闫辰奇
- 作品数：20 被引量：34H指数：4
- 供职机构：河北工业大学电子信息工程学院更多>>
- 发文基金：国家中长期科技发展规划重大专项河北省自然科学基金天津市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>
- 碱性铜精抛液中活性剂对平坦化效果的影响被引量：4
- 2015年
- 研究了碱性条件下铜精抛液中非离子表面活性剂对平坦化效果的影响,通过改变精抛液中活性剂的浓度,讨论了表面活性剂对精抛速率、精抛后碟形坑延伸情况、晶圆表面非均匀性以及表面形貌的影响。实验表明:非离子表面活性剂能够在保证精抛去除速率的基础上,有效控制碟形坑的延伸,实现对碟形坑的修正。同时,由于表面活性剂的加入,提高了晶圆表面非均匀性,降低了粗糙度,并使Cu晶圆的表面形貌得到了改善,碱性铜精抛液的平坦化效果显著提高。
- 贾少华刘玉岭王辰伟闫辰奇
- 抛光液成分对铝栅化学机械抛光过程中铝去除速率的影响
- 2016年
- 在低工作压力(1 psi)和低磨料用量(纳米硅溶胶体积分数2.5%,后同)下,通过单因素实验探讨了碱性抛光液组分(包括氧化剂H_2O_2、FA/O型螯合剂和非离子型表面活性剂)含量对铝栅化学机械抛光过程中铝去除速率的影响,确定抛光液的组成为:氧化剂1.5%,螯合剂0.5%,表面活性剂1.0%。铝的去除速率为100 nm/min,抛光后的表面粗糙度为8.85 nm。
- 张金刘玉岭闫辰奇张文霞
- 关键词：铝栅化学机械抛光氧化剂螯合剂去除速率
- 多元胺醇型表面活性剂对铜晶圆平坦化的影响被引量：1
- 2016年
- 研究了一种多元胺醇型非离子表面活性剂对铜化学机械抛光（CMP）液粒径及分散度、抛光速率、抛光后铜膜的碟形坑高度、表面非均匀性和表面粗糙度的影响。抛光液的基本组成和工艺条件为：SiO2（粒径60～70nm）5％（体积分数，下同），多羟多胺螯合剂3％，30％（质量分数）过氧化氢3％，工作压力1psi，背压1psi，抛头转速87r／min，抛盘转速93r／min，抛光液流量300mL／min，抛光时间60S，抛光温度23℃。结果表明，表面活性剂的引入可提高抛光液的稳定性。当表面活性剂含量为3％时，抛光速率、抛光后碟形坑高度、表面非均匀性和表面粗糙度分别为614．86nm／min、76．5nm、3．26％和0．483nm，对铜晶圆的平坦化效果最好。
- 闫辰奇刘玉岭张金张文霞王辰伟何平潘国峰
- 关键词：铜晶圆化学机械抛光平坦化非离子型表面活性剂
- Cu CMP平坦化中螯合剂与氧化剂的协同作用
- 2015年
- 研究了在铜化学机械抛光(CMP)平坦化中螯合剂与氧化剂的协同作用。铜CMP抛光液主要由SiO2磨料、非离子表面活性剂、螯合剂和氧化剂组成。针对不同比例螯合剂与氧化剂的协同作用,分别对抛光/静态腐蚀速率、电化学、片内非均匀性及平坦化、表面粗糙度进行了检测。通过对实验数据进行理论分析,研究表明当螯合剂与氧化剂的比例约为1∶1时,平坦化效果最好。研究为进一步优化抛光液配比,最终实现Cu CMP的全局平坦化提供了一定的理论基础。
- 闫辰奇刘玉岭张金王辰伟张燕邓海文安春燕
- 关键词：CMP螯合剂氧化剂平坦化
- pH值对低磨料碱性铜抛光液稳定性的影响被引量：3
- 2015年
- 稳定性是衡量化学机械抛光（CMP）中抛光液性能的一个重要指标,低磨料和低p H值是抛光液发展的方向。研究了不同p H值对低磨料碱性铜抛光液稳定性的影响。选取了磨料质量分数为1%的抛光液,加入磷酸调节p H值,得到p H值分别为7.3,8.11,9.21,10.02和11.04抛光液,测量比较了各组抛光液随存放时间的变化其p H值、磨料粒径、Zeta电位和铜去除速率的变化。结果表明,低磨料碱性铜抛光液的p H值随时间的延长而降低,磨料粒径也随存放时间的延长而变大,抛光液的Zeta电位的绝对值随p H值的降低而降低,铜的去除速率随抛光液的存放时间的增加而降低,当p H值为9.21~10.02时,抛光液存放时间超过48 h。
- 秦然刘玉岭王辰伟闫辰奇武鹏王娟
- 关键词：稳定性PH值粒径ZETA电位
- 化学机械平坦化材料对蓝宝石抛光速率与粗糙度的影响被引量：2
- 2016年
- 采用自主研制的新型碱性蓝宝石抛光液,在蓝宝石化学机械平坦化过程中加入FA/O型非离子表面活性剂,该活性剂能够减小蓝宝石表面粗糙度,同时,在蓝宝石抛光速率下降不明显的情况下实现较高的凹凸去除速率差,有利于实现蓝宝石的全局平坦化。通过实验得到了碱性条件下抛光速率较高、粗糙度较小的最佳pH值。研究了等质量分数等粒径条件下磨料分散度以及抛光温度对抛光速率和蓝宝石表面粗糙度的影响。
- 贾少华刘玉岭王辰伟闫辰奇
- 关键词：蓝宝石CMP活性剂分散度
- 基于Arrhenius方程研究活性剂对铜CMP粗糙度的影响被引量：6
- 2016年
- 选用非离子表面活性剂脂肪醇聚氧乙烯醚(AEO),通过自制的碱性铜抛光液,在E460E机台上研究不同体积分数活性剂对铜化学机械抛光(CMP)效果的影响。利用原子力显微镜(AFM)观察抛光后铜表面粗糙度,采用接触角测试仪测试不同的抛光液在铜表面的接触角。结果表明:铜抛光速率随着活性剂体积分数的增加呈缓慢降低趋势,加入活性剂可显著降低抛光后铜表面粗糙度。当加入体积分数3.0%的活性剂时,铜抛光速率从678.096 nm/min降低到625.638 nm/min,同时铜表面粗糙度从10.52 nm降低到1.784 nm,接触角从28.33°降低到12.25°。活性剂分子优先吸附在抛光后铜表面形成一层分子膜,表面粗糙度降低的根本原因是该分子膜增加了化学反应的活化能以及提高了抛光液的润湿性。基于Arrhenius方程,从活化能和温度两个参数阐述活性剂降低铜表面粗糙度的机制。
- 栾晓东牛新环刘玉岭闫辰奇赵亚东王仲杰王辰伟
- 关键词：表面粗糙度活化能接触角
- 铜膜高去除速率CMP碱性抛光液的研究及其性能测定被引量：3
- 2014年
- 目的探索适合于TSV技术的最佳CMP工艺。方法在碱性条件下,利用碱性FA/O型鳌合剂极强的鳌合能力,对铜膜进行化学机械抛光,通过调节抛光工艺参数及抛光液配比,获得超高的抛光速率和较低的表面粗糙度。结果在压力27.56 kPa,流量175 mL/min,上下盘转速105/105 r/min,pH=11.0,温度40℃,氧化剂、磨料、螯合剂体积分数分别为1%,50%,10%的条件下,经过CMP平坦化,铜膜的去除速率达2067.245 nm/min,且表面粗糙度得到明显改善。结论该工艺能获得高抛光速率。
- 李炎孙鸣李洪波刘玉岭王傲尘何彦刚闫辰奇张金
- 关键词：表面粗糙度
- 新型表面活性剂对低磨料铜化学机械抛光液性能的影响被引量：6
- 2014年
- 介绍了一种用于铜膜化学机械抛光的多元胺醇型非离子表面活性剂。研究了该表面活性剂对抛光液表面张力、黏度、粒径、抛光速率和抛光后铜的表面状态的影响。抛光液的基本组成和工艺条件为:SiO2 0.5%,H2O2 0.5%,FA/OII型螯合剂5%(以上均为体积分数),工作压力2 psi,抛头转速60 r/min,抛盘转速65 r/min,抛光液流量150 mL/min,抛光时间3 min,抛光温度21°C。结果表明,微量表面活性剂的加入能显著降低抛光液的表面张力并大幅提高抛光液的稳定性,但对静置24 h后抛光液黏度的影响不大。表面活性剂含量为0%～2%时,随其含量增大,化学机械抛光速率减小,抛光面的粗糙度降低。
- 李炎刘玉岭李洪波唐继英樊世燕闫辰奇张金
- 关键词：铜化学机械抛光非离子表面活性剂黏度
- 氧化剂在TSV铜膜CMP中钝化机理被引量：3
- 2015年
- 为实现TSV硅衬底表面铜去除速率的优化,对影响TSV铜去除速率的最主要因素抛光液组分(如磨料、螯合剂、活性剂和氧化剂)中的氧化剂进行分析。通过对不同体积分数的氧化剂电化学实验进行钝化机理的研究,从而得到最佳的氧化剂体积分数,再进行铜的静态腐蚀实验和抛光实验对铜的去除速率进行验证。实验结果表明,氧化剂体积分数为0.5%时铜具有较高的去除速率,能够满足工业需要。最后,对CMP过程机理和钝化机理进行分析,进一步验证了氧化剂在TSV铜化学机械平坦化中的作用。
- 张燕刘玉岭王辰伟闫辰奇邓海文
- 关键词：去除速率开路电位氧化剂
