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陈运祥
作品数:
38
被引量:26
H指数:3
供职机构:
中国电子科技集团第二十六研究所
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发文基金:
中国人民解放军总装备部预研基金
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合作作者
冷俊林
中国电子科技集团第二十六研究所
周勇
四川压电与声光技术研究所
马晋毅
中国电子科技集团第二十六研究所
杨正兵
中国电子科技集团第二十六研究所
董加和
中国电子科技集团第二十六研究所
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陈运祥
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1996
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1992
2篇
1991
1篇
1990
1篇
1989
共
38
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高次谐波声体波谐振器
1996年
简要介绍了高次谐波声体波谐振器的独特优越性和发展概况。用有关高次谐波声体波谐振器的设计理论进行了设计。报道了对高次谐波声体波谐振器的实验研究,给出了超高频和L波段高Q值高次谐波声体波谐振器的实验结果。
王宗富
刘岳穗
周勇
陈运祥
汪渝
关键词:
声体波
高次谐波
谐振器
薄膜换能器
Q值
微波
用超声喷雾热解新方法生长ZnO膜
1991年
采用超声喷雾热解法已在各种基片上长出了ZnO膜。通过X射线、光学及电气测量结果表明了所制备的ZnO膜的特征。发现它们为单一物相、均质且厚度均匀。这些膜的质量与用更复杂的方法制备的膜的质量相当。ZnO膜适合于许多半导体应用。
P.Wu
Y-M.Gao
陈运祥
关键词:
热解法
IDT/AlN/LiNbO_3结构声表面波滤波器模拟和分析
被引量:1
2008年
研究了IDT/AlN/LiNbO3结构声表面波滤波器的频散特性,发现了高机电耦合系数(>18%),高声速(>10 km/s)的纵向假声表面波模式。对研究得到的二次模进行了归一化插入损耗频率响应的模拟,其结果与文献报道的实验结果基本一致。
李健雄
杨成韬
王锐
陈运祥
张树人
关键词:
声表面波
ALN薄膜
18~20GHz体声波微波延迟线
被引量:1
1995年
给出了利用换能器旁瓣响应得到的体声波(BAW)微波延迟线在18~20GI12频率范围内的频域及时域性能,其最小插入损耗为83dB,延迟时间200ns,并对器件插入损耗进行了分析。
汤劲松
李晓丹
陈运祥
关键词:
体声波
微波
延迟线
可调谐的预设空腔型SOI基片薄膜体声波谐振器及制作方法
本发明公开了一种可调谐的预设空腔型SOI基片薄膜体声波谐振器及制作方法,涉及一种频率可调谐的谐振器及制作方法,包括带空腔SOI基片和设置其上的压电薄膜换能器,谐振器包括压电薄膜、底电极和顶电极,底电极靠预设空腔一侧设置有...
杨增涛
马晋毅
冷俊林
杨正兵
赵建华
陈小兵
陈运祥
周勇
傅金桥
张龙
一种ZnO薄膜材料、声表面波滤波器复合薄膜材料及制备方法
本发明公开了一种ZnO薄膜材料、声表面波滤波器复合薄膜材料及制备方法,ZnO薄膜材料是在该ZnO薄膜中掺杂有锂和钒,构成Li<Sub>x</Sub>V<Sub>y</Sub>Zn<Sub>(</Sub><Sub>1-x-...
陈运祥
董家和
冷俊林
李洪平
杨洁
一种ZnO薄膜材料、声表面波滤波器复合薄膜材料及制备方法
本发明公开了一种ZnO薄膜材料、声表面波滤波器复合薄膜材料及制备方法,ZnO薄膜材料是在该ZnO薄膜中掺杂有锂和钒,构成Li<Sub>x</Sub>V<Sub>y</Sub>Zn<Sub>(1‑x‑y)</Sub>O压电...
陈运祥
董家和
冷俊林
李洪平
杨洁
文献传递
单片式3.6μs pn结二极管存储相关器/卷积器
1992年
本文报道一种单片式金属氧化锌、二氧化硅(MZOS)结构存储相关器。在我国首次实现将参考信号“写入”(存储)二极管阵列中,然后用读信号将其“读出”,该器件也可用作卷积器。本文简叙了器件设计、结构、制作方法、工作模式和性能参数。
周子新
陈运祥
谢兵
朱昌安
王锋友
关键词:
声表面波
卷积器
C波段超短延时声体波延迟线
被引量:1
1997年
叙述了超短延时声体波微波延迟线的设计和制作。制作了工作频率4.2GHz,延迟时间分别为50ns和70ns的器件。
周小平
王宗富
陈运祥
刘岳穗
周勇
关键词:
声体波
微波
延迟线
声表面波器件抗300℃高温剥离方法
本发明公开了一种声表面波器件抗300℃高温剥离方法,包括如下步骤:1)在基片上制作金属芯片;2)在基片的金属面上贴上一层干膜;3)对金属芯片的引线键合区进行套刻曝光;4)对干膜进行显影;5)对引线键合区表面有干膜的基片表...
冷俊林
董加和
陈运祥
陈彦光
金中
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