感器
一种微机电系统技术领域的集成偏置线圈式巨磁阻抗效应磁敏传感器,包括:表面氧化的Si衬底、曲折多匝传感器、螺线管偏置线圈以及绝缘材料,曲折多匝传感器位于螺线管偏置线圈的内部轴心位置,绝缘材料包裹于曲折多匝传感器外部,线圈位...
周志敏周勇雷冲陈磊丁文
文献传递
曲折多匝结构巨磁阻抗效应传感器
一种曲折多匝结构巨磁阻抗效应传感器,属于测量技术领域。本发明包括:带SiO<Sub>2</Sub>层的硅衬底、软磁多层膜和引脚,其中:软磁多层膜位于带SiO<Sub>2</Sub>层的硅衬底上,引脚的一端与软磁多层膜固定...
周志敏周勇陈磊雷冲丁文
文献传递
微桥试验法评价薄膜力学性能的研究被引量:1
2005年
提出了弹性极限和小挠度极限的概念,对微桥在不同长度、厚度以及可能的弹性模量和残余应力范围内的变形行为进行了表征,提出基于弹性、小挠度极限来选择微桥尺度,并确定实验载荷及小挠度范围的方法,解决了微桥样品尺度以及载荷、挠度范围选择的问题。对两组挠度-载荷实验曲线的分析表明了该方法的可行性。
周志敏周勇丁文曹莹陈吉安杨春生
关键词:力学性能
弯曲型三明治结构FeCuNbCrSiB/Cu/FeCuNbCrSiB多层膜巨磁阻抗效应研究
2005年
利用磁控溅射方法及微细加工技术制备了弯曲型三明治结构的FeCuNbCrSiB/Cu/FeCuNbCrSiB多层膜,在频率1~40MHz下研究了多层膜的纵向和横向巨磁阻抗效应,结果表明弯曲型三明治结构多层膜的巨磁阻抗效应高于它的传统的多层膜。在频率10MHz、磁场11.94kA/m下巨磁阻抗效应达-50%。
张亚民陈吉安丁文周勇王明军高孝裕周志敏
关键词:巨磁阻抗微细加工
共5页<12345>
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