刘桂荣
- 作品数：48 被引量：50H指数：4
- 供职机构：北京科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金山东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术化学工程电子电信更多>>
- 一种零膨胀材料
- 本发明属于无机非金属材料领域，特别涉及一种能够在-140～700℃范围内使用的零膨胀材料。其特征在于以PbO、TiO<Sub>2</Sub>、Bi<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>、Fe<Sub>2</S...
- 邢献然陈骏刘桂荣
- 文献传递
- 先驱体合成法制备PMN-PT弛豫铁电体及其表征被引量：5
- 2005年
- 采用先驱体合成法,以氧化物为原料制备了钙钛矿结构的(1-x)PMN-xPT弛豫铁电陶瓷粉末,研究了预烧温度以及PbTiO3固溶量等工艺参数对样品的相结构的影响.结果表明,随预烧温度升高, PMN-PT钙钛矿相含量增加,但温度过高,由于PbO的挥发钙钛矿相又减少;增加PbTiO3也可使钙钛矿相含量增加.
- 邓金侠邢献然于然波陈骏邢奇凤罗君刘桂荣
- 关键词：PMN-PT弛豫铁电体相结构
- 区熔(氢)硅片为基底的多孔硅的光致荧光特性
- 本文以氢区熔单晶硅为基础,通过中子辐照和两步退火热处理,得到了具有20～40μm表面完整层的吸除硅片,并对该种吸除硅片进行了红外光谱和X光电子能谱分析。在吸除硅片的基础上恒电流阳极氧化制得的多孔硅,室温下光致橙色荧光发光...
- 李怀祥贺月娇郭成花薛成山刘桂荣陈燕生段淑贞
- 关键词：多孔硅光致荧光表面修饰
- 文献传递
- 一种用硫化镍精矿直接制备磁性材料的方法
- 一种用硫化镍精矿直接制备磁性材料的方法，涉及尖晶石型软磁铁氧体材料的制备。本发明利用低品位硫化镍精矿为原料，硫化镍精矿中镍的质量百分含量≤10％，经过氧化焙烧，热酸浸出，除杂，共沉淀，焙烧等工艺得到铁氧体磁性材料。整个工...
- 邢献然朱绘卉于然波陈骏邓金侠陈茜刘桂荣
- 文献传递
- 过冷态合金表面张力的模拟计算
- 该文提出了一种由液态合金的热力学性质外推至过冷态合金，进而基于Butler方程用STCBE程序计算过冷态合金表面张力的方法。并运用该方法对NI-Cu和Fe-NI二元系过冷态合金的表面张力进行了计算，与实验数据比较，计算结...
- 严丽君刘桂荣乔芝郁
- 文献传递
- 铈掺杂钨酸锆负热膨胀导电陶瓷粉体及其制备方法
- 本发明提供了一种铈掺杂钨酸锆负热膨胀导电陶瓷粉体及其制备方法，属于无机非金属材料领域。其材料的组成为Zr<Sub>1－x</Sub>Ce<Sub>x</Sub>W<Sub>2</Sub>O<Sub>8</Sub>(0＜x...
- 邢献然孙策赵洁陈茜陈骏于然波刘桂荣
- 文献传递
- 一种负热膨胀材料ZrW<Sub>2</Sub>O<Sub>8</Sub>的单晶制备方法
- 一种负热膨胀材料ZrW<Sub>2</Sub>O<Sub>8</Sub>的单晶制备方法，属于功能陶瓷材料技术领域。本发明采用水热法合成负热膨胀化合物ZrW<Sub>2</Sub>O<Sub>8</Sub>所用原料为：Zr...
- 邢献然邢奇凤于然波刘桂荣
- 文献传递
- 复合氧化物负热膨胀材料研究进展
- 氧化物的负热膨胀性(NTE)是由于在其开放式的骨架结构中,有二配位的桥氧键产生横向热运动,以及引起的多面体热摆动和耦合作用使非键合M-M1键距变短,导致单胞体积缩小。文中引入大半径的稀土离子,拓宽温度范围,提高化合物稳定...
- 邢献然祝振奇陈刚刘桂荣
- 关键词：复合氧化物氧化物热振动
- 文献传递
- 熔盐法合成PbTiO_3粉体及其表征被引量：12
- 2006年
- 以 TiO_2和 PbC_2O_4为反应物,Nacl 和 NaCl-KCl 为熔剂,于820—1000℃保温2 h 制备了纯净的 PbTiO_3 粉体．熔盐法制备过程中盐的用量以及温度明显的影响晶粒的尺寸,当温度低于900℃时,在氯化物盐中随着温度的升高,晶粒尺寸逐渐增大；当温度高于900℃时,晶粒尺寸随温度的升高变化不大,晶粒最终发育为较完整的球形．熔盐合成晶体生长过程为扩散机制控制,通过调整熔盐的用量及温度可以控制晶粒的尺寸与形貌．熔盐法制备 PbTiO_3粉体工艺流程简单,时间短,产量大,成本低,无污染．
- 蔡宗英邢献然刘桂荣于然波
- 关键词：PBTIO3陶瓷粉体
- 硅单晶中的氢催化氧沉淀
- 1998年
- 红外光谱法研究了硅单晶中的氢催化氧沉淀．氧含量为６×１０１７ａｔｏｍｓ·ｃｍ－３的直拉硅（ＣＺ—Ｓｉ）经氢气氛下区熔再成晶后，间隙氧浓度下降约２０倍．红外光谱测量１２３０ｃｍ－１吸收带结果表明，６５０～８５０℃热处理同样的时间，区熔后样品比原直拉硅样品含有更多的氧沉淀，这是氢催化的结果．
- 李怀祥薛成山周武陈鲁生周武陈燕生
- 关键词：氧沉淀硅单晶
