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郭艳敏
作品数:
10
被引量:1
H指数:1
供职机构:
浙江大学
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相关领域:
电子电信
一般工业技术
理学
金属学及工艺
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合作作者
朱丽萍
浙江大学材料科学与工程学系硅材...
叶志镇
浙江大学材料科学与工程学系硅材...
杨治国
浙江大学材料科学与工程学系硅材...
蒋杰
浙江大学材料科学与工程学系硅材...
陈文丰
浙江大学
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机构
10篇
浙江大学
作者
10篇
郭艳敏
8篇
朱丽萍
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杨治国
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叶志镇
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张翔宇
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陈文丰
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蒋杰
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蒋杰
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中国科技论文
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2014
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2013
1篇
2012
1篇
2010
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脉冲激光沉积制备MgNiO薄膜及其结构性能研究
采用脉冲激光沉积法(PLD)在石英村底上制备了MgNiO薄膜,研究沉积温度、氧分压对薄膜结构和形貌的影响。通过优化制各条件,在400℃、20Pa氧分压下得到高质量的MgNiO薄膜.研究了Mg含量对MgNi0薄膜禁带宽度的...
郭艳敏
朱丽萍
杨治国
蒋杰
叶志镇
关键词:
脉冲激光沉积
紫外探测器
文献传递
一种基于四氧化三钴纳米线阵列的酒精气体传感器及其制备方法
本发明公开了一种基于四氧化三钴纳米线阵列的酒精气体传感器,该酒精气体传感器包括绝缘基片、电极层和传感导电体,所述的传感导电体是由水热法直接生长于绝缘基片上的四氧化三钴纳米阵列构成。本发明还提供了所述酒精气体传感器的制备方...
朱丽萍
文震
梅伟民
李亚光
胡亮
郭艳敏
蒋杰
文献传递
ZnO基薄膜的、异质结制备与应用研究
ZnO室温下的禁带宽度为3.37eV,吸收边位于紫外波段,在可见光区透明,与MgO合金化得到的更宽禁带的ZnMgO薄膜可应用在深紫外光电器件中。掺入Al、Ga和F等施主掺杂剂可以有效地改善ZnO的本征n型导电性能。科技的...
郭艳敏
关键词:
异质结
电学性能
文献传递
一种纳米结构的氧化亚铜基PIN结太阳能电池及其制备方法
本发明涉及一种纳米结构的氧化亚铜基PIN结太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池结构包括:衬底;P型氧化亚铜纳米线阵列,该P型氧化亚铜纳米线阵列生长在衬底上;绝缘层,该绝缘层沉积在P型氧化亚铜纳米线阵列表面;N型层,该N型...
朱丽萍
杨美佳
郭艳敏
文献传递
一种高迁移率的掺氟氧化锌基透明导电薄膜的制备方法
本发明公开了一种高迁移率的掺氟氧化锌基透明导电薄膜的制备方法,包括溅射准备和溅射镀膜,还包括:将磁控溅射生长的薄膜进行真空退火处理,柔性衬底的真空退火温度为50~150℃,时间为20~60min;硬质衬底的真空退火温度为...
朱丽萍
张翔宇
陈文丰
郭艳敏
ZnO基薄膜的掺杂、异质结制备与应用研究
郭艳敏
关键词:
ZNO薄膜
ZNMGO薄膜
透明导电薄膜
异质结
脉冲激光沉积
镁镍氧基多波段日盲区紫外探测器及其制备方法
本发明涉及一种镁镍氧基多波段日盲区紫外探测器,包括沿垂直方向依次设置的衬底,底层NiO薄膜,两层以上的多层镁镍氧薄膜,帽层NiO薄膜,第一金属电极(欧姆接触)和第二金属电极(肖特基接触),所述的多层镁镍氧薄膜由沿垂直方向...
朱丽萍
郭艳敏
杨治国
许鸿斌
宋世燕
叶志镇
文献传递
一种高迁移率的掺氟氧化锌基透明导电薄膜的制备方法
本发明公开了一种高迁移率的掺氟氧化锌基透明导电薄膜的制备方法,包括溅射准备和溅射镀膜,还包括:将磁控溅射生长的薄膜进行真空退火处理,柔性衬底的真空退火温度为50~150℃,时间为20~60min;硬质衬底的真空退火温度为...
朱丽萍
张翔宇
陈文丰
郭艳敏
文献传递
高晶体质量ZnCdO薄膜和ZnCdO/ZnO多量子阱的生长及光学性能
被引量:1
2013年
分别在石英衬底和c面蓝宝石衬底上制备了ZnCdO薄膜和ZnCdO/ZnO多量子阱结构。XRD和PL测试分析表明该ZnCdO薄膜具有单一取向和高晶体质量。对多量子阱结构进行低温PL测试得到较强的势阱层发光峰和较弱的势垒层发光峰,表明高质量的多量子阱结构。变温PL测试表明该多量子阱结构在室温下仍然具有优良的光学性能。
蒋杰
朱丽萍
李洋
郭艳敏
关键词:
脉冲激光沉积
光致发光
镁镍氧基多波段日盲区紫外探测器及其制备方法
本发明涉及一种镁镍氧基多波段日盲区紫外探测器,包括沿垂直方向依次设置的衬底,底层NiO薄膜,两层以上的多层镁镍氧薄膜,帽层NiO薄膜,第一金属电极(欧姆接触)和第二金属电极(肖特基接触),所述的多层镁镍氧薄膜由沿垂直方向...
朱丽萍
郭艳敏
杨治国
叶志镇
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