颜伟
- 作品数：27 被引量：26H指数：4
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家电网公司科技项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- 侧栅场效应晶体管太赫兹探测器及其制备方法
- 本发明公开了一种侧栅场效应晶体管太赫兹探测器，包括：衬底；台面，由将生长在衬底上的有源层刻蚀后形成，或者由在衬底上生长有源层后，刻蚀部分衬底和有源层后形成；栅极，设置位于台面两侧，与台面形成肖特基接触；源极和漏极，设置位...
- 颜伟张博文黄镇李兆峰刘雯韩国威王晓东杨富华
- 文献传递
- 谐振式集成光学陀螺系统中用于抑制背散射噪声的相位调制技术（英文）被引量：6
- 2019年
- 在谐振式集成光学陀螺系统中,相位调制技术被广泛用于检测陀螺旋转信号。本文详细介绍了近几年来国内外学者为提高陀螺精度、抑制陀螺噪声所提出的相位调制技术。文章首先从理论上分析了谐振环中的背散射噪声,发现载波抑制是抑制背散射噪声的关键因素。然后,详细介绍了近几年来为提高陀螺精度而提出的两类相位调制技术,分别是单相位调制技术和双相位调制技术,并分析比较了其技术原理、噪声抑制能力以及系统的鲁棒性和复杂度。新型的边带锁定技术可以有效抑制陀螺中的背散射噪声。最后通过总结这些相位调制技术的优缺点发现,在陀螺系统中除了需要借助于相位调制技术抑制背反射噪声外,提高对其他类型噪声的抑制是集成光学陀螺性能进一步提高的关键。
- 何玉铭杨富华颜伟颜伟
- 关键词：陀螺仪相位调制谐振器
- 场效应晶体管太赫兹探测器在太赫兹成像领域的研究进展(上)
- 2024年
- 太赫兹(Terahertz,THz)波具有能量低、穿透性强、分辨率高等特性,因而THz成像技术在安全检测、医学诊断、无损探伤等领域具有广阔的应用前景。THz探测器作为THz成像系统的重要组成部分,其性能对成像分辨率、成像速度等有重要影响。由于具备可室温工作、易大面积集成、响应速度快等特性,场效应晶体管(Field Effect Transistor,FET)THz探测器在成像应用中潜力巨大。综述了近年来FET THz探测器在THz成像领域的研究进展(包括成像阵列、材料选择等方面),分析了设计和制造中存在的问题;指出天线和像素间距是限制大规模阵列化的重要因素,并在此基础上对未来的研究方向进行了展望;指出新的材料和结构设计将进一步改善器件性能,从而实现更快速、更清晰的THz成像。
- 靳晨阳康亚茹黄镇赵永梅颜伟颜伟王晓东李兆峰
- 关键词：太赫兹成像场效应晶体管HEMTCMOS低维材料
- 具有低特征导通电阻的SiC VDMOSFET结构及其制造方法
- 本发明公开了一种具有低特征导通电阻的SiC VDMOSFET结构及其制造方法，所述结构在N<Sup>+</Sup>衬底上形成有N<Sup>-</Sup>漂移区，在该N<Sup>-</Sup>漂移区的上方形成有P型基极区和...
- 王进泽杨香颜伟刘胜北赵继聪何志王晓东杨富华
- 文献传递
- 增强型AlGaN/GaN HEMT器件工艺的研究进展被引量：4
- 2011年
- 随着高压开关和高速射频电路的发展,增强型GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)成为该领域内的研究热点。增强型GaN基HEMT只有在加正栅压才有工作电流,可以大大拓展该器件在低功耗数字电路中的应用。近年来,国内外对增强型GaN基HEMT阈值电压的研究主要集中以下两个方面:在材料生长方面,通过生长薄势垒、降低Al组分、生长无极化电荷的AlGaN/GaN异质材料、生长InGaN或p-GaN盖帽层,来控制二维电子气浓度;在器件工艺方面,采用高功函数金属、MIS结构、刻蚀凹栅、F基等离子体处理,来控制表面电势,影响二维电子气浓度。从影响器件阈值电压的相关因素出发,探讨了实现和优化增强型GaN基HEMT的各种工艺方法和发展方向。
- 杜彦东韩伟华颜伟张严波熊莹张仁平杨富华
- 关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管增强型
- 表面等离激元激光器微腔
- 本公开提供一种表面等离激元激光器微腔，包括：半导体纳米线、多个金属椭球和半导体基板；其中，多个金属椭球以一维阵列形式排布在半导体基板表面，每个金属椭球半埋设于半导体基板中，半导体纳米线覆盖在多个金属椭球上且包覆每个金属椭...
- 彭轩然刘晶康亚茹李兆峰颜伟刘孔王晓晖毛旭杨富华
- 4H-SiC材料在SF_6/O_2/HBr中的ICP-RIE干法刻蚀被引量：4
- 2015年
- 传统SiC干法刻蚀中普遍出现明显的微沟槽效应,对后续工艺以及SiC器件性能有重要影响。针对这一问题,采用SF6/O2/HBr作为刻蚀气体,对4H-SiC材料的电感耦合等离子体-反应离子刻蚀(ICP-RIE)进行了工艺条件的研究探索,分别研究了SF6,O2和HBr流量百分比对SiC刻蚀速率及微沟槽效应的影响。实验结果表明:SiC刻蚀速率随SF6和O2流量百分比的增加,先增大后减小。HBr气体作为SiC刻蚀的新型附加气体,在保护侧壁和降低微沟槽效应方面具有重要作用。在SF6,O2和HBr气体流量比为11∶2∶13时取得了较好的刻蚀结果,微沟槽效应明显降低,同时获得了较高的刻蚀速率,刻蚀速率达到536 nm/min。
- 王进泽杨香钮应喜杨霏何志刘胜北颜伟刘敏王晓东杨富华
- 关键词：刻蚀速率
- 气体传感器及其制备方法
- 本发明公开了一种气体传感器及其制备方法，该气体传感器包括：SOI基片，包含底层硅、埋氧层和顶层硅，其中，顶层硅上制作有脊形光波导芯区结构，该脊形光波导芯区结构包括：依次连接的模斑转换器、直波导和布拉格反射光栅，以及一微环...
- 何玉铭韩伟华李兆峰颜伟王晓东杨富华
- 文献传递
- 微纳结构制备方法
- 本公开提供了一种微纳结构制备方法，包括：在衬底上生长样品层，样品层用于制备微纳结构；在样品层上旋涂抗蚀剂；去除部分抗蚀剂，抗蚀剂的去除部分与微纳结构的图形对应；在抗蚀剂表面淀积Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3<...
- 靳晨阳颜伟 康亚茹李兆峰王晓东杨富华
- 太赫兹波探测器
- 本发明公开了一种太赫兹波探测器，以氮化镓高电子迁移率晶体管为基本结构，包括晶体管部分、源漏接触测试电极及引线部分、太赫兹波耦合天线部分，其中：所述太赫兹波耦合天线部分为耦合特定频率的天线，同时作为接触电极与所述晶体管部分...
- 白龙颜伟杨富华
