周小伟
- 作品数：102 被引量：24H指数：2
- 供职机构：西安电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家科技重大专项国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术化学工程更多>>
- 大角度斜切蓝宝石衬底AlN制备、发光二极管及其制备方法
- 本发明公开了一种大角度斜切蓝宝石衬底AlN制备、发光二极管及其制备方法，大角度斜切蓝宝石衬底AlN制备方法包括：选取大角度斜切蓝宝石衬底、常规蓝宝石衬底；分别在大角度斜切蓝宝石衬底、常规蓝宝石衬底上生长AlN层得到大角度...
- 周小伟岳文凯吴金星李培咸王燕丽许晟睿马晓华郝跃
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- 基于m面SiC衬底的非极性m面GaN薄膜的MOCVD生长方法
- 本发明公开了一种基于m面SiC衬底非极性m面GaN薄膜的MOCVD生长方法，主要解决常规非极性GaN生长中质量差、工艺复杂的问题。其生长步骤是：(1)将m面SiC衬底置于MOCVD反应室中，并向反应室通入氢气与氨气的混合...
- 郝跃许晟瑞张进成周小伟欧新秀付小凡杨传凯薛军帅
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- 基于c面SiC图形衬底的极性c面AlN薄膜及其制备方法
- 本发明公开了一种基于c面SiC图形衬底的极性c面AlN薄膜，主要解决现有技术工艺复杂，制作周期长和费用高的问题。其自下而上包括：100‑500um厚的c面SiC衬底层、10‑150nm厚的GaN成核层、1000‑6000...
- 周小伟赵颖杜金娟许晟瑞张进成樊永祥姜腾郝跃
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- 一种铪基AlN厚膜及其制备方法
- 本发明涉及一种铪基AlN厚膜及其制备方法，包括：在铪衬底层的侧面和下表面沉积SiC保护层；对沉积完所述SiC保护层的所述铪衬底层进行超声清洗；对完成超声清洗的所述铪衬底层进行退火得到α晶型铪衬底层；在所述α晶型铪衬底层的...
- 周小伟岳文凯李培咸吴金星王燕丽许晟睿马晓华郝跃
- 高亮度GaN蓝光LED技术
- 郝跃李培咸张进城冯倩谢永桂过润秋张国华王省莲王冲周小伟杨燕马晓华龚欣张金凤陈军峰
- 该技术包含GaN材料生长用MOCVD设备制造技术和高亮度GaN蓝光LED制造技术。研制了MOCVD设备及恒流配气技术、MOCVD系统控制软件、P型GaN大气退火技术、InGaN/GaN多量子阱结构温度条件钝化工艺、InG...
- 关键词：
- 关键词：GAN材料MOCVD设备蓝光LED
- 一种基于氮化镓的毫米波过保护电路及其制备方法
- 本发明涉及一种基于氮化镓的毫米波过保护电路的制备方法，包括制作正向PIN二极管、反向PIN二极管和GaN基高频器件，并将正向PIN二极管和反向PIN二极管并联后通过金属互联工艺与GaN基高频器件连接，完成基于氮化镓的毫米...
- 杨凌马晓华芦浩侯斌宓珉翰周小伟祝杰杰郝跃
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- 基于MOCVD生长的高Al组分Al_xGa_(1-x)N的HRXRD研究被引量：2
- 2009年
- 通过MOCVD设备,在c面蓝宝石衬底上异质外延了不同Al组分含量的AlxGa1-xN材料,生长过程中采用了低温缓冲层技术、脉冲原子外延技术(PALE)和多层超晶格缓冲技术,例如AlGaN/AlNSLs结构,成功得到了表面光滑无裂纹的AlxGa1-xN膜。并且通过HRXRD对材料进行了多个晶面方向上的摇摆曲线和2θ～ω表征测试,在此测试基础上对材料的Al组分、a轴和c轴的晶格常数以及位错密度进行了相应的计算,并定性的分析了材料的应变状态。
- 杜阳李培咸周小伟白俊春
- 关键词：ALXGA1-XNHRXRD晶格常数
- 基于垂直PIN二极管双向限幅电路及制作方法
- 本发明涉及一种基于垂直PIN二极管双向限幅电路的制作方法，包括步骤：刻蚀AlGaN势垒层，在GaN缓冲层上形成正向PIN二极管制作区域和反向PIN二极管制作区域；在刻蚀后的AlGaN势垒层上制作GaN基高频器件；在正向P...
- 马晓华杨凌郭建新郝跃祝杰杰周小伟侯斌宓珉翰
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- 界面电偶极子对GaN/AlGaN/GaN光电探测器紫外/太阳光选择比的影响被引量：2
- 2005年
- 在GaN/AlGaN/GaN倒置异质结光电二极管(IHP)中,存在于AlGaN/GaN异质结界面处强烈的极化效应对器件的紫外/太阳光(UV/Solar)选择比产生了重要的影响.将极化效应总的影响分为两部分:电偶极子和极化项,在建立的GaN/AlGaN/GaN结构IHP模型的基础上,对电偶极子对器件UV/Solar选择比的影响进行了分析.分析结果表明,只有在考虑电偶极子的影响时,光电探测器的UV/Solar选择比在103数量级左右,与实验结果符合较好.因此,在IHP中必须考虑电偶极子的影响.
- 张春福郝跃游海龙张金凤周小伟
- 关键词：ALGAN/GAN电偶极子光电探测器选择比太阳光紫外
- 基于蓝宝石衬底的AlGaN基多量子阱uv-LED器件的制作方法
- 本发明公开了一种基于蓝宝石衬底的AlGaN基uv-LED器件及其制作方法，它涉及到微电子技术领域。该器件自下而上依次包括低温AlN成核层(2)、高温AlN成核层(3)、本征AlGaN外延层(4)、n-AlGaN势垒层(5...
- 郝跃杨凌马晓华周小伟李培咸
- 文献传递
