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万军

作品数：43 被引量：34H指数：4
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域：理学一般工业技术电子电信化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 34篇专利
  • 7篇期刊文章
  • 1篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 4篇一般工业技术
  • 4篇理学
  • 3篇电子电信
  • 2篇化学工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇航空宇航科学...

主题

  • 21篇硅衬底
  • 21篇衬底
  • 7篇原子层沉积
  • 7篇化学吸附
  • 6篇前驱体
  • 6篇含氮
  • 6篇含碳
  • 5篇单晶
  • 5篇氮化碳
  • 5篇氮化碳薄膜
  • 5篇躯体
  • 5篇纳米
  • 4篇氮气
  • 4篇低温低压
  • 4篇电离
  • 4篇氧化钛薄膜
  • 4篇运输方式
  • 4篇碳纳米管
  • 4篇碳纳米管结构
  • 4篇气口

机构

  • 42篇中国科学院微...
  • 2篇中国科学院
  • 2篇中国航天员科...
  • 1篇山东科技大学
  • 1篇浙江大学
  • 1篇嘉兴科民电子...
  • 1篇中国科学院嘉...

作者

  • 43篇万军
  • 39篇李超波
  • 38篇陈波
  • 35篇夏洋
  • 34篇石莎莉
  • 30篇饶志鹏
  • 24篇李勇滔
  • 20篇黄成强
  • 19篇刘键
  • 12篇李楠
  • 11篇吕树玲
  • 6篇张艳清
  • 4篇王守国
  • 4篇夏洋
  • 3篇贾向红
  • 2篇许峰
  • 2篇贾少霞
  • 2篇冯嘉恒
  • 1篇张庆钊
  • 1篇刘邦武

传媒

  • 2篇真空科学与技...
  • 1篇辐射防护
  • 1篇半导体技术
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇强激光与粒子...
  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 8篇2015
  • 1篇2014
  • 16篇2013
  • 12篇2012
  • 2篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
共 43 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种氮化铝薄膜的制备方法
本发明涉及一种用原子层沉积设备制备氮化铝薄膜的方法。所述制备方法，包括如下步骤：将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中；向原子层沉积设备反应腔中通入含铝物质，含碳物质与硅衬底表面发生化学反应，使得含铝物质中的铝原子吸附在硅...
饶志鹏万军夏洋李超波刘键陈波黄成强石莎莉李勇滔
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掺氮二氧化钛薄膜的制备方法
公开了一种掺氮二氧化钛薄膜的制备方法，通过向反应腔室中先后通入含钛源气体，形成硅钛键；向原子层沉积设备反应腔中通入氮气和氢气，进行等离子体放电，氮气电离后部分氮原子与所述部分钛原子形成共价键，氮原子未成键的电子和电离的氢...
万军赵柯杰黄成强饶志鹏陈波李超波夏洋吕树玲石莎莉
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纳秒脉冲常压辉光放电等离子体及应用研究
<正>采用半导体断路开关的纳秒脉冲高压电源,在两个金属电极之间产生放电区间为1600×100×25 mm~3的常压辉光空气等离子体。等离子体发生器阴极采用针电极阵列,针的直径为1 mm,针的长度为20 mm,针与针之间的...
万军杨景华张朝前王守国
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一种单晶立方形氮化碳薄膜的制备方法
本发明涉及氮化碳的制备技术，具体涉及一种单晶立方形氮化碳薄膜的制备方法。所述制备方法，包括如下步骤：(1)将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中；(2)向原子层沉积设备反应腔中通入碳源气体，碳源气体作为第一反应前驱体在硅衬...
饶志鹏夏洋万军李超波陈波刘键江莹冰石莎莉李勇滔
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一种气体分配器及原子层沉积设备
本发明涉及原子层沉积设备技术领域，具体涉及一种气体分配器及包括该气体分配器的原子层沉积设备。所述气体分配器，包括进气管道、过渡管道和配气盘，所述配气盘固定设置在所述过渡管道的出气口，所述过渡管道的进气口与所述进气管道连接...
张艳清夏洋李超波万军吕树玲陈波石莎莉李楠
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一种金刚石的制备方法
本发明涉及金刚石制备技术领域，具体涉及一种用原子层沉积设备制备金刚石的方法。所述制备方法，具体包括如下步骤：将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中；通过载气运输方式将含碳前驱体输送至所述原子层沉积设备反应腔中；通过等离子体...
饶志鹏万军夏洋李超波刘键陈波黄成强石莎莉李勇滔
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用ALD设备生长氮化镓薄膜的方法
本发明公开用ALD设备生长氮化镓薄膜的方法，包括步骤10、将碳化硅衬通过标准液和氢氟酸处理表面并放置于原子层沉积设备反应腔中；步骤20、向所述原子层沉积设备反应腔中通入镓源气体，所述镓源气体作为第一反应前驱体源在碳化硅衬...
饶志鹏万军夏洋陈波李超波石莎莉李勇滔李楠
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一种原子层沉积设备
本发明涉及一种原子层沉积设备，尤其是涉及一种使用集显示和控制于一体的嵌入式控制单元作为控制系统主控部件的原子层沉积设备。所述原子层沉积设备，包括主控部件、电气控制部件、真空部件、加热部件和气路部件，主控部件分别与电气控制...
张艳清夏洋李超波万军吕树玲陈波石莎莉李楠
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一种碳化硅薄膜的制备方法
本发明涉及碳化硅薄膜制备技术领域，具体涉及一种用原子层沉积设备制备碳化硅薄膜的方法。所述制备方法，包括如下步骤：将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中；向原子层沉积设备反应腔中通入含碳物质，含碳物质与硅衬底表面发生碳化学吸...
饶志鹏万军夏洋李超波刘键陈波黄成强石莎莉李勇滔
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一种掺氮二氧化钛薄膜的制备方法
本发明涉及二氧化钛制备的技术领域，具体涉及一种掺氮二氧化钛薄膜的制备方法。所述制备方法，包括如下步骤：将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中；以氮气为载气向原子层沉积设备反应腔中通入含钛源气体，含钛源气体中的钛原子吸附在硅...
夏洋饶志鹏万军李超波陈波刘键江莹冰石莎莉李勇滔
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